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[发明专利]逻辑单元放置的方法、电子设备和计算机可读存储介质-CN201780036875.9有效
发明人： B·J·鲍尔斯;A·小科雷亚莱;T·德拉·罗瓦 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/00 文献下载
摘要：系统和方法涉及用于改进晶体管的扩散长度的单元放置方法。举例来说，在晶体管等级布局中识别具有由第一扩散切口限界的第一扩散节点的第一晶体管。用第一浮动栅极来代替所述第一扩散切口，且添加具有第一填充剂扩散区的第一填充剂单元来延伸所述第一扩散节点的扩散长度。增加所述扩散长度引起改进所述第一晶体管的驱动强度和性能。
逻辑单元放置方法电子设备计算机可读存储介质

[发明专利]连续扩散可配置标准单元架构-CN201680006551.6有效
发明人： S·萨胡;J·L·帕克特;O·翁;W·J·古多尔三世;B·J·鲍尔斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-01-13 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：具有连续有源区域的至少一个可配置电路单元包括至少一个中央子单元、第一侧子单元和第二侧子单元。每个中央子单元包括第一和第二pMOS晶体管，以及第一和第二nMOS晶体管。该第一pMOS晶体管具有第一pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第二pMOS晶体管具有第二pMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二pMOS晶体管源极被耦合到第一电压源。该第一pMOS晶体管漏极和该第二pMOS晶体管漏极是同一漏极。该第一nMOS晶体管具有第一nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第一nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第二nMOS晶体管具有第二nMOS晶体管栅极、源极和漏极。该第二nMOS晶体管源极被耦合到第二电压源。该第一nMOS晶体管漏极和该第二nMOS晶体管漏极是同一漏极。
连续扩散配置标准单元架构

[发明专利]用于扩散桥接单元库的方法及设备-CN201480033068.8有效
发明人： B·J·鲍尔斯;J·W·海沃德;C·戈帕尔;G·C·布尔达;R·J·布茨基;C·H·甘;G·纳拉帕蒂;M·D·杨布拉德;W·R·弗莱德巴赫 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-06-17 - 公布日： 2018-01-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明揭示用于设计集成电路的单元的库，所述库包括连续扩散可相容CDC单元。CDC单元包含p掺杂扩散区，其电连接到供应轨且从所述CDC单元的左边缘到右边缘是连续的；第一多晶硅栅极，其安置在所述p掺杂扩散区上方且电连接到所述p掺杂扩散区；n掺杂扩散区，其电连接到接地轨且从所述左边缘到所述右边缘是连续的；第二多晶硅栅极，其安置在所述n掺杂扩散区上方且电连接到所述n掺杂扩散区；左浮动多晶硅栅极，其安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述左边缘；及右浮动多晶硅栅极，且安置在所述p掺杂及n掺杂扩散区上且接近所述右边缘。
用于扩散单元方法设备