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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]形成半导体器件的方法-CN201910570722.3有效
发明人： I·瑞姆;R·马杜罗维 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明题为“形成半导体器件的方法”。在一个实施方案中，形成半导体器件的方法可包括使晶体管的栅极导体延伸以覆盖其中形成了所述晶体管的阱区的边界。所述栅极导体可延伸以与形成在所述阱区外部的第二晶体管的栅极导体进行电接触。可施加接触导体以电接触和物理接触所述第一栅极导体和所述第二栅极导体并且还覆盖所述阱区的所述边界。
形成半导体器件方法

[发明专利]半导体电容器装置和方法-CN202011381893.0在审
发明人： R·U·马杜罗维;I·瑞姆 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明题为“半导体电容器装置和方法”。像素的具体实施可包括：至少一个光电二极管，该至少一个光电二极管与浮动扩散部耦合；第一金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器，该第一MIM电容器包括第一电极和第二电极；和第二MIM电容器，该第二MIM电容器与该第一MIM电容器并联耦合，该第二MIM电容器包括第一电极和第二电极。该第一MIM电容器和该第二MIM电容器可与该浮动扩散部耦合。
半导体电容器装置方法

[实用新型]成像像素和具有成像像素阵列的图像传感器-CN201621380236.3有效
发明人： I·瑞姆;V·兰臣克夫;S·威利卡奥 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及成像像素和具有成像像素阵列的图像传感器。所述成像像素包括衬底；光电二极管，所述光电二极管形成于所述衬底上；导电层，所述导电层覆盖所述成像像素，使得入射光穿透所述导电层到达所述光电二极管；以及偏置电压供电线路，所述偏置电压供电线路耦接到所述导电层并且向所述导电层提供偏置电压。本实用新型解决的一个技术问题是提高像素对可见光和近红外光二者的感测。本实用新型实现的一个技术效果是提供具有深光电二极管以确保充分捕获可见光和近红外光二者的像素。
成像像素具有阵列图像传感器

[实用新型]成像电路与成像系统-CN201620482910.2有效
发明人： R·马杜罗维;I·瑞姆 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-05-25 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种成像电路与成像系统，所述成像系统可由多个堆叠式晶片形成。第一晶片可包括背照式光电二极管、浮动扩散区和电荷传输栅极结构。所述第一晶片可接合至第二晶片，所述第二晶片包括像素主干晶体管诸如复位晶体管、源极跟随器晶体管、行选择晶体管以及相关的逻辑电路。所述像素主干晶体管可使用底栅薄主体晶体管来形成。所述第一晶片和所述第二晶片可共用相同的后端金属化层。所述第二晶片还可接合至包括数字信号处理电路的第三晶片。所述数字信号处理电路也可使用底栅薄主体晶体管来实施。附加的金属化层可形成于所述第三晶片上方。所述第一晶片、所述第二晶片和所述第三晶片可使用相同或不同的技术节点来制造。
成像电路系统

[实用新型]用于集成电路的晶体管以及成像系统-CN201620467059.6有效
发明人： R·马杜罗维;H·索雷麦尼;I·瑞姆 -专利权人：半导体元件工业有限责任公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/72 文献下载
摘要：本实用新型涉及用于集成电路的晶体管以及成像系统。根据本公开的一个方面，所述晶体管包括：衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面；栅极导体，所述栅极导体在所述衬底的所述第一表面上方形成；以及栅极端子触点，所述栅极端子触点形成在所述衬底的所述第二表面上方。
用于集成电路晶体管以及成像系统

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