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[发明专利]具有柔性衬底的光电装置-CN201480067759.X有效
发明人： A·J·库图尔;N·R·孔克尔;A·M·施米茨 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2014-09-08 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：公开了一种光电装置(40)。光电装置包括柔性衬底(34)，设置在柔性衬底的第一表面上的薄膜晶体管(TFT)阵列(42)，设置在TFT阵列上的光电二极管层(44)，以及连接至TFT阵列并且设置在柔性衬底的第一表面上的多个数据线(52)和扫描线(54)。装置进一步包括设置在柔性衬底的与TFT阵列相反的第二表面上的电子设备信号模块组合件(30，32)，以及穿过柔性衬底设置、将数据线和扫描线连接至电子设备信号模块组合件的互连(58)。
具有柔性衬底光电装置

[发明专利]用于集成的患者台数字X射线剂量计的方法和系统-CN201580008624.0有效
发明人： A·J·库图尔;R·L·安德顿 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2015-02-13 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： A61B6/02 文献下载
摘要：提供了一种对患者成像的方法和一种X射线剂量测定系统。所述X射线剂量测定系统包括配置成支持待成像的对象的支持平台，以及被安装在所述支持平台的表面上的数字X射线剂量计，所述X射线剂量计配置成在入射辐射已经穿过所述待成像的对象之前接收所述入射辐射，所述X射线剂量计包括小于大约四毫米的厚度。
用于集成患者数字射线剂量计方法系统

[发明专利]具有增加的动态范围的数字X射线检测器-CN201110306607.9有效
发明人： P·R·格兰富尔斯;J·R·兰伯蒂;R·G·克伦斯;薛平;M·谢普肯斯;A·J·库图尔;D·阿尔巴利 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： G01N23/04 文献下载
摘要：本发明的名称为“具有增加的动态范围的数字X射线检测器”。在一个实施例中，为数字X射线检测器(22)配备多个像素区域(54)。每个像素区域(54)包含具有第一面积(116)的第一光电二极管(86)和具有等于或小于第一面积(116)的第二面积(122)的第二光电二极管(88)。数字X射线检测器(22)还包含屏蔽结构(94)，其盖在每个像素区域(54)的第一(86)光电二极管和第二(88)光电二极管之上，同时屏蔽结构(94)相对第二光电二极管(88)按比例更少地屏蔽第一光电二极管(86)，以提供具有第一灵敏度的第一光电二极管(86)，以及具有低于第一灵敏度的第二灵敏度的第二光电二极管(88)。
具有增加动态范围数字射线检测器

[发明专利]双功能探测器装置-CN200910118727.9有效
发明人： D·阿尔巴利;A·J·库图尔;W·A·亨尼西;K·S·库姆普;F·高;J·Z·刘 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2009-01-09 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：一种双功能探测器装置，其以普通操作模式或EMI校正模式操作以抑制探测器(33)中的EMI效应。探测器装置(33)可是用在成像系统中的平板x射线探测器。所述装置具有像素构造(60)和板读出技术，该板读出技术能实时的、高空间频率的对由数字x射线探测器(33)上的电磁辐射产生的噪声进行测量。所述测量可用于实时校准探测器以获得所有环境中的无伪影图像，包括那些包含时间和空间变化电磁场的。
功能探测器装置

[发明专利]使用固态光电倍增器和闪烁器的光子计数CT探测器-CN200810087899.X有效
发明人： J·D·肖特;G·E·波辛;J·W·勒布朗;R·G·罗德里格斯;K·C·伯尔;A·J·库图尔;李文 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2008-03-27 - 公布日： 2008-10-01 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：提供一种用于CT成像系统(10)的探测器模块(20)，它包括将X射线(16)转换成可见光子的闪烁器(58)。闪烁器(58)与带内部增益的固态光电倍增管(53)光耦合以接收可见光子并将其转换为相应的电信号。
使用固态光电倍增器闪烁光子计数 ct 探测器

[发明专利]降低辐射损伤影响的二极管设计-CN200610063958.0有效
发明人： S·S·泽拉基维茨;S·伯格达诺维奇;A·J·库图尔;D·阿尔巴格利;W·A·亨尼西 -专利权人：通用电气检查技术有限合伙人公司
申请日： 2006-12-15 - 公布日： 2007-09-05 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于X射线应用的光电探测器(16)，其包括在每个像素位置处的光电二极管(34，64)，其被选通来降低来自该光电二极管的电荷泄漏。门电路层(36)可以被布置在该探测器整个周边边缘的周围，并被保持在与接触层(38)共同的或不同的电势。钝化层或介电层(56)将该门电路层与该光电二极管分离。该门电路层降低由在辐射中的延伸暴露引起的二极管边缘周围的泄漏。
降低辐射损伤影响二极管设计

[发明专利]用于成像系统的薄膜晶体管-CN200510133887.2无效
发明人： D·阿尔巴格利;W·A·亨尼西;A·J·库图尔;C·科拉佐－达维拉 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2005-12-22 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：一种环形薄膜晶体管60，包括：布置在半导体材料层66之上的环形源电极62；在环形源电极62内布置在半导体材料层66之上的漏电极64；以及位于漏电极64和环形源电极64之间的有源沟道76，其中有源沟道76的一个表面包括暴露的半导体材料。而且，一种蛇形薄膜晶体管78，包括：布置在半导体材料层82之上的蛇形源电极80；布置在半导体材料层82上和基本位于由蛇形源电极80形成的凹槽之中的漏电极84，其中漏电极84基本符合该凹槽；以及位于漏电极84和蛇形源电极80之间的有源沟道98，其中有源沟道98具有基本恒定的长度，其中有源沟道98的一个表面包括暴露的半导体材料。
用于成像系统薄膜晶体管