“周俊卿”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果165个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]阻燃环保布料-CN201620756074.2有效
发明人： 周俊卿 -专利权人：杭州泰利德纺织科技有限公司
申请日： 2016-07-18 - 公布日： 2016-12-28 - 主分类号： B32B27/30 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种阻燃环保布料，该阻燃环保布料包括阻燃薄膜层和基层，所述基层通过经线和纬线交织而成，其特征是：所述阻燃薄膜层为阻燃PVC薄膜；所述经线包括芯纱和包覆在芯纱外的鞘纱，所述芯纱为不锈钢纤维，所述鞘纱为聚乳酸纤维，所述经线和纬线的结构相同，具有优良的阻燃性能以及环保性能的优点。
阻燃环保布料

[实用新型]一种建筑施工安全帽-CN201520958295.3有效
发明人：高有斌;刘文立;吴连成;李爱民;周俊卿 -专利权人：郑州大学
申请日： 2015-11-27 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： A42B1/08 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种建筑施工安全帽，包括帽体和帽沿，所述帽体由内衬和套在内衬上方的外壳构成，外壳和内衬之间均布有缓冲弹簧，所述外壳前端安装有照明灯，外壳前端部外侧安装有偏光玻璃罩，偏光玻璃罩通过转轴铰接在外壳两侧，偏光玻璃罩可绕转轴旋转到外壳顶部及外壳前部，所述外壳左右两侧壁上均布有反光带，外壳顶部安装有闪光灯，所述帽体右侧位置设有对讲机，帽体后部安装有蓄电池，蓄电池分别通过导线与照明灯、闪光灯、对讲机连接。本实用新型大大提高了安全帽的安全性能，在视线不好的环境下工作时可提供照明及警示作用，为施工人员人身安全提供保障。
一种建筑施工安全帽

[发明专利]布料切割装置-CN201510611670.1在审
发明人：夏志政;周俊卿 -专利权人：杭州泰利德纺织科技有限公司
申请日： 2015-09-23 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： D06H7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种布料切割装置，包括机体，所述机体上可滑动的设有底座，所述的底座上设有切割组件，所述切割组件包括安装座，安装座可升降的设置在底座上，安装座设有切割件以及驱动切割件转动的驱动组件，所述切割件的外周面设有摩擦切割部，所述的切割件设有对摩擦切割部加热的加热组件，底座上设有用于与摩擦切割部抵接的抵接轮，摩擦切割部先加热，同时通过摩擦切割部进行摩擦切割，切割后的布料不会割手，同时切割效率高。
布料切割装置

[实用新型]一种环保防辐射牛津布-CN201520692723.2有效
发明人：夏志政;周俊卿 -专利权人：杭州泰利德纺织科技有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： B32B3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种环保防辐射牛津布，包括内层布和外层布，使牛津布具备环保和防辐射的特点，其技术方案要点是：内层布与外层布之间设有PVC夹层，PVC夹层为网状，在网孔中填充有吸附性物质，可以吸附水分及有害性物质，使该布料具备优良的环保性能，设于PVC夹层与基布中的不锈钢丝网不仅可以防电磁辐射还能增加布料的结构强度。
一种环保防辐射牛津

[实用新型]一种吸水透气除味型针织布-CN201520691391.6有效
发明人：夏志政;周俊卿 -专利权人：杭州泰利德纺织科技有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸水透气除味型针织布，旨在提供一种能达到医用卫生标准的针织布，其技术方案要点是，包括针织布基层，所述针织布基层为珠地网眼结构的透气层，所述透气层表面设置有柔性层，柔性层表面设置有杀菌层，该杀菌层由一层熔喷层和两层纺粘层构成，所述熔喷层上设有供空气分子自由穿透并能阻隔水分子及菌类通过的微孔，该熔喷层的孔隙率为75％-85％。采用针织布基层作为基层，针织布基层为珠地网眼结构，质地柔软、吸湿透气，尤其是具有优良的弹性与延伸性，伸展较为柔和；采用一层熔喷层和两层纺粘层构成的杀菌层，能通过熔喷层的微控结构阻隔细菌，起到抑菌的作用。
一种吸水透气针织

