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[发明专利]晶体管源极/漏极触点-CN202111304005.X在审
发明人： C-J·古;K·萨瑟恩;A·巴兰;P-H·王;B·塞尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本文公开了晶体管源极/漏极触点及其相关的方法和装置。例如，在一些实施例中，晶体管可以包括沟道和源极/漏极触点，其中所述源极/漏极触点包括界面材料和体材料，所述体材料具有与所述界面材料不同的材料组分，所述界面材料位于所述体材料和所述沟道之间，所述界面材料包括铟以及与铟不同的元素，所述元素是铝、钒、锆、镁、镓、铪、硅、镧、钨或镉。
晶体管触点

[发明专利]针对固态存储设备在运行中的性能调整-CN201480024473.3有效
发明人： D·J·拉格兰;C·E·萨勒斯基;R·P·曼戈尔德;C·L·伊;P·Y·阿勒卡尔;K·萨瑟恩 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： G06F9/305 文献下载
摘要：描述了与针对固态存储设备在运行中的性能调整技术相关的方法和装置。在一个实施例中，控制器逻辑控制对一个或多个非易失性存储器设备的访问。控制器逻辑引起以下中的一个或多个的操作频率的改变：控制器逻辑、将一个或多个非易失性存储器设备耦合到控制器逻辑的总线、以及一个或多个非易失性存储器设备中的一个或多个。此外，控制器逻辑能够响应于命令而引起操作频率的改变。此外，对功率限度进行改变，使得基于系统能力来缩放固态存储设备的性能成为可能。也公开和声明了其它实施例。
针对固态存储设备运行中的性能调整