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[实用新型]一种110kV-220kV耐张压缩型线夹螺栓紧固器-CN201520052357.4有效
发明人：张宇雄;时峰;张海东;陈宣林;石利荣;湛留洋;邓中原;张方磊;周鹏程;吴恒;王国先;易黎 -专利权人：云南电网有限责任公司曲靖供电局
申请日： 2015-01-26 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B25B13/48 文献下载
摘要：一种110kV-220kV耐张压缩型线夹螺栓紧固器，包括一个带内螺母套的套筒（1）和固定连接在套筒（1）尾端的能够旋转的棘轮（2），棘轮（2）连接在一换向杆（3）端头，该换向杆（3）端头设有一圆弧槽（3.1），棘轮（2）轴向设为圆弧并通过销钉（3.1）卡接在圆弧槽（3.2）内；换向杆（3）尾端与支撑杆（4）铰连接；通过支撑杆（4）尾端与绝缘操作杆连接，转动棘轮（2）形成对耐张压缩型线夹螺栓带电间接紧固。本实用新型实现通过推拉进行套筒的定向旋转；棘轮套筒定向方向可调节，套筒大小可更换。末端设置可与绝缘操作杆连接的连接机构，实现借助绝缘操作杆，通过推拉方式紧固任意方向任意大小的螺栓。
一种 110 kv 220 压缩型线夹螺栓紧固

[发明专利]一种基于分布式时空机理的主干网僵尸网络追踪方法-CN201410331956.X在审
发明人：邢苏霄;彭艳兵;汪洋;程光;易黎;李渊;胡蓓蓓;吴桦 -专利权人：南京烽火星空通信发展有限公司
申请日： 2014-07-14 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H04L12/26 文献下载
摘要：一种基于分布式时空机理的主干网僵尸网络追踪方法,其将流量探针将流量中的DNS数据发给DNS异常流量检测引擎，该引擎利用白名单进行过滤后将DNS访问数据发送给FastFluxDNS探测模块检测具有FastFluxDNS特性的域名。流量探针将流量中的TCP握手报文和结束报文发送给宏观分布特性提取引擎，得到宏观分布特性表示的IP地址数据，由IP聚类器聚类得到异常行为的IP前缀，将IP前缀发送给分布式机理判别引擎进行异常IP行为特征提取。将具有FastFluxDNS特性的域名和异常IP行为特征进行二次探针过滤处理，将过滤结果输入到迭代器进行迭代，输出中间节点信息；重复由二次探针和迭代器反复迭代，直到二次探针没有输出为止，此时的中间节点信息即为能追踪的最高层级的僵尸网络节点。
一种基于分布式时空机理主干僵尸网络追踪方法

[实用新型]承力工具荷载即时监测装置-CN201320872406.X有效
发明人：袁齐坤;石利荣;陈宣林;张宇雄;时峰;张海东;周鹏程;李榕良;苗俊;孙熙胜;易黎;王国先;湛留洋;张方磊;吴恒 -专利权人：云南电网公司曲靖供电局
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： G01L5/00 文献下载
摘要：承力工具荷载即时监测装置，其特征在于包括上体、下体、拉力感应装置和拉力扭矩传感手持表，在上体与下体间的中部有一个拉力感应装置安装部，在上体上开有承力工具的连接螺孔，下体上开有承力工具的连接栓孔，拉力感应装置与拉力扭矩传感手持表通过数据线及其接线头插接。利用上、下体的螺孔和栓孔，用螺栓和螺母，与手扳葫芦相连接、与紧线丝杆搭配绝缘拉板、与紧线丝杆搭配绝缘吊杆组装，对这些承力工具的承受力即时监测，把承力数据传输到在拉力扭矩传感手持表的显示屏上，可清晰的读取即时的受力情况，从而避免出现超承载力情况下还进行作业的风险。
工具荷载即时监测装置

[发明专利]多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件-CN200610022263.8无效
发明人：李泽宏;易黎;张磊 -专利权人：四川绵阳信益科技有限公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：多晶硅/体硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规VDMOS中引入了pn结形成的二极管来耐压和泄放ESD电流。所述pn结由栅/源引出端之间的多晶硅掺杂和体硅掺杂区形成。本发明通过多晶硅/体硅ESD保护结构来承受ESD加在氧化层上的电压，泄放ESD引起的电流，避免器件氧化层介质击穿和器件来流熔化、二次击穿，从而大大提高了器件抗ESD能力。采用本发明还可以制作更多的具有高可靠性及更易操作性的抗ESD功率器件。
多晶体硅 esd 结构保护垂直扩散金属氧化物半导体功率器件

[发明专利]多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件-CN200610022264.2无效
发明人：李泽宏;易黎;张磊 -专利权人：四川绵阳信益科技有限公司
申请日： 2006-11-15 - 公布日： 2007-05-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：多晶硅ESD结构保护的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规VDMOS中引入了pn结形成的二极管来耐压和泄放ESD电流。所述pn结由不同掺杂类型的多晶硅本身形成。本发明通过多晶硅ESD保护结构来承受ESD加在氧化层上的电压，泄放ESD引起的电流，避免器件氧化层介质击穿和器件来流熔化、二次击穿，从而大大提高了器件抗ESD能力。采用本发明还可以制作更多的具有高可靠性及更易操作性的抗ESD功率器件。
多晶 esd 结构保护垂直扩散金属氧化物半导体功率器件

[发明专利]抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件-CN200610021068.3无效
发明人：李泽宏;张子澈;易黎;张磊;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2006-10-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：抗辐照、可集成的垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。采用漏引出端位于器件层表面的高功率SOI V－DMOS内引入由绝缘体区域4构成的部分埋氧结构，所述部分埋氧结构位于器件主要垂直导电通路的两旁，可紧靠重掺杂区3做在外延层5的体内，也可与重掺杂区3有一定距离地做在外延层5的体内；其形状可为矩形、梯形、椭圆形等；并可由二氧化硅或氮化硅等绝缘材料制作。本发明通过部分埋氧结构提供的高耐压、高电子—空穴对复合通道来提高器件耐压及抗辐照能力。此外，由于采用漏引出端9位于器件层表面的高功率SOI垂直DMOS结构，可以制作各种性能优良的抗辐照、高压、高速、高集成度垂直DMOS器件及功率集成电路、功率系统集成电路。
辐照集成垂直扩散金属氧化物半导体功率器件

[发明专利]一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件-CN200610020155.7无效
发明人：李泽宏;张子澈;张磊;易黎;张波;李肇基 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2006-01-16 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种垂直双扩散金属氧化物半导体功率器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在功率器件中引入部分埋氧区4，所述部分埋氧区4位于器件主要垂直导电通路的两旁，可做在外延层3上，或同时占据衬底2和外延层3的部分区域，或同时占据外延层3和p/n区5的部分区域，还可同时占据衬底2、外延层3和p/n区5的部分区域；其形状可为矩形、梯形、椭圆形等；并可由二氧化硅或氮化硅等绝缘材料制作。本发明通过部分埋氧结构提供的高耐压、高电子一空穴对复合通道来提高器件耐压及抗辐照能力。与传统的垂直DMOS相比，在相同导通电阻下，耐压提高20％以上，抗瞬态辐照能力提高2倍以上，单粒子失效阈值提高近1倍。采用本发明可以制作各种性能优良的抗辐照、高压、高速垂直DMOS器件。
一种垂直扩散金属氧化物半导体功率器件

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