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[发明专利]具有软切换行为的绝缘栅半导体器件-CN201610966547.6有效
发明人： F-J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策;S.福斯;W.瓦格纳 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及具有软切换行为的绝缘栅半导体器件。公开的是半导体器件和用于产生其的方法。半导体器件包括：多个器件单元，每一个包括体区、源极区、以及邻近体区并通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅电极；以及导电栅极层，包括栅电极或者电连接到多个器件单元的栅电极。栅极层电连接到栅极导体，并且包括增加电阻区和降低电阻区中的至少一个。
具有切换行为绝缘半导体器件

[发明专利]功率半导体器件-CN201911282734.2在审
发明人： R.巴布尔斯克;M.耶利内克;F-J.尼德诺斯泰德;F.D.普菲尔施;C.P.桑多;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2019-12-13 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：功率半导体器件包括有前侧和背侧的半导体本体，其包括第一导电类型的漂移区；第一导电类型的场停止区，布置在漂移区和背侧间且有比漂移区更高掺杂剂浓度的掺杂剂，通过经由背侧的质子注入创建；和第一导电类型的发射极调整区，布置在场停止区和背侧间且有比场停止区更高掺杂剂浓度的掺杂剂。场停止区包括呈现第一局部最大值和第一局部最小值的掺杂剂浓度分布，第一局部最小值布置在第一局部最大值和场停止区的掺杂剂浓度分布的另一局部最大值间和/或第一局部最大值和发射极调整区的掺杂剂浓度分布的最大值间，第一局部最大值处的掺杂剂浓度高到第一局部最小值处的掺杂剂浓度的至多三倍，半导体本体是或包括有至少1E17 cm‑3的间隙氧浓度的半导体衬底。
功率半导体器件

[发明专利]用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法-CN201811570537.6在审
发明人： E.法尔克;F-J.尼德诺斯泰德;H-J.舒尔策 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：在构件区域（600）的与锯道区域（800）连接的边缘区域中构造沟道截断区域（191），其从第一主表面（701）出发延伸到第一导电类型的构件层（710）中。此后，在构件区域（600）中构造从第一主表面（701）出发延伸到构件层（710）中的经掺杂的区域（120）。沟道截断区域（191）通过在第一光刻法之前实施的光刻法来构造，所述第一光刻法用于将掺杂物引入在沟道截断区域（191）之外的构件区域（600）的区段中。
沟道截断区域构件区域光刻法构件层主表面第一导电类型半导体器件边缘区域掺杂的掺杂物延伸锯道引入制造

[发明专利]具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT-CN201811531736.6在审
发明人： A.毛德;T.金齐希;F-J.尼德诺斯泰德;C.P.桑多 -专利权人：英飞凌科技德累斯顿公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开了具有可完全耗尽的n沟道区和p沟道区的IGBT。一种功率半导体器件，具有耦合到第一和第二负载端子结构的半导体主体，所述半导体主体被配置成在器件的导通状态期间传导负载电流并且具有漂移区。所述功率半导体器件包括多个单元，每个单元具有：在第一单元部分中的第一台面，所述第一台面包括：第一端口区，以及第一沟道区，所述第一台面展现在横向方向上的小于100 nm的总延伸，以及在第二单元部分中的第二台面，所述第二台面包括：第二端口区，以及第二沟道区。沟槽结构包括被配置成通过反型或积聚来控制负载电流的控制电极结构。第二导电类型的引导区域位于第二沟道区以下并且从第一和第二沟道区移位。
台面沟道区功率半导体器件半导体主体端口区耗尽传导负载电流控制电极结构导电类型导通状态负载端子沟槽结构横向方向控制负载引导区域漂移区耦合到移位反型配置积聚延伸

[发明专利]制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法-CN201811443364.1在审
发明人： H-J.舒尔策;F-J.尼德诺斯泰德;O.J.施普尔伯;S.福斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：公开了制造包括第一场终止区带部分和第二场终止区带部分的半导体器件的方法。包括在半导体衬底上形成第一导电类型的第一场终止区带部分。在第一场终止区带部分上形成第一导电类型的漂移区带。漂移区带的平均掺杂浓度小于第一场终止区带部分的平均掺杂浓度的80%。在第一表面处处理半导体主体。通过从与第一表面相对的第二表面移除半导体衬底的材料来进行薄化。通过将处在一个或多个能量的质子通过第二表面注入到半导体主体中来形成第一导电类型的第二场终止区带部分。质子的最深的范围边界峰值按在从3μm到60μm的范围中的距漂移区带与第一场终止区带部分之间的过渡部的竖向距离设置于第一场终止区带部分中。通过热处理来对半导体主体进行退火。
终止区第一导电类型半导体主体漂移区半导体器件第二表面第一表面衬底质子半导体掺杂热处理退火范围边界距离设置过渡部薄化竖向移除制造