专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半透射式TFT阵列基板制造方法-CN201010127162.3有效
  • 任思雨;李建;于春崎;谢凡;胡君文;李林;何基强 - 信利半导体有限公司
  • 2010-03-16 - 2010-08-18 - H01L21/84
  • 本发明公开了一种半透射式TFT阵列基板制造方法,包括:在玻璃基板上溅射栅极金属层,栅极金属层经过光刻形成栅极图形;在栅极金属层之上连续沉积栅极绝缘层、半导体层,半导体层经光刻形成半导体层图形;在半导体层图形之上溅射源漏极金属层,源漏极金属层经过光刻形成源漏极金属层图形;在源漏极金属层沉积绝缘膜保护层,绝缘膜保护层经过光刻形成绝缘膜保护层图形;溅射透明像素层,透明像素层经过光刻形成像素电极;在透明像素层之上溅射金属反射层以及透射膜层保护层,在经过光刻形成像素金属反射层图形之后,通过蚀刻去掉透射膜层保护层。本发明能够解决在半透射型液晶显示器制程中TFT阵列基板上透射膜层易脱落的问题。
  • 一种透射tft阵列制造方法

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