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[发明专利]具有有着经调节的厚度以补偿管芯/衬底翘曲的内部I/O结构的半导体芯片封装-CN202211011160.7在审
发明人： O·厄兹坎;E·卡特根;S·卓;N·S·黑恩;J·韦霍恩斯基 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：描述了一种设备。该设备包括具有用以与半导体芯片耦接的焊盘和焊料球的I/O结构，其中，所述焊盘和焊料球中的在将该半导体芯片耦接至所述I/O结构期间接近该半导体芯片的第一子集的焊盘和/或焊料球比所述焊盘和焊料球中的在将该半导体芯片耦接至所述I/O结构期间从该半导体芯片移开的第二子集的焊盘和/或焊料球薄。
具有有着调节厚度补偿管芯衬底内部结构半导体芯片封装

[发明专利]可变形半导体装置连接-CN202210998101.7在审
发明人： O·厄兹坎;E·卡特根;S·卓;N·S·黑恩;J·韦霍恩斯基;段刚 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2022-08-19 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括第一板状元件，所述第一板状元件具有带有第一连接焊盘的第一基本上平面的连接表面；以及第二板状元件，所述第二板状元件具有带有对应于所述第一连接焊盘的第二连接焊盘的第二基本上平面的连接表面。该装置还可以包括电和物理耦接所述第一和第二板状元件并且布置于所述第一和第二连接焊盘之间的连接件。该连接件可以包括布置于第一连接焊盘上并且朝向第二连接焊盘延伸的变形细长元件，以及与第二连接焊盘和细长元件接触的焊料。
变形半导体装置连接