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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体组件以及制造方法-CN200910206803.1有效
  • P·A·伯克;D·B·巴伯;B·普拉蒂 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2009-10-21 - 2010-06-16 - H01L21/336
  • 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在器件沟槽的邻近它们的基底的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。
  • 半导体组件以及制造方法
  • [发明专利]半导体组件以及制造方法-CN200910206802.7无效
  • P·A·伯克;D·B·巴伯;B·普拉蒂 - 半导体元件工业有限责任公司
  • 2009-10-21 - 2010-06-16 - H01L21/336
  • 包括栅电极和屏蔽电极的半导体组件以及制造该半导体组件的方法。半导体材料具有器件区、栅极接触区、终止区和漏极接触区。在器件区中形成一个或多个器件沟槽并且在边缘终止区中形成一个或多个终止沟槽。在邻近它们的基底的器件沟槽的部分中形成屏蔽电极。在器件区中的沟槽的侧壁上形成栅极电介质材料，并且将栅电极形成在屏蔽电极之上并且与其电隔离。在器件区中的沟槽中的栅电极连接到在栅极接触区中的沟槽中的栅电极。在器件区中的沟槽中的屏蔽电极连接到在终止区中的屏蔽电极。
  • 半导体组件以及制造方法
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