[实用新型]抗静电阻燃防晒型箱包布-CN201520692409.4有效
发明人：夏志政;周俊卿 -专利权人：杭州泰利德纺织科技有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： D06M15/248 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗静电阻燃防晒型箱包布，解决了现有的箱包布功能过于单一的问题，其技术方案要点是包括布料基层，其特征是，所述布料基层表面设置有阻燃涂层，所述阻燃涂层表面设置有防晒层，所述防晒层表面设置有防水层；所述布料基层由经线和纬线交织而成，所述布料基层的经线或纬线中掺杂有导电纤维，所述防晒层为透明光触媒涂层，达到了抗静电、阻燃、防晒、防紫外线、防水等效果。
抗静电阻燃防晒箱包

[实用新型]防水透气箱包布-CN201520690902.2有效
发明人：夏志政;周俊卿 -专利权人：杭州泰利德纺织科技有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防水透气箱包布，包括布层和塑料层，布层在靠近塑料层的一侧涂有防水层，塑料层中设有多个凹槽，多个凹槽中均填充有干燥剂。本实用新型的有益效果：既具有良好的防水性能，又具有良好的透气性能，同时还能改善环境湿度。
防水透气箱包

[实用新型]抗高寒紫外线布料-CN201520691949.0有效
发明人：夏志政;周俊卿 -专利权人：杭州泰利德纺织科技有限公司
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： B32B27/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗高寒紫外线布料，包括布料主体和PVC涂层，所述布料主体为牛津布或者涤纶布，所述布料主体和PVC涂层之间设置有PU层，所述PU层上设置有小孔，所述小孔内嵌设有硅橡胶，所述PVC涂层外设置有抗紫外线层，通过采用上述技术方案，通过PVC涂层和PU层的联合作用，整个涂层（PVC涂层和PU层以及设置在PU层的小孔中的硅橡胶）不容易发生折断，且同时能够减轻整个涂层的重量，因此布料的重量也会减轻，制成的户外产品质量轻，便于携带。
高寒紫外线布料

[发明专利]金属互连结构及其制作方法-CN201310140861.5有效
发明人： 周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-04-22 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连结构及其制造方法，所述金属互连结构的制造方法，包括：提供半导体基底，在所述半导体基底上形成第一介质层，在第一介质层中形成若干平行排布的下层金属线；再依次形成第二介质层，隔绝层；去除部分下层金属线正上方的隔绝层；形成第三介质层；形成光刻胶层，所述光刻胶层中形成有通孔的掩膜图形，所述通孔的掩膜图形对应于所述隔绝层中的图形；在所述第三介质层和第二介质层中形成暴露出所述下层金属线的通孔；在所述通孔中填充导电层，以形成接连下层金属线的导电插塞。本发明的技术方案能够避免发生金属互连结构中导电插塞的底部与不需要连接的下层金属线短路的问题。
金属互连结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210513750.X有效
发明人：王新鹏;周俊卿;王冬江 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供形成有虚拟栅极结构的半导体衬底，所述虚拟栅极结构的两侧形成有侧壁结构，其两侧的源/漏区上形成有自对准金属硅化物；回蚀刻所述侧壁结构；对所述侧壁结构进行表面处理，以在所述侧壁结构的表面形成保护层；依次形成接触孔蚀刻停止层和层间介电层，以覆盖所述虚拟栅极结构；执行研磨过程以露出所述虚拟栅极结构的顶部；去除所述虚拟栅极结构中的牺牲栅电极层，形成金属栅极结构；再次形成另一层间介电层，以覆盖所述金属栅极结构；形成接触孔。根据本发明，在形成共享接触孔时，对接触孔蚀刻停止层的蚀刻不会破坏所述侧壁结构，因而其下方的衬底不会被蚀刻，从而避免由此引发的漏电现象。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]金属互连结构及其制作方法-CN201210477288.2有效
发明人：张城龙;周俊卿;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-11-21 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属互连结构及其制作方法。制作方法包括：提供具有目标电连接区域的半导体衬底；在该半导体衬底自下而上依次形成刻蚀终止层、介电层、Cu₃N硬掩膜层；在Cu₃N硬掩膜层上定义出用以形成沟槽的条状区域；定义出用以形成通孔的图形化光刻胶；以该图形化光刻胶为掩膜刻蚀介电层以形成通孔；以条状区域的硬掩膜层为掩膜刻蚀介电层以形成沟槽，此时通孔底部的刻蚀终止层暴露；对Cu₃N硬掩膜层进行处理形成Cu硬掩膜层，并湿法去除；进行干法去除通孔底部的刻蚀终止层以使半导体衬底的目标电连接区域暴露，并将沟槽开口处的尺寸进行扩大；在通孔及沟槽内填充导电材质。本发明的技术方案，提供了一种无空洞、电连接性能佳的金属互连结构。
金属互连结构及其制作方法

