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[发明专利]表面活性添加剂和包含该表面活性添加剂的光刻胶组合物-CN201210243288.6有效
发明人： D·王;C·吴;刘骢;G·波勒斯;C-B·徐;G·G·巴克利 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2012-05-28 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： C08F220/18 文献下载
摘要：本发明涉及表面活性添加剂和包含该表面活性添加剂的光刻胶组合物。一种聚合物，包含单体聚合的产物，所述单体包括：含有式(Ia)、式(Ib)或式(Ia)和(Ib)组合的含氮单体，和具有式(II)的可酸去保护单体：其中：a是0或1；每个R^a独立的是H、F、C₁-C₁₀烷基或者C₁-C₁₀氟化烷基，L¹是直链或支链C₁-C₂₀亚烷基、或者单环、多环、或者稠合多环C₃-C₂₀亚环烷基，每个R^b独立的是H、C₁-C₁₀烷基、C₃-C₂₀环烷基、C₃-C₂₀杂环烷基、脂肪族C₅-C₂₀氧基羰基或者任选包括杂原子取代基的C₁-C₃₀酰基基团，其中每个R^b是独立的，或者至少一个R^b与相邻的R^b相连；LN是含氮的单环、多环、或者稠合多环C₃-C₂₀亚杂环烷基；X是H、C₁-C₁₀烷基、脂肪族C₅-C₂₀氧基羰基或任选包括杂原子取代基的C₁-C₃₀酰基基团；每个R^c独立的是C₁-C₁₀烷基、C₃-C₂₀环烷基、C₃-C₂₀杂环烷基，其中每个R^c是独立的或者至少一个R^c与相邻的R^c相连。
表面活性添加剂包含光刻组合

[发明专利]光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂-CN201010625286.4有效
发明人：李明琦;E·阿恰达;刘骢;J·玛蒂亚;C-B·徐;G·G·巴克利 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2011-10-26 - 主分类号： C07D333/46 文献下载
摘要：光酸发生剂和包含该光酸发生剂的光致抗蚀剂。本发明提供光酸发生剂化合物(“PAGs”)新的合成方法，新的光酸发生剂化合物以及包含这种PAG化合物的光致抗蚀剂组合物。一个特别的方面，提供含锍(S+)光酸发生剂以及锍类光酸发生剂的合成方法。提供了一种含锍化合物的制备方法，所述制备方法包括环合烷基硫代化合物。
发生包含光致抗蚀剂

[发明专利]平版印刷方法-CN201010253910.2有效
发明人： D·王;G·G·巴克利;T·A·埃斯戴尔;K·J·斯皮祖科;D·康 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2010-06-08 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：提供了新型平板处理方法，在浸没平版印刷体系中特别有用。一方面，本发明的处理方法包括：在基底上应用光致抗蚀剂组合物；将所述光致抗蚀剂层在辐射下曝光激活光致抗蚀剂组合物；除去部分但非全部曝光的光致抗蚀剂层；和将处理后的光致抗蚀剂层显影得到光致抗蚀起伏图象。
平版印刷方法

[发明专利]匀平剂化合物-CN200610141622.1有效
发明人： D·王;R·D·米克拉;G·G·巴克利 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：提供了用于金属镀浴的均化剂。包含这些均化剂的镀浴提供了具有相当平坦表面的金属沉积。可通过选择这些均化剂以选择性地在金属沉积中结合所需含量的杂质。
匀平剂化合物

[发明专利]匀涂剂化合物-CN200510087510.8有效
发明人： D·王;R·D·米克拉;C·吴;G·G·巴克利 -专利权人：罗门哈斯电子材料有限公司
申请日： 2005-07-20 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： C25D3/38 文献下载
摘要：提供了含有匀涂剂混合物的电镀液，该匀涂剂混合物包括拥有第一扩散系数的第一匀涂剂和拥有第二扩散系数的第二匀涂剂。该电镀液在各种电解质浓度下均能沉积基本平面的金属层，尤其是铜层。还公开了使用该电镀液沉积金属层的方法。这些电镀液和方法用于在有很小缝隙的基材上(例如电子器件)提供平的铜层。
匀涂剂化合物

[发明专利]聚合物和包含聚合物的光致抗蚀剂组合物-CN200410104834.3无效
发明人：郑东垣;G·G·巴克利 -专利权人：罗姆和哈斯电子材料有限责任公司
申请日： 2004-12-29 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及新的聚合物及其作为光致抗蚀剂组合物的树脂粘合剂组分的用途，特别是可有效地在短波长如小于200nm特别是193nm成像的化学放大的正性抗蚀剂。本发明优选的聚合物是可表现出与底层无机表面如SiON和Si₃N₄表面等的良好粘附性而且包含有杂原子取代的侧链部分的重复单元的三元共聚物和四元共聚物。
聚合物包含光致抗蚀剂组合

[发明专利]聚硅氧烷以及含有所述聚硅氧烷的光致抗蚀剂组合物的制备方法-CN03110543.2无效
发明人： G·G·巴克利;S·卡纳加萨巴帕森;M·A·京 -专利权人：希普利公司
申请日： 2003-03-05 - 公布日： 2004-09-08 - 主分类号： C08G77/06 文献下载
摘要：本发明涉及聚硅氧烷(硅倍半氧烷)和含有所述聚硅氧烷的光致抗蚀剂的新合成方法。本发明的合成方法包括使用具有多个反应性含氮基团的聚合模板试剂，特别是二胺试剂。
聚硅氧烷以及有所述聚硅氧烷光致抗蚀剂组合制备方法

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