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[发明专利]高孔率介孔硅质结构-CN201710084683.7有效
发明人： B·A·基罗斯;C·L·特维;S·T·马托西;C·J·塔克;A·M·凯利-罗维利 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：一种方法，所述方法包括：A)将选自水溶性二氧化硅源和碱金属硅酸盐的一种或多种氧化硅源与包含一种或多种非离子型表面活性剂的水性反应介质接触并从而形成包含交联氧化硅单元的介孔结构，其中所述交联氧化硅单元具有约1至约100纳米的孔并且其中所述水性反应介质表现出pH约0至约4.0；B)将包含所述介孔结构的所述水性反应介质暴露于升高的温度一段时间以足以获得期望的结构和孔尺寸。优选的水溶性二氧化硅源包括硅酸或聚硅酸。所述水性反应介质通过合并一种或多种非离子型表面活性剂和水、从而形成包含胶束的水性反应介来制备。优选地，所述水性反应介质还包含能够溶胀由所述水性反应介质中的表面活性剂形成的胶束的胶束溶胀剂。在一种实施方式中，所述方法形成具有由交联氧化硅构成的支柱的结构，所述支柱连接至少一部分所述孔形成结构。
水性反应介质氧化硅胶束交联非离子型表面活性剂水溶性二氧化硅介孔结构优选碱金属硅酸盐硅酸表面活性剂氧化硅源聚硅酸溶胀剂溶胀制备升高合并暴露期望表现

[发明专利]高孔率介孔硅质结构-CN201280057921.0有效
发明人： B·A·基罗斯;C·L·特维;S·T·马托西;C·J·塔克;A·M·凯利-罗维利 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：一种方法，所述方法包括A)将选自水溶性二氧化硅源和碱金属硅酸盐的一种或多种氧化硅源与包含一种或多种非离子型表面活性剂的水性反应介质接触并从而形成包含交联氧化硅单元的介孔结构，其中所述交联氧化硅单元具有约1至约100纳米的孔并且其中所述水性反应介质表现出pH约0至约4.0；B)将包含所述介孔结构的所述水性反应介质暴露于升高的温度一段时间以足以获得期望的结构和孔尺寸。优选的水溶性二氧化硅源包括硅酸或聚硅酸。所述水性反应介质通过合并一种或多种非离子型表面活性剂和水、从而形成包含胶束的水性反应介来制备。优选地，所述水性反应介质还包含能够溶胀由所述水性反应介质中的表面活性剂形成的胶束的胶束溶胀剂。在一种实施方式中，所述方法形成具有由交联氧化硅构成的支柱的结构，所述支柱连接至少一部分所述孔形成结构。
高孔率介孔硅质结构

[发明专利]制备介孔硅质结构的环境友好方法-CN201280057855.7在审
发明人： B·A·基罗斯;C·L·特维;S·T·马特乌西;A·M·凯利-罗维利 -专利权人：陶氏环球技术有限责任公司
申请日： 2012-11-19 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：制备介孔结构的交联氧化硅结构的方法，其中在制备所述结构中使用的一部分材料被再循环用于制备另外的结构。
制备介孔硅质结构环境友好方法

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