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[发明专利]性能改善的太阳能电池-CN201080051987.X有效
发明人： M·戴维斯;J·洪;G·雅库博夫斯卡-奥孔涅夫斯基;S·纳瓦拉;X·杨;A·罗哈吉;M·H·康;A·U·埃邦;B·C·朗萨维尔 -专利权人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司
申请日： 2010-09-17 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请公开了光致衰退特性明显改善的硅太阳能电池。本申请还公开了具有包括硼、氧和碳的硅基衬底以及包括邻近衬底的至少一个含碳层的抗反射涂层（ARC）的太阳能电池。还公开了用于制备太阳能电池的方法。
性能改善太阳能电池

[发明专利]表面钝化的光生伏打器件-CN200610082694.3有效
发明人： V·曼尼文南;A·U·埃邦;J·－R·J·黄;T·P·费斯特;J·N·约翰逊 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：提供了一种包括光生伏打单元(12)的光生伏打器件(10)。光生伏打单元(12)包括包含结晶半导体材料的发射层(16)和邻接发射层(16)设置的轻掺杂结晶衬底(22)。轻掺杂结晶衬底(22)和发射层(16)相反地掺杂。而且，光生伏打器件(10)包括耦接至光生伏打单元(12)的背面钝化结构(14)。该结构包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的重掺杂背面场层(24)。重掺杂背面场层(24)包括非晶或微晶半导体材料，其中重掺杂背面场层(24)和轻掺杂结晶衬底(22)相同地掺杂，以及其中重掺杂背面场层(24)的掺杂水平比轻掺杂结晶衬底(22)的掺杂水平高。另外，该结构还可包括邻接轻掺杂结晶衬底(22)设置的本征背面钝化层(26)，其中本征背面钝化层(26)包括非晶或微晶半导体材料。
表面钝化光生伏打器件