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[发明专利]用于车辆的紧急通用钥匙-CN202110183891.9在审
发明人： J·梅茨格 -专利权人：华晨宝马汽车有限公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G07C9/00 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于车辆的紧急通用钥匙(100)，包括：输入单元(110)；存储单元(120)；通信单元(130)；控制单元(101)，该控制单元被配置为：基于操作者(400)通过输入单元(110)输入的信息与存储在存储单元(120)中的相关操作者信息，确定操作者(400)是否为相关操作者，当操作者为相关操作者时，－使该紧急通用钥匙经由通信单元(130)与车辆(200)和后端(300)进行通信，－使操作者(400)经由输入单元(110)选择车辆功能级别，－向后端(300)请求对应于选择的车辆功能级别的令牌，－将从后端(300)接收到的令牌与由后端(300)发送给车辆(200)的令牌进行交换，从而使车辆(200)能够被操作者(400)对应于选择的车辆功能级别地进行操作。
用于车辆紧急通用钥匙

[发明专利]用于验证安全元件的方法和光学可变的安全元件-CN201480072986.1有效
发明人： A·席林;U·弗里泽尔;B·施米泽;W·R·汤普金;J·梅茨格;R·翁德拉切克;A·古格尔 -专利权人：雷恩哈德库兹基金两合公司;OVD基尼格拉姆股份公司;阿多赛斯有限责任两合公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： G07D7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于验证光学可变的安全元件(1)，特别是衍射的安全元件的方法，具有以下步骤：a)利用传感器(31)、特别是手持设备(3)、优选是智能手机、平板电脑或PDA的传感器拍摄图像序列，所述图像序列具有安全元件(1)的至少一个单幅图像；b)检查至少一个预先规定的光学信息是否存在于所述图像序列的至少一个单幅图像中。
用于验证安全元件方法光学可变

[发明专利]多层主体和用于产生多层主体的方法-CN201480010640.9有效
发明人： W·菲克斯;M·沃尔特;W·R·汤普金;A·希林;K·施米特;J·梅茨格 -专利权人：波利IC有限及两合公司;雷恩哈德库兹基金两合公司;OVD基尼格拉姆股份公司
申请日： 2014-02-26 - 公布日： 2018-04-27 - 主分类号： B42D15/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种多层主体，该多层主体包括支承载体和布置在该支承载体上的层，并以特定布置包括导电材料。该多层主体包括彼此电分隔的信息区域和背景区域(18)。每一信息区域都配备有包括导电材料的第一区(10)，并且第一区的导电材料以导电方式连接在整个第一区上方。每一背景区域都配备有包括导电材料的多个第二区，这些第二区彼此电分隔。每一第一区(10)优选地占据比第二区中的每一者大至少5倍的表面区域。导电材料优选地提供有平均表面覆盖，该平均表面覆盖在所有信息区域和背景区域(18)上变化小于25％。通过这种方式，多层主体的一致外观被提供，并且信息区域中依据第一区的形状、尺寸和/或对准来提供的信息在没有辅助的情况下是不可见的，并且因此无法被复制。
多层主体用于产生方法

[发明专利]用于生产包含添加剂和发泡剂的聚合物熔体的方法和装置-CN201410601576.3有效
发明人： J·梅茨格;F·莱希纳;S·舍恩菲尔德 -专利权人：科倍隆有限公司
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： B29B7/48 文献下载
摘要：本发明涉及用于生产包含添加剂和发泡剂的聚合物熔体的方法和装置。在用于生产包含添加剂和发泡剂的聚合物熔体(PAT)的方法和装置中，提供第一聚合物熔体(P1)和第二聚合物熔体(P2)。借助于螺旋式机器(8)，将至少一种添加剂(A)与第一聚合物熔体混合以获得包含添加剂的聚合物熔体(PA)。另外，借助于混合装置(41)将至少一种发泡剂(T)与第二聚合物熔体混合以获得包含发泡剂的聚合物熔体(PT)。包含发泡剂的聚合物熔体被添加到在螺旋式机器(8)中提供的包含添加剂的聚合物熔体(PA)中。借助于螺旋式机器(8)将包含发泡剂的聚合物熔体(PT)与包含添加剂的聚合物熔体(PA)混合以获得包含添加剂和发泡剂的聚合物熔体(PAT)。
用于生产包含添加剂发泡剂聚合物方法装置

[发明专利]具有铁电氧化铪的半导体装置及形成该半导体装置的方法-CN201510040666.4有效
发明人： J·穆勒;D·H·瑞尤赛;R·宾德尔;J·梅茨格;P·波兰斯基 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及具有铁电氧化铪的半导体装置及形成该半导体装置的方法，提供一种半导体装置，包括基板、形成在该基板之上的未掺杂的二氧化铪层、以及形成在该二氧化铪层上的氮化钛层。在本文中，该未掺杂的二氧化铪层至少是部分铁电性的。在用于形成半导体装置的例示性方法中，在半导体基板之上形成未掺杂的非晶二氧化铪层且在该未掺杂的非晶二氧化铪层上形成氮化钛层。实行热退火制程用以在该未掺杂的非晶二氧化铪层中至少部分造成铁电相。
具有氧化半导体装置形成方法