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[发明专利]半导体管芯及其制造方法-CN202111150537.2在审
发明人： S·维塔诺夫;J·布汉达里;G·埃伦特劳特;C·拉纳赫尔 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开涉及半导体管芯及其制造方法。本申请涉及半导体管芯（1），所述半导体管芯（1）包括：在半导体本体（7）的有源区域（3）中形成的晶体管器件（2），具有沟道区（20）、栅极区（21）和场电极区（35），栅极区（21）横向布置在沟道区（20）旁边并且具有栅极电极（22）以控制沟道区（20）中的电流流动，栅极电极（22）形成在延伸到半导体本体（7）中的栅极沟槽（30）中；以及，附加器件（4），形成在半导体本体（7）的附加器件区域（5）中，其中，凹陷（50）在附加器件区域（5）中延伸到半导体本体（7）中，半导体材料（6）布置在凹陷（50）中，附加器件（4）形成在该半导体材料中。
半导体管芯及其制造方法

[发明专利]分段式边缘保护屏蔽件-CN201610339357.1有效
发明人： M·恩格尔哈特;G·埃伦特劳特;M·勒斯纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-05-19 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本申请涉及分段式边缘保护屏蔽件。分段式边缘保护屏蔽件用于等离子体切割晶圆。该分段式边缘保护屏蔽件包括外结构和多个等离子体屏蔽边缘区段。外结构限定被配置为与晶圆的圆周边缘对应的内环形边缘。多个等离子体屏蔽边缘区段中的每一个都通过内边缘和侧边缘来限定。内边缘在外结构的环形边缘内并与环形边缘同心。侧边缘在内边缘和环形边缘之间延伸。
段式边缘保护屏蔽

[发明专利]用于制造导电连接的方法-CN201010174244.3有效
发明人： A·伯纳;G·埃伦特劳特;T·奥伯恩休伯;U·塞德尔 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-11-03 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于在半导体衬底的第一表面和半导体衬底的第二表面之间制造导电连接的方法，所述方法包括：制造孔、形成包括钨的导电层、将所述导电层从所述半导体衬底的所述第一表面移除、用铜填充所述孔并且将所述半导体衬底减薄。制造从所述半导体衬底的所述第一表面到所述半导体衬底内的孔。将所述导电层从所述半导体衬底的所述第一表面移除，其中所述导电层至少以减小的厚度保留在所述孔中。从是所述半导体衬底的所述第一表面的相对面的表面开始将所述半导体衬底减薄，以获得具有所述孔的所述半导体衬底的第二表面，所述孔在所述半导体衬底的所述第二表面处不被覆盖。
用于制造导电连接方法