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[发明专利]用于优化光刻工艺的方法和装置-CN202210953036.6在审
发明人： M·豪普特曼;E·C·莫斯;寇伟田;A·伊普玛;M·库珀斯;刘贤优;韩敏燮 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
用于优化光刻工艺方法装置

[发明专利]用于优化光刻工艺的方法和装置-CN201880027615.X有效
发明人： M·豪普特曼;E·C·莫斯;寇伟田;A·伊普玛;M·库珀斯;刘贤优;韩敏燮 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：对由多个衬底组成的半导体衬底集合执行光刻工艺。作为工艺的一部分，衬底集合被划分为多个子集。该划分可以基于与衬底上的第一层相关联的特性集合。然后，针对衬底集合的至少一个衬底确定性能参数的指印。在一些情况下，针对每个衬底子集中的每个衬底确定指印。指印与至少第一层相关联。然后导出与后续层的施加相关联的性能参数的校正，该校正基于所确定的指印以及衬底集合的划分。
用于优化光刻工艺方法装置

[发明专利]器件制造方法-CN201880027060.9有效
发明人： H·J·G·西蒙斯;E·C·莫斯;魏秀虹;R·马赫穆迪·巴拉姆;H·亚古毕扎德;张祎晨 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种器件制造方法包括：使用光刻设备将第一衬底曝光，以形成包括第一特征的图案化层；对第一衬底进行处理，以将第一特征转移到第一衬底中；确定第一特征在第一衬底中与其标称位置的位移；确定校正，以至少部分地补偿位移；以及使用光刻设备将第二衬底曝光，以形成包括第一特征的图案化层；其中在将第二衬底曝光期间应用校正。
器件制造方法

[发明专利]用于检查和量测的方法和设备-CN201910250499.4有效
发明人： E·C·莫斯;V·A·伊格纳托瓦;E·詹森;M·库比斯;H·J·G·西蒙斯;P·滕伯格;E·J·M·沃勒博斯;J·S·维尔登贝尔格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法，包括：根据横跨衬底的测量数据，相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数，对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价；以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个或多个测量采样方案。
用于检查方法设备

[发明专利]用于检查和量测的方法和设备-CN201680020996.X在审
发明人： E·C·莫斯;V·A·伊格纳托瓦;E·詹森;M·库比斯;H·J·G·西蒙斯;P·滕伯格;E·J·M·沃勒博斯;J·S·维尔登贝尔格 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种方法，包括根据横跨衬底的测量数据，相对于表示拟合测得数据的数学模型的剩余不确定性的参数，对用于拟合测得数据的一个或多个数学模型和用于对数据进行测量的一个或多个测量采样方案进行评价；以及标识参数越过阈值的一个或多个数学模型和/或一个或多个测量采样方案。
用于检查方法设备

[发明专利]工艺、设备和器件-CN200780050777.7有效
发明人： E·C·莫斯;M·范德斯卡;H·J·G·西门斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-12-03 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光刻设备，其包括构造成调节辐射束的照射系统、用于图案形成装置的支撑结构、用于衬底的衬底台、投影系统和控制系统。图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束以形成图案化的辐射束。投影系统构造成将图案化的辐射束作为图像沿扫描路径投射到衬底的目标部分上。扫描路径由光刻设备的曝光场的扫描方向上的轨迹限定。控制系统耦合到支撑结构、衬底台和投影系统上用于分别控制支撑结构、衬底台和投影系统的动作。控制系统构造成通过在沿扫描路径的区域中临时的图像调节来校正该区域内的图像的局部变形。
工艺设备器件

[发明专利]光刻设备和装置制造方法-CN200710096840.2有效
发明人： R·沃克曼;E·C·莫斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2007-04-03 - 公布日： 2007-10-24 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及光刻设备和装置制造方法。在使衬底曝光之前，利用基于先前批中的衬底上的对准标记的对准偏移测量和重叠目标的重叠测量而计算的偏移校正和工艺校正实施对衬底的未对准的校正。
光刻设备装置制造方法

[发明专利]器件制造方法和计算机程序产品-CN200610169099.3无效
发明人： L·H·M·韦尔斯塔彭;E·C·莫斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2006-12-20 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在以减小间距印刷特征的双曝光处理中，测量在第一曝光中印刷的特征的临界尺寸，并用作第二曝光的目标。
器件制造方法计算机程序产品

