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[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202280011327.1在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-03 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层级及第二层级。所述堆叠包括横向隔开的存储器块区。同时形成(a)、(b)及(c)，其中(a)：横向地在所述存储器块区中的横向紧邻者之间到所述堆叠中的水平伸长的沟槽；(b)：横向地在所述水平伸长的沟槽之间到所述堆叠中的沟道开口；及(c)：在阶梯区中到所述堆叠中的穿阵列通路(TAV)开口。在所述水平伸长的沟槽中形成中介材料、在所述沟道开口中的个别者中形成沟道材料串且在所述TAV开口中形成导电材料。公开其它方面，包含独立于方法的结构。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]集成组件和形成集成组件的方法-CN202280008633.X在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一些实施例包含一种集成组件，其具有第一存储器区、从所述第一存储器区偏移的第二存储器区，以及在所述第一存储器区与所述第二存储器区之间的中间区。沟道材料支柱布置在所述存储器区内。导电柱布置在所述中间区内。面板跨所述存储器区和所述中间区延伸。所述面板横向处于第一存储器块区与第二存储器块区之间。掺杂半导体材料在所述存储器区和所述中间区内，且紧邻所述面板。所述掺杂半导体材料是所述存储器区内的导电源极结构的至少一部分。绝缘环横向包围所述导电柱的下部区且在所述导电柱与所述掺杂半导体材料之间。绝缘内衬沿着所述导电柱的上部区。一些实施例包含形成集成组件的方法。
集成组件形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211627882.5在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;M·J·巴克利;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括在导体层正上方的交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串。所述沟道材料串直接电耦合到所述导体层的导体材料。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过所述导电层中的最下部导电层的TAV。绝缘环处于所述TAV区中的所述最下部导电层中。所述绝缘环中的个别绝缘环环绕所述TAV中的个别TAV。所述绝缘环延伸穿过所述最下部导电层且到所述导体层中。外部环处于所述最下部导电层中，所述外部环个别地环绕环绕所述个别TAV的所述个别绝缘环中的一个。公开了其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180049869.3在审
发明人： J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B41/27 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成堆叠，所述堆叠包括竖直交替的第一层和第二层。所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区，其间具有水平伸长的沟槽。沟道开口在所述存储器块区中延伸穿过所述第一层和所述第二层。沟道材料串的沟道材料形成于所述沟道开口中，且所述沟道材料形成于所述水平伸长的沟槽中。所述沟道材料从所述水平伸长的沟槽移除，且所述沟道材料串的所述沟道材料留在所述沟道开口中。在从所述水平伸长的沟槽移除所述沟道材料之后，中间材料形成于所述水平伸长的沟槽中，横向地位于横向紧邻的所述存储器块区之间且纵向地沿着横向紧邻的所述存储器块区。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211603618.8在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B41/41 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，存储器块个别地包括竖直堆叠，竖直堆叠包括导体层正上方交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和导电层的沟道材料串。沟道材料串与导体层的导体材料直接电耦合。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过绝缘层和导电层到导体层中的TAV。TAV中的个别TAV包括在下部部分正上方且与下部部分接合的上部部分。个别TAV在竖直横截面中包括至少一个外部上部折弯表面。个别TAV包括在竖直横截面中在所述导体层中且在上部折弯表面下方的至少一个外部下部折弯表面。公开了其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包含顶盖结构的微电子装置以及相关电子系统和方法-CN202211663907.7在审
发明人： J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒;J·D·格林利;N·M·洛梅利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及包含顶盖结构的微电子装置以及相关电子系统和方法。一种微电子装置包含：源极堆叠；源极接触件，其竖直地邻近于所述源极堆叠；半导体材料，其竖直地邻近于所述源极接触件；交替的导电材料和介电材料的层级，其竖直地邻近于所述半导体材料；介电结构，其在狭槽结构内且延伸穿过所述微电子装置的所述层级到所述微电子装置的所述源极接触件；氧化物顶盖结构，其横向地在所述半导体材料与所述介电结构之间；以及支柱，其延伸穿过所述层级、所述半导体材料和所述源极接触件且延伸到所述源极堆叠中。还公开了相关电子系统和方法。
包含顶盖结构微电子装置以及相关电子系统方法

[发明专利]具有高导电率及低互电容的位线以及相关设备、计算系统及方法-CN202211665200.X在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;D·R·埃科诺米;J·S·布朗;J·D·霍普金斯;J·D·格林利;M·K·拉玛萨哈亚姆;R·J·克莱因 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G11C16/24 文献下载
摘要：本发明公开具有高导电率及低互电容的位线以及相关设备、计算系统及方法。一种设备包含：位线，其包含铜；低k介电材料，其在所述位线之间；及气隙，其在所述位线之间。所述低k介电材料机械地支撑所述位线。一种制造存储器装置的方法包含：在电绝缘材料的位线沟槽中形成第一导电材料；移除所述位线沟槽之间的所述电绝缘材料的部分；在所述第一导电材料及所述电绝缘材料的剩余部分上保形地形成低k介电材料；及形成亚保形介电材料以在所述位线沟槽之间形成气隙。所述方法还包含：使所述第一导电材料凹进；及用第二导电材料替换所述第一导电材料的移除部分。
具有导电电容以及相关设备计算系统方法

[发明专利]具有高导电率及低互电容的位线及相关设备、计算系统及方法-CN202211672513.8在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;D·R·埃科诺米;J·D·霍普金斯;J·D·格林利;M·K·拉玛萨哈亚米 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明公开具有高导电率及低互电容的位线及相关设备、计算系统及方法。一种设备包含电绝缘材料及所述电绝缘材料中包含铜的位线。所述电绝缘材料界定所述位线之间的气隙。一种制造存储器装置的方法包含：在所述存储器装置的电路系统上或中的电绝缘材料中形成沟槽；在所述沟槽中形成第一导电材料；移除所述电绝缘材料的部分以在所述沟槽之间形成气隙；使所述第一导电材料凹进；以及用第二导电材料替换所移除的所述第一导电材料。所述第二导电材料比所述第一导电材料更导电。一种存储器装置包含所述设备。一种计算系统包含所述存储器装置。
具有导电电容相关设备计算系统方法

