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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于车载电网的传感器-CN202180058318.3在审
发明人： J·马里恩;B·泽尔;A·莱佩尔;F·勒博;A·瓦斯曼;M·莱尔;D·韦尔费尔;E·布勒克曼;C·魏斯;M·格林 -专利权人：伊莎贝尔努特·霍伊斯勒两合公司;本德尔有限责任两合公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： G01R31/52 文献下载
摘要：本发明涉及一种传感器(S)，特别用于电驱动车辆、特别是电动汽车的电气网络。根据本发明的传感器首先包括用于电气网络中的电流测量和/或电压测量的测量装置(ME)，其特别是具有用于根据四线技术进行电流测量的低电阻电流感测电阻器。此外，根据本发明的传感器(S)包括集成的绝缘监测装置(ME、IQ、Rk、S3)，用于监测电气网络的高侧和/或低侧的电绝缘。根据本发明的传感器(S)的特征在于，所述绝缘监测装置(ME、IQ、Rk、S3)能够主动地操作并将测量脉冲施加到所述电气网络中以进行绝缘监测。
用于车载电网传感器

[发明专利]电流测量电阻器及相关的制造方法-CN201880097195.2在审
发明人： B·泽尔;J·马里恩;F·伯恩哈特;S·赫布;M·波尔曼;A·瓦斯曼 -专利权人：伊莎贝尔努特·霍伊斯勒两合公司
申请日： 2018-09-04 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： G01R1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于测量电流、尤其在高压网络中在kA范围内的电流的电流测量电阻器(1)。根据本发明的电流测量电阻器(1)包括分别用于引入和引出电流的两个连接部件(2、3)以及由低电阻的电阻材料制成的电阻器元件(4)。电阻器元件(4)沿电流流动方向布置在两个连接部件(2、3)之间，并且接合到两个连接部件(2、3)，使得待测量的电流在操作期间流过电阻器元件(4)，并在电阻器元件(4)上产生压降。根据本发明，连接部件(2、3)和电阻器元件(4)在垂直于电流流动方向的剖面中分别具有基本上滚圆的横截面、尤其基本上圆形的横截面。
电流测量电阻器相关制造方法

[发明专利]具有对话和会议环境的通信应用-CN201510735915.1在审
发明人： A·古普塔;B·泽尔;A·巴塔查杰;M·D·特鲁法特 -专利权人：微软技术许可有限责任公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： G06Q10/10 文献下载
摘要：在单个应用中提供包括对话环境和会议实施例的用户体验的通信系统的体系结构。导航菜单使用户能在包括对话环境的多个通信环境之间进行选择。可以以各种对话格式来访问多个对话线程，包括与即时消息收发、组聊天、电话呼叫、语音、视频、电子邮件、应用共享、或在线会议相关联的格式。可以对会议环境进行导航以便访问一个或多个会议。除对话环境和会议环境之外，也可以从相同导航菜单导航其他合适的通信环境。通信系统和应用还包括用于取决于用户所选定的环境而显示对话线程或会议的列表。通信系统中还可以包括预览窗格。
具有对话会议环境通信应用

[发明专利]具有对话和会议环境的通信应用-CN201080010620.3无效
发明人： A·古普塔;B·泽尔;A·巴塔查杰;M·D·特鲁法特 -专利权人：微软公司
申请日： 2010-02-26 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： G06Q50/00 文献下载
摘要：在单个应用中提供包括对话环境和会议实施例的用户体验的通信系统的体系结构。导航菜单使用户能在包括对话环境的多个通信环境之间进行选择。可以以各种对话格式来访问多个对话线程，包括与即时消息收发、组聊天、电话呼叫、语音、视频、电子邮件、应用共享、或在线会议相关联的格式。可以对会议环境进行导航以便访问一个或多个会议。除对话环境和会议环境之外，也可以从相同导航菜单导航其他合适的通信环境。通信系统和应用还包括用于取决于用户所选定的环境而显示对话线程或会议的列表。通信系统中还可以包括预览窗格。
具有对话会议环境通信应用

[发明专利]在外延生长源漏区上选择性淀积覆盖层的结构与制造方法-CN200780010781.0有效
发明人： T·小库克;B·泽尔;A·穆尔蒂 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了改进自对准多晶硅化物的接触形成并减小晶体管的外部电阻的方法和装置。在衬底表面形成栅电极。在衬底中各向同性地蚀刻源区和漏区。在源区和漏区中用硼在原位对硅锗合金进行掺杂。在该硅锗合金上淀积硅。在该硅上淀积镍。在该硅锗合金上形成镍硅锗硅化物层。在该镍硅锗硅化物层上形成镍硅硅化物层。
外延生长源漏区上选择性覆盖层结构制造方法

[发明专利]具有台阶型源/漏区的器件-CN200680006841.7有效
发明人： G·库尔洛;B·泽尔;S·泰亚吉;C·奥思 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2006-01-05 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了具有台阶源/漏区的晶体管。台阶源/漏区可在沟道区中实现显著的应变并使电流泄漏最小化。通过在衬底中形成两个凹槽来产生台阶凹槽并在凹槽中形成源/漏区，从而形成台阶源/漏区。
具有台阶器件

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共 6 条

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