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[实用新型]边缘环组件-CN201420063262.8有效
发明人： A·帕尔;A·阿加瓦尔;A·源;J·崔;J·Z·何 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-02-12 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开用于硅基板处理的高性能和持久边缘环。提供一种具有可嵌套在一起的外环主体和内环主体的边缘环组件。外环主体由石英材料制造且具有顶表面和基本上平行于顶表面的多个底表面。外环主体具有第一环形台阶、第二环形台阶和第三环形台阶。内环主体由碳化硅材料制造。边缘环组件可用于半导体处理腔室中。
边缘组件

[发明专利]通过减少pH值突变而使显影反应物的沉淀最小化的方法-CN200710162430.3有效
发明人： A·源 -专利权人： ASML美国公司
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过减少pH值突变而使显影反应物的沉淀最小化的方法。所述方法包括以下步骤：在基板位于其内的显影剂流体模块内设置层流气流场；在聚合物层的表面上的多个位置处将一定量的显影剂流体施加到基板上的聚合物层上；使至少一部分聚合物层显影；然后允许至少一部分所述一定量的显影剂流体停留在所述聚合物上，从而可控制地使pH值的随后突变最小化；以及然后利用一定量的另一流体冲洗所述聚合物。
通过减少 ph 突变显影反应物沉淀最小化方法

[发明专利]减轻紧邻表面液体分散喷流之间交叉污染的方法和装置-CN02823989.X有效
发明人： A·源 -专利权人：硅谷集团公司
申请日： 2002-10-03 - 公布日： 2005-04-06 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：通过多口喷嘴将不同的处理流体输送到半导体晶片基板上的方法和装置。所述喷嘴具有多个纵向液体歧管和气体歧管。每个歧管定位在喷嘴主体内，从而它们与喷嘴主体中相应的一个单独的入口流体相通。流体入口可以连接到外源，用于接收被散布的处理流体。另外，喷嘴包括多个喷嘴末端，用于将分散液体引导到晶片基板上。每个末端的至少一部分伸出喷嘴的底面，并且同时，末端的至少一部分伸入喷嘴主体内的液体歧管中，形成内部蓄液池。并且，喷嘴底面包括以栅格状图案形成在喷嘴末端之间的沟槽网络，并可以进一步包括多个气孔。所述气孔连接到气体歧管，用以接收增压的气体，从而形成气帘，有助于控制和引导多种处理流体到达晶片基板，减小交叉污染以及从晶片基板上的飞溅。
减轻紧邻表面液体分散喷流之间交叉污染方法装置