[发明专利]光刻装置和器件制造方法-CN200610136219.X有效
发明人： A·J·登博夫;E·C·莫斯;M·范德沙尔 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2007-04-04 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：公开光刻装置、器件制造方法，在器件制造过程中，投射光束通过掩模投射到基底上。利用基底上的对准结构将基底与掩模对准。利用对准结构反射光的特性来确定基底的相对位置。先前对基底的处理可能引起根据反射光确定的位置中的误差。对反射光特性的测量用于确定对加工基底引起的误差进行校正所需的校正量。对准结构的物理模型的参数优选根据反射光进行估计并用于确定校正。优选地，测量多个不同衍射峰值的振幅来确定校正。
光刻装置器件制造方法

[发明专利]选择栅格模型以修正工艺配方的方法及其光刻组件-CN200610135759.6有效
发明人： H·J·G·西蒙斯;H·J·L·默根斯;E·C·莫斯;L·H·M·弗斯塔彭;R·沃克曼;H·J·M·弗霍份 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2006-07-11 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种选择栅格模型以在光刻设备中针对栅格变形来修正工艺配方的方法。首先，提供一组栅格模型。随后，通过对多个衬底上的多个对准标记执行对准测量来获得对准数据。对于每个栅格模型，检查对准数据是否适于求解该栅格模型。如果是的话，则栅格模型被添加到栅格模型的子组中。选择具有最低余量的栅格模型。除了对准数据之外，通过对多个衬底上的多个套刻标记执行套刻测量来获得计量数据。然后，针对该子组中的每个栅格模型可以确定所模拟的计量数据，该所模拟的计量数据被用于确定套刻性能指标。然后，利用套刻性能指标来选择栅格模型。
选择栅格模型修正工艺配方方法及其光刻组件

[发明专利]器件检验-CN03164841.X有效
发明人： A·J·德博伊夫;F·博内布罗伊克;H·A·J·克拉梅;M·杜沙;R·J·F·范哈伦;A·G·M·基尔斯;J·L·克鲁泽;M·范德沙尔;P·J·范维南;E·C·莫斯;P·W·H·贾格;H·范德拉安;P·F·利尔曼恩 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： G01B11/02 文献下载
摘要：一种器件检验的方法，该方法包括在器件上提供一个被检验的不对称标记，标记的不对称形式由要检验的参数决定，引导光至标记，通过检测特定波长的衍射光或衍射角，获得标记的第一位置测量，通过检测不同波长的衍射光或衍射角，获得标记的第二位置测量，比较第一与第二所测量位置以确定表示标记不对称程度的位移。
器件检验

[发明专利]光刻标记结构、光刻投射装置和进行基片对准的方法-CN03164840.1有效
发明人： R·J·F·范哈伦;P·C·欣南;S·拉巴哈多尔辛;E·C·莫斯;H·梅亘斯;M·范德沙尔;J·休布雷格塞 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：在基底上用于所述基底光学对准的标记结构，所述标记结构包括多个第一结构元件和多个第二结构元件，在使用所述标记结构中，用于提供所述的光学对准，根据设置直接照射在所述标记结构上的至少一个光束，用传感器检测从所述标记结构上接收到的光线，由所述被检测的光确定对准信息，所述对准信息包括与所述基底到所述传感器的位置相关的信息。
光刻标记结构投射装置进行对准方法

[发明专利]光刻装置、器件制造方法和由此制造得到器件-CN200310121697.X有效
发明人： A·J·登博夫;E·C·莫斯;P·梅杰斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2003-12-15 - 公布日： 2004-07-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：在器件制造过程中，投射光束通过掩模投射到基底上。利用基底上的对准结构将基底与掩模对准。利用对准结构反射光的特性来确定基底的相对位置。先前对基底的处理可能引起根据反射光确定的位置中的误差。对反射光特性的测量用于确定对加工基底引起的误差进行校正所需的校正量。对准结构的物理模型的参数优选根据反射光进行估计并用于确定校正。优选地，测量多个不同衍射峰值的振幅来确定校正。
光刻装置器件制造方法由此得到

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