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[发明专利]具有可焊接热界面结构的IC管芯和散热器-CN202011528890.5在审
发明人： D·马利克;J-Y·常;R·维斯瓦纳思;E·博佐格-格拉耶利;A·A·穆罕默德 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明标题为“具有可焊接热界面结构的IC管芯和散热器”。具有可焊接热结构的散热器和/或IC管芯可以与焊料阵列热互连组装在一起。散热器可包括非金属材料和一个或多个金属化表面，该金属化表面适合于与被采用作为散热器与IC管芯之间的热界面材料的焊料合金接合。IC管芯可包括类似地适合于与包括焊料合金的热互连接合的金属化的背侧表面。IC管芯和/或散热器上的金属化可包括多个可焊接结构。多芯片封装可包括具有不同管芯厚度的多个IC管芯，这些不同管芯厚度通过IC管芯或散热器的热互连和/或可焊接结构中的z高度厚度变化来容适。
具有焊接界面结构 ic 管芯散热器

[发明专利]解决管芯高度差异的导热层的3D构造-CN202011009982.2在审
发明人：万志敏;C·M·扎;J-Y·常;C-P·邱;L·王 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：实施例涉及封装半导体器件。更特别地，实施例涉及具有不同高度的管芯和用以解决管芯高度差异的导热层的三维构造的半导体器件。实施例包括半导体封装和形成这样的封装的方法。一种半导体封装包括封装衬底上的第一、第二和第三微电子器件。第一微电子器件具有与第二微电子器件的顶表面基本上共面的顶表面。第三微电子器件具有高于第一和第二微电子器件的顶表面的顶表面。半导体封装包括第一和第二微电子器件上的第一传导层，以及第三微电子器件上的第二传导层。第二传导层具有比第一传导层的厚度更小的厚度，以及与第一传导层的顶表面基本上共面的顶表面。半导体包括第一和第二传导层上的热界面材料。第一和第二传导层由铜、银、氮化硼或石墨烯组成。
解决管芯高度差异导热构造

[发明专利]围绕衬底上的组件的辐射屏蔽件-CN202010585849.5在审
发明人： D-H·韩;J·李;J-Y·常;J·彼得森;M·卡蓬 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及围绕衬底上的组件的辐射屏蔽件。本文描述的特定实施例提供了一种电子设备，该电子设备可以被配置成包括衬底、衬底上的辐射源、衬底上的接地件，其中该接地件被定位在辐射源周围，以及辐射源上方的热分散器，其中热分散器包括与衬底上的接地件接触的一个或多个接地耦合机构。与衬底上的接地件接触的一个或多个接地耦合机构创建辐射屏蔽件，该辐射屏蔽件至少部分地防止来自辐射源的辐射延伸超过衬底。
围绕衬底组件辐射屏蔽

[外观设计]电子设备外壳-CN201930071279.6有效
发明人： T·沃尔;J-Y·常 -专利权人：亚马逊技术股份有限公司
申请日： 2019-02-21 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： 14-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：电子设备外壳。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用作电子设备外壳。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5．指定基本设计：设计1。
外观设计电子设备外壳图片