“J·K·德伯罗斯”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]双电源轨共源共栅驱动器-CN201880033010.1有效
发明人：中村裕;J·K·德伯罗斯 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H03K19/018 文献下载
摘要：一种方法包括将第一电压施加到与第二p沟道FET串联连接的第一p沟道FET的源极，将低于第一电压的第二电压施加到与第四p沟道FET串联连接的第三p沟道FET的源极，将低于第一电压和第二电压的第三电压施加到与第一n沟道FET串联连接的第二n沟道FET的源极，第二p沟道FET、第四p沟道FET和第一n沟道FET的漏极在包括用于输出输出信号的输出端子的连接点处连接，以及基于输入到第一p沟道FET、第三p沟道FET、第四p沟道FET和第二n沟道FET的对应栅极的输入信号，从输出端子输出第一电压、第二电压和第三电压中的一个。
双电源轨共源共栅驱动器

[发明专利]三端自旋霍尔MRAM-CN201880048474.X在审
发明人： D·沃尔莱德格;J·K·德伯罗斯;J·Z·孙 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：提供了改进的自旋霍尔MRAM设计，其使得能够使用用于每个MTJ的单独的自旋霍尔线一起写入沿着给定字线的所有位。在一个方面，磁存储器单元包括：自旋霍尔线，其专用于磁存储器单元；MTJ，设置在自旋霍尔线上，其中MTJ包括通过隧道势垒与自由磁性层分离的固定磁性层；以及一对选择晶体管，其连接到自旋霍尔线的相对端。还提供了一种MRAM器件及其操作方法。
自旋霍尔 mram