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[发明专利]绝缘体上硅（SOI）技术中的横向装置-CN201980026586.X在审
发明人：梁晴晴;F·卡罗博兰特;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·梅内戈里;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体装置。一个示例半导体装置通常包括第一半导体区；第一非绝缘区，与第一半导体区的第一横向侧相邻设置；第二非绝缘区，与第一半导体区的第二横向侧相邻设置，第二横向侧与第一横向侧相对；第二半导体区，与第一半导体区的第三横向侧相邻设置，第二半导体区和第一半导体区具有不同掺杂类型或不同掺杂浓度中的至少一项；绝缘层，与第一半导体区的顶侧相邻；以及第三非绝缘区，该绝缘层布置在第三非绝缘区与第一半导体区之间。
绝缘体 soi 技术中的横向装置

[发明专利]背硅化可变电容器器件-CN201980026096.X在审
发明人： S·格科特佩里;F·A·马里诺;N·卡尼克;P·V·科勒夫;梁晴晴;P·梅内戈里;F·卡罗博兰特;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2019-03-15 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：本公开的某些方面提供了一种半导体器件。一个示例半导体器件，大体上包括半导体区域、绝缘层、第一端子、以及耦合到第一端子的第一非绝缘区域，该绝缘层设置在第一非绝缘区域与半导体区域之间。在某些方面中，绝缘层相邻于半导体区域的第一侧设置。在某些方面中，该半导体器件还包括第二端子和第一硅化物层，该第一硅化物层耦合到第二端子并且相邻于半导体区域的第二侧设置，该第一侧和第二侧是半导体区域的相对侧。
背硅化可变电容器器件

[发明专利]晶片级封装(WLP)的浮置UBM焊球上的电感器设计-CN201580008222.0有效
发明人： Y·K·宋;Y·朴;X·张;R·D·莱恩;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-02-11 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种晶片级封装(WLP)上的电感器设计无需削减管芯上的焊球，因为这些焊球形成了电感器的一部分。该电感器上的一个端子耦合至该管芯，另一个端子耦合至该管芯上的单个焊球，并且机械接触该电感器的其余焊球保持电浮置。结果所得的器件具有更好的电感、直流(DC)电阻、板级可靠性(BLR)和品质因数(Q)。
晶片封装 wlp ubm 焊球上电感器设计

[发明专利]高功率可调谐电容器-CN201380043517.2有效
发明人： M·安;K·H·安;C-H·李;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-08-21 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：公开了一种高功率可调谐电容器(550)。在一示例性实施例中，一种装置包括耦合到输入信号(504)的电容器(508)、耦合到该电容器的体接触开关(510)、以及耦合在该体接触开关与接地之间的浮置体开关(512)，该体接触开关耦合到体偏置信号(Bb)，该浮置体开关配置成将该体偏置信号从接地解耦。
体接触电容器可调谐电容器接地高功率体偏置耦合到浮置开关配置开关耦合耦合解耦

[发明专利]可调谐负载线-CN201480067819.8有效
发明人： A·哈德吉克里斯托斯;C·D·普雷斯蒂;B·内亚蒂 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2018-12-04 - 主分类号： H03F1/56 文献下载
摘要：公开了一种可调谐负载线。在示例性实施例中，装置包括被配置成输出具有选择的功率水平的经放大的信号的放大器以及耦合以在输入端子处接收经放大的信号并且在第一输出端子处生成具有第一功率水平的第一输出信号的第一阻抗网络。第一阻抗网络被配置成加载经放大的信号以将选择的功率水平变换成第一功率水平。装置还包括被配置成选择性地接收第一输出信号并且在第二输出端子处生成具有第二功率水平的第二输出信号的第二阻抗网络。第二阻抗网络被配置成与第一阻抗网络组合以加载经放大的信号从而将选择的功率水平变换成第二功率水平。
调谐负载

