专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]自对准存储元件及字线-CN03825582.0有效
  • P·K·张;A·M·卡图里 - 先进微装置公司
  • 2003-09-08 - 2005-12-28 - H01L51/20
  • 一种有机聚合物存储单元,其具有形成在第一导电(例如,铜)层(例如,位线)(104、108)上的有机聚合物层(116、2108、2132、2168)以及电极层(120、2112、2128、2164)。此存储单元连接至第二导电层(例如,形成字线)(136、2148、2160),并且更具体地是存储单元的电极层顶部连接至第二导电层。选择性地,在导电层上形成传导率促进层(112、2136)。以介电材料隔开存储单元。此存储单元与形成在第一导电层内的位线以及形成在第二导电层内的字线自对准。
  • 对准存储元件

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