专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]少数载流子转换结构-CN201510516520.2有效
  • P.德尔克罗切;A.芬尼;N.克里施克;L.佩特鲁齐 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2015-08-21 - 2018-11-13 - H01L27/06
  • 本发明涉及少数载流子转换结构。依据半导体器件的实施例,半导体器件包含:功率器件井,在半导体衬底中;逻辑器件井,在衬底中并且通过衬底的分离区与功率器件井间隔开;以及少数载流子转换结构,该少数载流子转换结构包含分离区中的第一导电类型的第一掺杂区、分离区中的第二导电类型的第二掺杂区以及将第一和第二掺杂区连接的导电层。第二掺杂区包含在第一掺杂区与功率器件井之间插入的第一部分和在第一掺杂区与逻辑器件井之间插入的第二部分。
  • 少数载流子转换结构
  • [发明专利]半导体器件-CN201410514545.4有效
  • L.佩特鲁齐 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2014-09-30 - 2018-02-23 - H03K17/687
  • 本发明涉及符合ISO和ESD要求的片上反向极性保护。公开了一种半导体器件。在一个实施例中,半导体器件包括半导体芯片,包括衬底;地端子,被配置为被提供有参考电位;以及供电端子,电耦合到衬底,供电端子被配置为被提供有负载电流并且被配置为在衬底和地端子之间被提供有供电电压。半导体器件还包括过压保护电路,该过压保护电路设置在半导体芯片中并且耦合在供电端子和地端子之间,过压保护电路包括第一晶体管,具有耦合在供电端子和内部地节点之间的负载电流路径;以及第二晶体管,具有耦合在内部地节点和地端子之间的负载电流路径。
  • 半导体器件
  • [发明专利]DC去耦电流测量-CN201210195836.2有效
  • P.博格纳;L.佩特鲁齐 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2012-06-14 - 2012-12-19 - G01R31/02
  • 本发明涉及DC去耦电流测量。公开了一种用于测量经由负载晶体管的第一负载端子被提供至负载的负载电流的电路装置。根据本发明的一个示例,电路装置包括耦合至负载晶体管的感测晶体管,以提供表示感测晶体管的第一负载端子处的负载电流的感测电流。负载和感测晶体管的第一负载端子处于相应浮动电位。浮动感测电路耦合在感测晶体管和负载晶体管的负载端子之间,至少在一种操作模式中,感测电路接收感测电流并且提供表示该感测电流的浮动信号。非浮动测量电路经由DC去耦电容器被耦合至感测电路,用于将表示感测电流的浮动信号传送至非浮动测量电路。测量电路被配置成提供表示浮动信号以及因此表示感测电流的输出信号。
  • dc电流测量

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