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[发明专利]用于多个纳米丝的用户友好且可靠的电生长的设备和方法-CN202280018520.8在审
发明人：奥拉夫·伯莱姆;F·达辛格;S·奎德努;F·鲁斯塔 -专利权人：纳米线有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在基片(3)上电生长多个纳米丝(2)的设备(1)，包括基片支座(4)和壳体(34)，在该壳体中布置有腔室(18)、控制单元(8)和电解质用储罐(35)，所述设备(1)被设计成当所述基片支座(4)连带所述基片(3)已被插入所述腔室(18)中时使所述多个纳米丝(2)从所述电解质生长到所述基片(3)上。
用于纳米用户友好可靠生长设备方法

[发明专利]纳米丝在基片上的电生长-CN202280018515.7在审
发明人：奥拉夫·伯莱姆;F·达辛格;S·奎德努;F·鲁斯塔 -专利权人：纳米线有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在基片(3)上电生长多个纳米丝(2)的设备(1)，包括基片支座(4)和用于基片支座(4)的容槽(5)，其中，该设备设计成当该基片支座(4)连带基片(3)已容置于容槽(5)中时在基片(3)上生长多个纳米丝(2)，所述基片支座(4)具有被设计为影响所述纳米丝(2)生长的电子装置(6)。
纳米基片上生长

[发明专利]纳米线的生长-CN202280017780.3在审
发明人：奥拉夫·伯莱姆;F·达辛格;S·奎德努;F·鲁斯塔 -专利权人：纳米线有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在基板(2)上电镀生长多个纳米线(1)的方法，其包括：a)将箔(3)放置到表面(2)上，所述箔(3)具有其中能够由电解质生长所述纳米线(1)的多个贯通孔(4)；b)将可渗透电解质的弹性元件(5)放置到所述箔(3)上，所述电解质通过所述弹性元件(5)与所述箔(3)接触；c)在第一生长时间段，电镀生长所述多个纳米线(1)；d)移除所述弹性元件(5)；以及e)在第二生长时间段，继续所述多个纳米线(1)的电镀生长。
纳米生长

[发明专利]晶片接合-CN202180050535.8在审
发明人： S·奎德努;F·鲁斯塔;F·达辛格;奥拉夫·伯莱姆 -专利权人：纳米线有限公司
申请日： 2021-06-02 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种将第一晶片元件(1)连接至第二晶片元件(2)的方法，其中，第一晶片元件(1)包括多个第一器件区(3)，所述多个第一器件区具有各自的电子结构(5)和各自的接触垫(6)，其中，第二晶片元件(2)包括多个第二器件区(4)，所述多个第二器件区具有各自的电子结构(5)和各自的接触垫(6)，其中，晶片元件(1、2)通过两个晶片元件(1、2)的接触垫(6)彼此连接，两个晶片元件(1、2)的接触垫(6)经由多个纳米线(7)彼此成对地连接起来。
晶片接合

[发明专利]纳米线的电镀生长-CN202180021643.2在审
发明人：奥拉夫·伯莱姆;F·达辛格;S·奎德努;F·鲁斯塔 -专利权人：纳米线有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种在表面(15)上提供多个纳米线(14)的方法，其包括：a)提供电解质分配器(1)；b)提供具有多个连续孔洞(17)的箔(16)；c)将该箔(16)设置于该表面(15)和该电解质分配器(1)的出口侧(4)之间；d)将液体电解质引入到该电解质分配器(1)中，使得该液体电解质在该电解质分配器(1)的出口侧(4)沉积到该箔(16)上；和e)在该液体电解质和该表面(15)之间施加电压，使得该纳米线(14)在该箔(16)的孔洞(17)中，由该液体电解质生长到该表面(15)上。
纳米电镀生长

[发明专利]多金属的钩圈式焊接-CN202180021771.7在审
发明人：奥拉夫·伯莱姆;F·达辛格;S·奎德努;F·鲁斯塔 -专利权人：纳米线有限公司
申请日： 2021-03-08 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种用于将第一部件(2)连接至第二部件(3)的连接件(6)，在连接件(6)的第一侧(10)上的第一连接面(7)上和在该连接件(6)的与第一侧(10)相对的第二侧(11)上的第二连接面(8)上具有各自多个纳米丝(1)，在第一连接面(7)上的纳米丝(1)和在第二连接面(8)上的纳米丝(1)由不同的材料形成。一种用于将第一部件(2)连接至第二部件(3)的方法，包括：a)提供连接件(6)，b)将第一部件(2)的接触面(4)与该连接件(6)的第一连接面(7)聚在一起，并且c)将第二部件(3)的接触面(5)与该连接件(6)的第二连接面(8)聚在一起。所述第一连接面(7)上的纳米线(1)可以由金属制成和/或第二连接面(8)上的纳米线(1)可以由金属制成。第一连接面(7)上的纳米线(1)可以由第一部件(2)的接触面(4)的材料和/或第二连接面(8)上的纳米线(1)可以由第二部件(3)的接触面(5)的材料制成。第一部件(2)可以是电路板，第一部件(2)的接触面(4)由铜制成。第二部件(3)可以是电子元件，第二部件(3)的接触面(5)由银、镍和/或金制成。第一部件(2)和第二部件(3)可以是相互上下叠置紧固的半导体部件。还可以将诸如传感器的部件(作为第一部件(2))附接到壁或底座(作为第二部件(3))。该方法还可以包括步骤d)将至少接触面(4、5)加热到至少90℃的温度。该加热可以在根据步骤b)和c)形成连接之后进行，或者替代地，步骤b)和c)和步骤d)可以至少部分同时进行。连接件(6)可以是箔式连接件。
金属钩圈式焊接

[发明专利]提供多个纳米线的装置和方法-CN201880023895.7在审
发明人： O·比勒姆;H·F·施拉克;S·克德诺;F·罗塞泰;F·达辛格;K·威克 -专利权人：耐诺维尔德有限公司;O·比勒姆
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： B82Y40/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于提供多个纳米线(2)的方法，所述方法至少包括以下方法步骤：a)将薄膜(5)放置在表面(3)上，其中所述薄膜(5)具有所述纳米线(2)可以在其中生长的多个贯穿孔(8)，b)将提供电解质的介质(6)放置到薄膜(5)上，以及c)从电解质中流电生长多个纳米线(2)。
纳米线薄膜电解质电生长贯穿孔生长

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