“F·希伯特”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]背对背堆叠芯片-CN201910372401.2在审
发明人： F·希伯特;S·R·里韦特;M·艾尔萨;P·奥克兰德 -专利权人：英特赛尔美国有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2019-09-06 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本公开涉及背对背堆叠芯片。本文公开的实施方案提供一种电路，所述电路包括具有有源侧和背侧的第一芯片，其中所述第一芯片是以倒装晶片方式安装到载体。所述电路也包括堆叠在所述第一芯片的所述背侧上的第二芯片，其中所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上，使得所述第二芯片的背侧面向所述第一芯片的所述背侧，并且所述第二芯片的有源侧背对所述第一芯片。
芯片电路堆叠芯片背对背倒装晶片芯片堆叠堆叠源侧侧面

[发明专利]包括晶片级无机电介质和有机滤色器的混合的光学传感器器件-CN201210266127.9无效
发明人： M·I-S·孙;F·希伯特;K·C·戴尔;E·S·李 -专利权人：英特赛尔美国有限公司
申请日： 2012-07-30 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本文中描述了单片光学传感器器件和用于制造这些器件的方法。在实施例中，一种半导体晶片衬底包括多个光电检测器（PD）区域。晶片级无机电介质滤光器被沉积并由此形成在多个PD区域的至少子集上。一个或多个晶片级有机滤色器被沉积并由此形成在位于选定PD区域之上的晶片级无机电介质滤光器的一个或多个选定部分上。例如，有机红过滤器、有机绿过滤器以及有机蓝过滤器可分别位于处在第一、第二和第三PD区域之上的晶片级无机电介质滤光器的部分之上。
包括晶片无机电介质有机滤色器混合光学传感器器件

[发明专利]用于介电光学涂层的增强剥离技术和利用该技术制造的光传感器-CN201210260471.7无效
发明人： E·S·李;M·I-S·孙;F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国有限公司
申请日： 2012-07-25 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本文中描述了包括用于对光传感器的光谱响应进行整形的介电光学涂层的光传感器，以及用于以加速剥离工艺和提高工艺极限的方式来制造此类光传感器的方法。在某些实施例中，执行短持续时间的软烤。替代地或附加地，执行温度循环。替代地或附加地，使用包括一个或多个虚设转角、虚设岛和/或虚设环的光掩模来执行光刻。上述实施例中的每一个在未覆盖光电检测器传感器区域的介电光学涂层中形成多个微裂缝和/或增加多个微裂缝，从而实现加速的剥离工艺和提高的工艺极限。替代地或附加地，光掩模的一部分可包括切边的转角，使得介电光学涂层包括切边的转角，这些切边的转角提高介电光学涂层的热可靠性。
用于光学涂层增强剥离技术利用制造传感器

[发明专利]背对背堆叠芯片-CN201210202024.6在审
发明人： F·希伯特;S·R·里韦特;M·艾尔萨;P·奥克兰德 -专利权人：英特赛尔美国有限公司
申请日： 2012-06-06 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本文公开的实施方案提供一种电路，所述电路包括具有有源侧和背侧的第一芯片，其中所述第一芯片是以倒装晶片方式安装到载体。所述电路也包括堆叠在所述第一芯片的所述背侧上的第二芯片，其中所述第二芯片堆叠在所述第一芯片上，使得所述第二芯片的背侧面向所述第一芯片的所述背侧，并且所述第二芯片的有源侧背对所述第一芯片。
背对背堆叠芯片

[发明专利]用于促进剥离工艺的系统及方法-CN201210134091.9无效
发明人： I-S·孙;R·C·杰罗姆;F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2012-04-28 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供了用于促进剥离工艺的系统及方法。在一个实施方案中，一种用于在衬底上对薄膜进行图案布置的方法包括：将光致抗蚀剂材料的第一牺牲层沉积在衬底上，以使得所述衬底的一个或多个区域穿过所述第一牺牲层暴露；将保护层沉积在所述第一牺牲层上的至少部分之上；将所述第一牺牲层部分地除去以在所述保护层与所述衬底之间形成至少一个间隙；将光学镀膜沉积在所述保护层和穿过所述第一牺牲层暴露的所述衬底的所述一个或多个区域之上，其中沉积在所述保护层之上的所述光学镀膜由所述至少一个间隙与沉积在穿过所述第一牺牲层暴露的所述衬底的所述区域之上的所述光学镀膜分隔开；以及将所述第一牺牲层除去。
用于促进剥离工艺系统方法

[发明专利]用于在处理晶片中形成隔离装置的系统及方法-CN201210050825.5无效
发明人： I-S·孙;R·C·杰罗姆;F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种用于活性硅通孔集成的方法。所述方法包括在处理晶片中形成电气装置。所述方法还包括在处理晶片及电气装置上形成隔离层，以及将有源层结合至隔离层。此外，所述方法包括形成通过有源层及隔离层的至少一个沟道以暴露处理晶片的部分，以及在至少一个沟道中沉积导电材料，该导电材料通过有源层提供对电气装置的电气连接。
用于处理晶片形成隔离装置系统方法

