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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]两位磁阻随机存取存储器器件架构-CN202280011282.8在审
发明人： A·杜塔;E·R·埃瓦茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件，包括选择性地连接到第一位线的第一单元和选择性地连接到第二位线的第二单元。该MRAM器件进一步包括连接到第一单元且连接到第二单元的共享晶体管。该MRAM器件进一步包括第一选择器器件和第二选择器器件。第一选择器器件被配置为当施加至第一选择器器件的电压大于阈值激活电压时允许电流流过第一单元至共享晶体管。第二选择器器件被配置为当施加至第二选择器器件的电压大于阈值激活电压时允许电流流过第二单元至共享晶体管。该MRAM单元进一步包括连接到共享晶体管的栅极的字线。
磁阻随机存取存储器器件架构

[发明专利]包含磁性顶部触点的MRAM-CN202280011619.5在审
发明人： M·里佐洛;S·扎雷;V·V·梅塔;E·R·埃瓦茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：披露了一种磁性随机存取存储器(MRAM)结构，该MRAM结构包含磁性衬垫(160)，该磁性衬垫包含铁磁性材料，其位于磁性隧道结(MTJ)堆叠(140)与顶部触点(180)之间或可选金属硬掩模(150)之上。这使得磁性衬垫用作自变量以平衡MTJ堆叠中的磁参数以在MTJ层处实现零磁场。扩散阻挡衬垫(170)可能位于顶部触点(180)和磁性衬垫(160)之间。同样披露了对应的制造方法。
包含磁性顶部触点 mram

[发明专利]一种MRAM的外部磁底触点结构-CN202180077864.1在审
发明人： S·扎雷;M·里佐洛;V·V·梅塔;E·R·埃瓦茨;T·斯坦达尔特 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H10N50/80 文献下载
摘要：一种装置，包括：磁性隧道结(MTJ)；扩散势垒，其中，所述MTJ位于所述扩散势垒上；以及底部触点，所述底部触点包括磁场生成部件，其中，所述扩散势垒位于所述底部触点的顶部，其中，由所述磁场生成部件所生成的磁场影响所述MTJ的稳定性。
一种 mram 外部触点结构

[发明专利]二位磁阻随机存取存储器单元-CN202180076101.5在审
发明人： K·约詹德拉;E·R·埃瓦茨 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。MRAM单元包括第一重金属层和耦合到第一重金属层的第一磁隧道结(MTJ)。第一MTJ具有第一面积。MRAM单元还包括第二MTJ。第二MTJ与第一MTJ串联连接，并且第二MTJ具有与第一面积不同的第二面积。第二MTJ与第一MTJ共享参考层。MRAM单元还包括耦合到第二MTJ的第二重金属层。
磁阻随机存取存储器单元

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