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- [发明专利]位移检测电路及其方法-CN202211704642.0在审
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J·萨比;L·皮耶罗邦
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EM微电子马林有限公司
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2022-12-29
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2023-06-30
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G06F3/03
- 本发明涉及位移检测电路及其方法。本发明涉及位移检测电路(100),其被配置为实施用于具有至少一个像素阵列(190)的定点装置(199)的位移检测方法(500)。所述位移检测电路(100)包括至少一个主计算器(110)、至少一个辅计算器(111、112、113)、至少一个比较器(130)和至少一个运动检测器(150)。所述至少一个主计算器(110)被配置为计算与所述至少一个像素阵列(190)的平均值相对应的至少一个主平均值(210),将所述至少一个主平均值(210)与所述至少一个辅计算器(111、112、113)的至少一个辅平均值(211、212、213)进行比较。根据比较的结果,所述至少一个运动检测器(150)指示定点装置(199)的位移的至少一个方向(250)。
- 位移检测电路及其方法
- [发明专利]采用两个晶体管的双向开关的控制系统-CN00124095.1无效
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M·布吕哈特;S·特里拉特
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EM微电子马林有限公司
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2000-08-21
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2001-02-28
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H03K17/687
- 一种由反向串联亦即源极接源极或漏极接漏极的一对MOSFET功率晶体管(210,220)形成的双向开关(20)的控制系统包括控制装置(50),它使功率晶体管(210,220)的导通状态得以控制,功率晶体管中的一个或另一个能够设置的“OFF”状态,以便中断流过开关(20)的电流(ICHG,IDISCHG)。控制系统包括耦合装置(SWCPL,510),当开关(20)切换到接通时,它使处于“ON”状态的功率晶体管的栅极(211;221)至少能够临时地与处于“OFF”状态的功率晶体管的栅极(221,211)连接。
- 采用两个晶体管双向开关控制系统
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