[发明专利]用于高效功率转换器的单片集成电容器-CN201210058657.4无效
发明人： F·希伯特;S·J·高尔;S·佩崔赛克 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2012-02-29 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：提供了一种具有集成电容器的诸如功率转换器之类的半导体结构，其包括：半导体基板、半导体基板上方第一位置处的高侧输出功率器件、以及半导体基板上方与第一位置邻接的第二位置处的低侧输出功率器件。第一金属层位于高侧输出功率器件上方并且电耦接至高侧输出功率器件，第二金属层位于低侧输出功率器件上方并且电耦接至低侧输出功率器件。介电层位于第一金属层的一部分以及第二金属层的一部分上方，顶部金属层位于介电层上方。集成电容器包括：包括第一金属层的该部分的第一底部电极、包括第二金属层的该部分的第二底部电极、第一及第二金属层的所述部分上方的介电层、以及包括介电层上方的顶部金属层的顶部电极。
用于高效功率转换器单片集成电容器

[发明专利]芯片层叠和3-D电路的热传导-CN201210026381.1无效
发明人： S·J·高尔;F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2010-08-05 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明涉及一种芯片层叠和3-D电路的热传导。一种半导体器件组件和方法可包括单个半导体层或层叠半导体层，例如半导体晶片或晶片部分(半导体管芯)。在每个半导体层上，穿过其中形成的金刚石层可有助于热的传送和消散。金刚石层可包括半导体层的后部上的第一部分和垂直延伸到半导体层内——例如，完全穿过半导体层——的一个或多个第二部分。然后可形成至金刚石层的热触点以使热传导而离开一个或多个半导体层。可穿过金刚石层形成导电通孔，以提供信号传送和散热能力。
芯片层叠电路热传导

[发明专利]具有集成电容器的高效功率转换器-CN201110337738.3无效
发明人： F·希伯特;S·佩崔赛克;N·V·凯尔卡 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：提供了一种功率转换器装置，其包括基板、安装在所述基板上的功率晶片以及以叠置构造安装在功率晶片上方的电容器晶片。电容器晶片与功率晶片电耦合。封装材料用于封装功率晶片和电容器晶片。集成电路晶片也能够安装到基板上并且与功率晶片电耦合以接收来自功率晶片的功率信号，封装材料也封装集成电路晶片。
具有集成电容器高效功率转换器

[发明专利]具有合并的场板和保护环的肖特基二极管-CN201110138222.6无效
发明人： F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供了一种肖特基二极管，包括限定了肖特基接触区域的合并的保护环和场板。肖特基金属至少部分地形成在肖特基接触区域之上以及至少部分地形成在合并的保护环和场板之上。
具有合并保护环肖特基二极管

[发明专利]带有集成保护器的GaN基功率器件：结构和方法-CN201110108035.3无效
发明人： F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件，例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中，有源器件可以形成在基板之上，而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外，例如在有源区的下方和/或基板内。将箝位结构集成在功率器件的有源区之外可以使给定芯片尺寸的有源面积最大化并提高箝位器件的稳定性，因为电流会通过这种集成而分布于基板中。
带有集成保护 gan 功率器件结构方法

[发明专利]带有集成保护器的GaN基功率器件：结构和方法-CN201110108025.X无效
发明人： F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-04-22 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明实施例提供带有集成箝位结构的功率器件的结构和方法。箝位结构的集成可以保护功率器件，例如免于电过应力(EOS)。在一个实施例中，有源器件可以形成在基板之上，而箝位结构可以集成在功率器件的有源区之外，例如在有源区的下方和/或基板内。将箝位结构集成在功率器件的有源区之外可以使给定芯片尺寸的有源面积最大化并提高箝位器件的稳定性，因为电流会通过这种集成而分布于基板中。
带有集成保护 gan 功率器件结构方法

[发明专利]氮化镓与硅器件和电路的单片集成、结构和方法-CN201110037228.4无效
发明人： F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：用于包括硅器件层和氮化镓(GaN)器件层的半导体器件的结构和方法。在实施方案中，硅器件层和GaN器件层具有彼此共平面的上表面。在另一实施方案中，GaN器件层并不直接位于硅器件层下面，和硅器件层并不直接位于GaN器件层下面。半导体器件还可包括在硅器件层上和/或内形成的硅基半导体器件，和在GaN器件层上和/或内形成的氮化物基半导体器件。GaN器件层可包括多个层，所述多个层可形成为共形遮盖层和然后平坦化，或者可选择性地形成然后平坦化。
氮化器件电路单片集成结构方法

[发明专利]电压转换器及包括电压转换器的系统-CN201010573584.3有效
发明人： D·A·格德哈;F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2010-11-22 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：电压转换器包括具有可在单个管芯(即“功率管芯”)上形成且通过半导体衬底彼此连接的高侧器件和低侧器件的输出电路。高侧器件和低侧器件两者都可包括横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。因为两个输出晶体管包括相同类型的晶体管，该两个器件可同步形成，从而比其他电压转换器设计减少光刻掩模的数量。该电压转换器可进一步包括在不同管芯上的控制器电路，其可以与功率管芯电耦合以及共同封装。
电压转换器包括系统

[发明专利]用于半导体器件和系统的电流传感器-CN201010624710.3无效
发明人： D·A·格德哈;F·希伯特 -专利权人：英特赛尔美国股份有限公司
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种可以被用于测量流经直流(DC)到直流转换器或其他器件的半导体基底的电流的电流传感器。电流传感器可以提供在DC到DC转换器的操作期间的连续测量。在一个实施方式中，第一电流传感器可以被用于测量通过高侧晶体管的电流，并且第二电流传感器可以被用于测量通过低侧晶体管的电流。在另一实施方式中，无论高侧晶体管是开启还是关闭、低侧晶体管是开启还是关闭，或者在高侧晶体管或低侧晶体管的转换期间，单个电流传感器可以被用于测量通过半导体基底的电流。
用于半导体器件系统电流传感器

1
2
下一页»
尾页
共 25 条