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[发明专利]半导体器件及其形成方法、非瞬时计算机可读存储介质-CN201310446588.9有效
发明人： J.W.阿基森;K.K.钱;D.L.哈拉米;刘奇志;J.J.佩卡里克 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2013-09-26 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L21/328 文献下载
摘要：本发明公开了半导体器件及其形成方法、非瞬时计算机可读存储介质。本发明具体公开了形成异质结双极晶体管地方法，该方法包括提供包括至少本征基极区域和发射极基座区域的结构。在本征基极区域上形成堆叠。堆叠包括多晶硅层和顶部牺牲氧化物层。在结构中形成沟槽。沟槽限定本征基极区域和堆叠的范围。在堆叠周围的两个区域形成非本征基极。通过选择性外延生长工艺形成非本征基极，以在沟槽之上产生桥。桥连接所述两个区域。在堆叠中提供开口。开口暴露本征基极区域的一部分。在开口中形成发射极。
半导体器件及其形成方法瞬时计算机可读存储介质

[发明专利]不对称外延生长及其应用-CN201080050625.9有效
发明人：尹海洲;汪新慧;K.K.钱;任志斌 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2010-10-05 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种形成不对称场效晶体管的方法。该方法包括在半导体基板的顶上形成栅极结构，该栅极结构包括栅极堆叠和邻近于栅极堆叠侧壁的间隔体，且该栅极堆叠具有第一侧以及与第一侧相对的第二侧；从栅极结构的第一侧在基板中执行成角度的离子注入，从而形成邻近于第一侧的离子注入区，其中栅极结构防止成角度的离子注入到达邻近于栅极结构的第二侧的基板；以及在栅极结构的第一侧和第二侧在基板上执行外延生长。因此，离子注入区上的外延生长比未经历离子注入的区域慢得多。由外延生长在栅极结构的第二侧形成的源极区的高度高于由外延生长在栅极结构的第一侧形成的漏极区的高度。还提供一种由此形成的半导体结构。
不对称外延生长及其应用