[发明专利]一种半导体器件的制备方法-CN201210323854.4在审
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件的制备方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上依次形成蚀刻停止层、介电层、硬掩膜叠层以及金属硬掩膜层；蚀刻所述金属硬掩膜层，形成开口；以所述金属硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述硬掩膜叠层、介电层，形成侧壁倾斜的锥形沟槽，其中，通过提高所述蚀刻温度和/或蚀刻气体的流量以在形成上述锥形沟槽的同时完全去除所述金属硬掩膜层。在本发明中通过提高所述蚀刻温度、蚀刻气体的流量从而形成锥形沟槽，在形成上述锥形沟槽的同时完全去除所述金属硬掩膜层，从而最上层硬掩膜叠层获得更大的开口，利用所述锥形沟槽能获得更好的填充效果，提高了半导体器件的良率。
一种半导体器件制备方法

[发明专利]刻蚀方法-CN201210348144.7有效
发明人：黄怡;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-18 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种刻蚀方法，包括：提供批次衬底，衬底表面形成有掩膜层和具有光刻图形光刻胶层；对N-1个衬底进行刻蚀，形成刻蚀图形；测量所述N-1个衬底中任意M个衬底中刻蚀图形的线宽，根据M个衬底中刻蚀图形线宽的平均值与目标尺寸的差值确定第一刻蚀参数；测量第N个衬底表面光刻胶层上光刻图形的底部线宽，根据其与目标尺寸的差值确定第二刻蚀参数；根据第一刻蚀参数和第二刻蚀确定刻蚀第N个衬底以形成刻蚀图形所需的刻蚀条件；以第N个衬底表面光刻胶层为掩模、采用刻蚀第N个衬底所需的刻蚀条件对第N个衬底表面的掩膜层以及衬底进行刻蚀，形成刻蚀图形。本发明刻蚀方法能够精确控制刻蚀图形的尺寸和形貌，降低批次衬底上刻蚀图形的差异。
刻蚀方法

[发明专利]一种双大马士革结构的制备方法-CN201210337282.5有效
发明人：王新鹏;胡敏达;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-09-12 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种双大马士革结构的制备方法，包括提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成蚀刻停止层，介电层、硬掩膜叠层、金属硬掩膜层；蚀刻所述金属硬掩膜层、所述硬掩膜叠层形成锥形开口；在所述金属掩膜层上形成图案化的通孔掩膜层；蚀刻所述介电层，形成多个沟槽和通孔；采用金属材料填充所述多个沟槽和通孔，执行化学机械平坦化步骤。本发明中为了在填充通孔时获得更好的效果，首先在金属硬掩膜以及氧化物硬掩膜层、低K材料硬掩膜层上形成锥形的开口，以获得顶部较大的开口，利用所述锥形开口填充通孔，能获得更好的填充效果，克服了现有技术中容易出现空洞和空隙的问题。
一种大马士革结构制备方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201210303059.9有效
发明人：张海洋;周俊卿 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-08-23 - 公布日： 2014-03-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述衬底上依次形成蚀刻停止层、第一介电层，第二介电层，硬掩膜层和金属硬掩膜层，其中，所述第二介电层相对于所述第一介电层具有更慢的蚀刻速率；蚀刻所述金属硬掩膜层，形成开口；以所述金属硬掩膜层为掩膜，蚀刻所述硬掩膜层、所述第二介电层和所述第一介电层，形成上面开口大的侧壁倾斜的锥形沟槽。本发明中为了在填充沟槽时获得更好的效果，在所述硬掩膜下方设置两种蚀刻速率不同的超低K材料，蚀刻过程中利用两者蚀刻速率不同从而形成锥形沟槽，利用所述锥形沟槽较大的开口能获得更好的填充效果，克服了现有技术中容易出现空洞和空隙的问题。
一种半导体器件制造方法