[发明专利]存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180069228.4在审
发明人： J·D·霍普金斯;J·D·格林利;N·M·洛梅利;A·N·斯卡伯勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-11 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：一种存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块单独地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层级和导电层级。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级和所述导电层级。虚拟支柱延伸穿过所述绝缘层级和所述导电层级。所述导电层级中的最下部导电层级包括导电材料和虚拟区材料，所述虚拟区材料在所述导电材料旁边且具有与所述导电材料不同的组合物。所述沟道材料串延伸穿过所述最下部导电层级的所述导电材料。所述虚拟支柱延伸穿过所述最下部导电层级的所述虚拟区材料。公开了其它实施例，包含方法。
存储器阵列用于形成包括单元方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211456092.5在审
发明人： J·D·格林利;A·麦克蒂尔;R·J·克莱因;J·D·霍普金斯;N·M·洛梅利;李晓;A·N·斯卡伯勒;陈洁薇;刘乃铭;罗双强;S·博尔萨里;J·M·梅尔德里姆;胡申 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述存储器块中的所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串。穿阵列通孔TAV区包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的TAV构造。所述TAV构造个别地包括径向外绝缘内衬和在所述绝缘内衬的径向内侧的导电芯。所述绝缘内衬包括具有相对彼此不同的组合物的径向内绝缘材料和径向外绝缘材料。所述径向外绝缘材料处于径向外凹部中，所述径向外凹部相对于第二层处于第一层中。所述径向内绝缘材料沿着所述绝缘层和所述导电层竖向地延伸。公开了其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]集成电路系统和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180049309.8在审
发明人： J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-05 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种集成电路系统包括存储器阵列，所述存储器阵列包括有包括横向间隔的存储器块的存储器单元串，所述横向间隔的存储器块个别地包括有包括交替的绝缘性阶层和导电性阶层的第一竖直堆叠。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘性阶层和所述导电性阶层的沟道材料串。所述导电性阶层个别地包括水平伸长的导电线。第二竖直堆叠在所述第一竖直堆叠旁边。所述第二竖直堆叠包括上部部分和下部部分。所述上部部分包括交替的第一绝缘阶层和第二绝缘阶层。所述下部部分包括在导体阶层的导体材料正上方的最下部绝缘体阶层。所述最下部绝缘体阶层包括含固体碳和含氮材料。紧邻阶层在所述最下部绝缘体阶层的所述含固体碳和含氮材料正上方。所述紧邻阶层包括具有与所述最下部绝缘体阶层的组成物不同的组成物的材料。公开包含方法的其它实施例。
集成电路系统用于形成包括存储器单元阵列方法

[发明专利]集成电路系统和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202180048119.4在审
发明人： C·豪德;J·D·霍普金斯;A·N·斯卡伯勒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括在衬底上形成包括导体材料的导体层。第一层中的最下部第一层包括导电第一牺牲材料。导电第二材料直接电耦合到所述导电第一牺牲材料。所述导电第一牺牲材料和所述导电第二材料具有彼此相差至少0.5V的不同还原电位。
集成电路系统用于形成包括存储器单元阵列方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211012180.6在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;J·D·霍普金斯;C·E·卡特;J·D·谢泼德森;C·豪德;J·沃拉尼克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。存储器单元串包括延伸穿过绝缘层及导电层的沟道材料串。所述沟道材料串通过传导材料与导体层的导体材料直接电耦合，所述传导材料在最下部的所述导电层中并且直接抵靠多个所述沟道材料串。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过所述最下部导电层并进入所述导体层的TAV。所述最下部导电层中的各个所述TAV包括导电芯，所述导电芯具有周向地围绕其的环形区。所述环形区中的掺杂剂的总掺杂剂浓度为0.01至30原子％。所述最下部导电层中的绝缘材料周向地围绕所述环形区并且在紧邻的所述TAV之间。公开包含方法的其它实施例。
包括存储器单元阵列用于形成方法

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202210939130.6在审
发明人： A·N·斯卡伯勒;M·J·巴克利;J·D·霍普金斯;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本公开涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括导体叠层上方交替的绝缘叠层和导电叠层。所述导体叠层处于包括水平细长的导电线的下部叠层的正上方。绝缘体叠层竖直处于所述导体叠层与所述下部叠层之间。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘叠层和所述导电叠层的沟道材料串。所述沟道材料串直接电耦合到所述导体叠层的导体材料。穿阵列通孔TAV区包括个别地直接电耦合到所述导电线中的一者的TAV。绝缘体壁处于所述TAV区中。所述绝缘体壁竖直延伸穿过所述导体叠层和所述绝缘体叠层到所述下部叠层，且为水平细长的。还公开了方法。
包括存储器单元阵列形成方法

[发明专利]用于分析的纹理检测设备、系统和方法-CN202180039475.X在审
发明人： Z·胡斯埃尼玛卡雷姆;J·D·哈姆斯;A·N·斯卡伯勒;D·文杰采夫;胡怡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06T7/40 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及将光投射在表面上，且分析散射光以获得所述表面的空间信息且产生所述表面的三维模型。接着可分析所述三维模型以计算一或多个表面特征，例如粗糙度。接着可分析所述表面特性以提供结果，例如诊断或产品建议。在一些实例中，使用移动装置来分析所述表面。
用于分析纹理检测设备系统方法

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