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- [发明专利]具有中心接头的可磁性调节的扼流圈-CN201880099740.1在审
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A.布宁;C.科祖拉;T.曼特;M.库斯特曼
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西门子能源全球有限公司
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2018-11-26
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2021-07-23
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H01F29/14
- 本发明涉及一种用于在具有至少一个相导体(16,18,19)的高压电网(17)中进行无功功率补偿的装置(1)。根据本发明的装置(1)针对每个相导体具有高压接头(8)。针对每个高压接头(8)设置有:第一和第二铁芯部段(3,4),它们是闭合磁路的一部分;第一高压绕组(5),其包围第一铁芯部段;第二高压绕组,其包围第二铁芯部段并且与第一高压绕组并联连接;至少一个饱和开关支路(10,11),其被设计为用于使至少一个铁芯部段(3,4)饱和并且具有可控的功率半导体开关(20,21,22,23);以及控制单元(26),其用于控制功率半导体开关(20,21,22,23)。为了避免漏磁场损耗,至少一个高压绕组装备有中心接头并且在其绕组端部与饱和开关支路连接。而中心接头(50)与高压接头(8)连接。
- 具有中心接头磁性调节扼流圈
- [发明专利]可无级调节的饱和电抗器-CN201880092238.8在审
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M.库斯特尔曼;T.曼特;A.布宁;M.施温德纳
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西门子股份公司
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2018-04-09
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2020-11-27
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H02J3/18
- 本发明涉及一种用于具有至少一个相导体(16,18,19)的高压电网(17)中的无功功率补偿的设备(1)。为高压电网的每个相设置高压接头(8)。在此,每个高压接头(8)与包围第一芯区段(3)的第一高压绕组(5)和包围第二芯区段(4)的第二高压绕组(6)连接。芯区段(3、4)是闭合的磁路的一部分。每个高压绕组的低压端部可以与至少一个饱和开关分支(10、11)连接,饱和开关分支被设计用于使芯区段(3、4)饱和并且具有可控制的功率半导体开关(20,21,22,23)。此外,设置有用于控制功率半导体开关(20,21,22,23)的控制单元(26)。为了可以尽可能廉价地制造设备,每个饱和开关分支(10、11)具有至少一个双极的子模块(12),子模块具有桥电路,桥电路具有功率半导体开关(20,21,22,23)和直流电压源(24),从而根据对功率半导体开关(20,21,22,23)的控制,直流电压源(24)要么可以与至少一个高压绕组(5、6)串联连接,要么可以桥接。
- 无级调节饱和电抗
- [发明专利]无级可调饱和补偿电抗器-CN201610997007.4有效
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A.布宁;K.洛帕奇;J.施尼德斯
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西门子公司
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2016-11-10
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2019-10-15
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H02J3/18
- 一种无级可调饱和补偿电抗器,包括层压的芯,其每一相具有两个通过磁轭连接的被缠绕的腿部(1,2),在每个被缠绕的腿部上布置有网络绕组支路(3,4),且一个相的两个网络绕组支路的高压端连接到相导体,这些网络绕组支路的低压端(N1,N2)连接到直流电压源。该无级可调饱和补偿电抗器应该减小直流电压源的功率、工作电流的畸变度以及减小直流电压源的数目。为此,直流电压源包括两个极性相反的、稳定化且单极接地的换流器(6,7),且每一相包括两个由控制系统(14)控制的电子晶体管转换开关(5a,5b),且控制系统构建为使得一相的两个网络绕组支路的直流馈电经由相应的电子晶体管转换开关脉冲式进行,且从不同的换流器的相反极进行所述直流馈电。
- 无级可调饱和补偿电抗
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