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[发明专利]具有柱密度不同的分层叠组的微电子装置及相关方法和系统-CN202180066317.3在审
发明人： M·Z·乌拉;张晓松;A·L·奥尔森;M·M·伊斯兰;T·M·Q·陈;朱超;Z·杨;M·L·卡尔森;张辉钦;D·A·奎利;邓钶锡 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：微电子装置包含下部叠组和上部叠组，所述下部叠组和所述上部叠组各自包括堆叠结构，所述堆叠结构具有布置成叠层的绝缘结构和导电结构的竖直交替序列。柱的下部阵列延伸穿过所述下部叠组的所述堆叠结构，且柱的上部阵列延伸穿过所述上部叠组的所述堆叠结构。所述下部阵列中的所述柱沿着所述下部叠组与所述上部叠组之间的界面与所述上部阵列中的所述柱对准。至少在包括所述柱的基部的高程处，所述下部阵列中的所述柱的柱密度不同于所述上部阵列中的所述柱的柱密度，“柱密度”是相应阵列的每单位水平区域中的柱数目。还公开了相关方法和电子系统。
具有密度不同层叠微电子装置相关方法系统

[发明专利]包括多层级位线的电子装置以及相关方法和系统-CN202210892476.5在审
发明人：福住嘉晃;H·N·贾殷;N·考希克;A·L·奥尔森;R·J·希尔;L·P·海内克 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请涉及包括多层级位线的电子装置以及相关方法和系统。公开一种电子装置，其包括多层级位线，所述多层级位线包括第一位线和第二位线。所述第一位线和所述第二位线定位于不同层级处。支柱接触件电连接到所述第一位线和所述第二位线。层级1接触件电连接到所述第一位线，且层级2接触件电连接到所述第二位线。衬垫在所述第一位线和所述层级2接触件之间。所述第一位线的每一位线电连接到邻近于所述层级1接触件的子块中的单个支柱接触件，且所述第二位线的每一位线电连接到邻近于所述层级2接触件的单个支柱接触件。还公开形成电子装置的方法和相关系统。
包括多层级位线电子装置以及相关方法系统

[发明专利]形成微电子装置的方法及相关微电子装置和电子系统-CN202180016109.2在审
发明人：赵博;N·M·洛梅利;徐丽芳;A·L·奥尔森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-02-10 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：一种微电子装置包括具有存储器阵列区和阶梯区的微电子装置结构。所述微电子装置结构包括：具有层的堆叠结构，每个层包括导电结构和绝缘结构；阶梯结构，其限制在所述阶梯区内且具有台阶，所述台阶包括所述堆叠结构中处于所述叠组和所述额外叠组内的所述层的边缘；及半导电导柱结构，其限制在所述存储器阵列区内且延伸穿过所述堆叠结构。所述堆叠结构包括：叠组，其包括一组所述层；额外叠组，其上覆于所述叠组且包括额外一组所述层；及叠组间区段，其处于所述叠组和所述额外叠组之间且包括限制在所述存储器阵列区内的介电结构及处于所述介电结构的竖直边界内且限制在所述阶梯区内的另一组所述层。
形成微电子装置方法相关电子系统

[发明专利]形成阶梯结构的方法以及相关阶梯结构和半导体装置结构-CN201880083727.7有效
发明人： L·威廉森;A·L·奥尔森;K·贾殷;R·登比;W·R·布朗 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及形成阶梯结构的方法以及相关阶梯结构和半导体装置结构。所述方法包括在分层之上形成经过图案化的硬掩模。去除最上部分层的暴露部分以形成最上部阶梯。在所述经过图案化的硬掩模和所述最上部分层之上形成第一内衬材料，并且去除所述第一内衬材料的一部分以形成第一内衬并且暴露下面的分层。去除所述下面的分层的暴露部分以在所述下面的分层中形成下面的阶梯。在所述经过图案化的硬掩模、所述第一内衬和所述第二内衬之上形成第二内衬材料。去除所述第二内衬材料的一部分以形成第二内衬并且暴露另一个下面的分层。去除所述另一个下面的分层的暴露部分以形成另一个下面的阶梯。去除所述经过图案化的硬掩模。还公开了阶梯结构和半导体装置结构。
形成阶梯结构方法以及相关半导体装置

[发明专利]形成半导体装置的方法及相关的半导体装置-CN201911309893.7在审
发明人： R·科塔里;A·L·奥尔森;J·D·霍普金斯;J·J·吴 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本申请案涉及形成半导体装置的方法以及相关的半导体装置。一种形成半导体装置的方法包括：在包括至少一种材料的堆叠上方形成图案化的抗蚀剂；及移除所述堆叠的由所述图案化的抗蚀剂暴露出的一部分以形成堆叠开口。横向地移除所述图案化的抗蚀剂的一部分以形成已修整抗蚀剂，且移除所述堆叠的由所述已修整抗蚀剂暴露出的额外部分以在所述堆叠的侧壁中形成阶梯。在所述堆叠的所述侧壁之间形成介电材料以基本上完全填充所述堆叠开口，并将所述介电材料平坦化。本发明揭示额外方法以及半导体装置。
形成半导体装置方法相关

[发明专利]用于防止共振的装置-CN200610159567.9有效
发明人： H·B·彼得森;A·L·奥尔森 -专利权人：曼B与W狄赛尔公司
申请日： 2006-09-27 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： F16F15/023 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于将船用发动机(3)从侧面支承在容纳该船用发动机的支承结构(2)上的液压支承装置(4)，其中该支承装置(4)包含至少一个缸(5)，所述缸具有一个通过一个单作用的、与一个力传递装置(8)相互作用的活塞(7)限定的工作腔(6)，该工作腔通过一个具有至少一个支路(10)的管路系统与一个包含偏压的液压液体的蓄能器(12)连接。
用于防止共振装置