[发明专利]用于多频带无线设备的滤波器-CN201380047171.3有效
发明人： J·卡班尼拉斯;A·哈德吉克里斯托斯;P·O·克里斯滕森;M·V·彭塔姆贝卡 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H03H7/46 文献下载
摘要：公开了通过重用未被选择的信号路径中的电路组件来为被选择的信号路径实现滤波器的技术。在示例性设计中，一种装置包括第一、第二、和第三电路(580a、580b、560a)。当第一信号路径(522a)被选择时，第一电路(580a)将第一射频(RF)信号传递给天线(598)。当第二信号路径(522b)被选择时，第二电路(580b)将第二RF信号传递给天线(598)。第三电路(560a)选择地耦合至第一电路(580a)，例如，经由开关(562a)。当第二信号路径(522b)被选择并且第一信号路径(522a)不被选择时，第一和第三电路(580a、560a)形成针对第二RF信号的滤波器(例如，以衰减第二RF信号的谐波)。第一电路可包括串联电感器，而第三电路可包括分流电容器。
电路射频( RF )信号滤波器第二信号信号路径天线串联电感器分流电容器电路组件无线设备传递耦合多频带谐波衰减重用

[发明专利]具有关断状态电容减小的多掷天线开关-CN201380042096.1有效
发明人： M·安;C-H·李;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-08-09 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H04B1/00 文献下载
摘要：公开了一种具有关断状态电容减小的多掷天线开关。在一示例性实施例中，提供了一种装置，该装置包括连接到天线的多个第一级开关、以及连接到该多个第一级开关的多个第二级开关，每个第一级开关串联地连接到一个或多个第二级开关以形成连接到该天线的多个可开关信号路径。
有关状态电容减小天线开关

[发明专利]多共源共栅放大器偏置技术-CN201380042002.0有效
发明人： W·苏;C·纳拉斯隆;G·尹;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-08-08 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：用于生成多共源共栅放大器的偏置电压的技术。在一个方面，提供了多共源共栅偏置网络，该偏置网络中的每一个晶体管都是多共源共栅放大器中的相应晶体管的复制，这实现了对多共源共栅放大器中的晶体管的准确偏置。在又一方面，多共源共栅放大器的供电电压是与复制偏置网络的供电电压分开提供的，以有利地将放大器供电电压的变化与偏置网络供电电压解耦。在又一方面，多共源共栅放大器中的晶体管的偏置电压可通过调整耦合至晶体管栅极偏置的电阻性分压器的阻抗来配置。由于放大器的增益取决于共源共栅放大器的偏置电压，因而放大器的增益可有利地以此方式调整而无需将可变增益元件直接引入到放大器信号路径中。
多共源共栅放大器偏置技术

[发明专利]射频层叠封装电路-CN201280056157.5有效
发明人： A·哈德吉克里斯托斯;G·S·萨霍塔;S·C·西卡雷利;D·J·维尔丁;R·D·莱恩;C·赫伦斯坦恩;M·P·沙哈 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2012-11-15 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：描述了一种射频层叠封装(PoP)电路。该射频层叠封装(PoP)电路包括第一射频封装(306)。第一射频封装包括射频组件(310，312，314，316)。该射频层叠封装(PoP)电路还包括第二射频封装(308)。第二射频封装包括射频组件(322，324)。第一射频封装和第二射频封装为垂直配置。第一射频封装上的射频组件被设计成减小接地电感效应。
射频层叠封装电路

[发明专利]用于降低功率放大器中电源灵敏度的电路和方法-CN201580055415.1在审
发明人： A·斯库德里;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：在一个实施例中，本公开包括一种包括第一功率放大器级的电路，具有用于接收输入信号的输入端，耦合至输出节点的输出端，第一功率放大器级接收时变电源电压。方法进一步包括与第一功率放大器并联配置的第二功率放大器级，具有用于接收输入信号的输入端，耦合至输出节点耦合的输出端，第二功率放大器级接收时变电源电压。当电源电压在第一低电压范围中时第一功率放大器级的第一增益减小，以及第二功率放大器级的第二增益补偿在第一低电压范围中第一功率放大器级的减小的增益。
用于降低功率放大器电源灵敏度电路方法

[发明专利]在晶片级封装(WLP)中实现的高品质因数电感器-CN201480011292.7在审
发明人： Y·K·宋;Y·朴;X·张;R·D·莱恩;B·内杰蒂;A·哈德吉克里斯托斯;X·陈 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2014-02-21 - 公布日： 2015-10-28 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：一些新颖特征涉及提供一半导体器件的第一示例，该半导体器件包括印刷电路板(PCB)、一组焊球以及一管芯。所述PCB包括第一金属层。所述一组焊球耦合到PCB。管芯通过所述一组焊球耦合到PCB。管芯包括第二金属层和第三金属层。PCB的第一金属层、所述一组焊球、管芯的第二和第三金属层被配置成作为半导体器件中的电感器来工作。在一些实现中，管芯进一步包括一钝化层。钝化层位于第二金属层和第三金属层之间。在一些实现中，第二金属层位于钝化层和所述一组焊球之间。
晶片封装 wlp 实现品质因数电感器

[发明专利]多模多频带功率放大器-CN201380065958.2在审
发明人： C-H·李;W·金;M·安;J·查;Y·朴;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-12-19 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：各示例性实施例涉及可包括包含第一放大器和第二放大器的发射路径的放大器模块。该示例性放大器模块还可包括变压器，该变压器耦合在第一放大器和第二放大器之间并且可切换地配置成用于在第一模式中将第一放大器与第二放大器串联地耦合并且在第二模式中耦合第一放大器以旁路掉第二放大器。
多模多频带功率放大器

[发明专利]用于多堆叠放大器的可调整增益-CN201380059575.4在审
发明人： J·查;C-H·李;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2015-07-15 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：用于提供放大器中的可调整增益的技术。在一方面，具有可调整增益的合成放大器包括并联地耦合的多个放大器，其中每一个放大器可被接通或关断以调整合成放大器的总增益。每一个放大器可包括输入晶体管以及至少两个共源共栅晶体管。为了关断每一个放大器，耦合到输入晶体管的第二或最低共源共栅晶体管的栅电压可被接地，并且耦合到输出电压的第一共源共栅晶体管的栅电压可以耦合到第一截止电压，以减少跨第一共源共栅晶体管的栅-漏压降。进一步方面允许在放大器被关断时将耦合到共源共栅晶体管的栅极的电容器与AC接地解耦。
用于堆叠放大器可调整增益

[发明专利]RF功率放大系统及方法-CN01820617.4有效
发明人： D·R·佩尔克;A·哈德吉克里斯托斯;W·O·小坎普 -专利权人：艾利森公司
申请日： 2001-11-21 - 公布日： 2004-10-06 - 主分类号： H03C5/00 文献下载
摘要：一种射频功率放大器电路，在以饱和放大模式工作的同时提供对射频输出信号的线性调幅。功率放大器电路包括一个有损调制器，作用象一个对调幅信号起反应的可变电阻。电源电压通过有损调制器连接到功率放大器电路的电源电压输入，这样提供给功率放大器的电源电压随调幅信号而变化。射频功率放大器电路通过恒包络射频输入信号的饱和模式放大来调制所产生的RF输出信号的包络。
rf 功率放大系统方法

[发明专利]双频带移动电话中发送接收机的结构-CN98813199.4无效
发明人： J·施朗;R·贝奥施;C·戈雷;A·哈德吉克里斯托斯 -专利权人：艾利森公司
申请日： 1998-11-03 - 公布日： 2001-03-07 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：依据本发明的第二实施方案,移动电话接收机包括利用第一本地振荡器频率的第一下变频器,第一本地振荡器频率可由被锁定到参考频率的可编程数字频率合成器(PLL)按频率步距调谐。第一下变频器将接收到的信号变换到第一(IF)供滤波。第二下变频器利用第二本地振荡器将第一(IF)信号变换到第二IF。利用将第二振荡器锁定到参考频率的第二数字频率合成器(PLL)产生第二本地振荡器频率。第三下变频器将发送频率与第一本地振荡器频率混频,产生锁定频率。第三数字频率合成器(PLL)将锁定频率和参考频率作比较以控制产生发送频率。
双频移动电话发送接收机结构

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