专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]图像传感器及形成方法-CN202211353248.7在审
  • 陈林;孙玉鑫;付文;许乐 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2022-11-01 - 2023-02-03 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及形成方法,所述形成方法于衬底上形成若干金属焊盘及覆盖所述金属焊盘的介质层之后,图形化所述介质层以暴露至少部分所述金属焊盘,避免鼓包缺陷。WAT测试之时,暴露WAT测试用金属焊盘的同时,保留剩余金属焊盘上的所述介质层以避免工艺气体残留于CP测试用金属焊盘而导致的可靠性问题。CP测试用金属焊盘表面的所述保护层及所述介质层可于光学器件制程与透镜层共用同一光罩,从而降低制造成本。
  • 图像传感器形成方法
  • [发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202110849862.1在审
  • 徐涛;付文 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2021-07-27 - 2023-02-03 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器及其形成方法,通过设置转移晶体管或复位晶体管中的至少一个晶体管具有不同厚度的栅极介质层,以减少电子回流而产生的电子残留,改善图像质量。具体来说,转移晶体管中,靠近光电二极管的栅极介质层的厚度大于其他部分的栅极介质层的厚度,以使转移晶体管关闭时,靠近光电二极管的一端更容易关闭,从而减少电子回流到光电二极管,产生电子残留;复位晶体管中,靠近浮置扩散区的栅极介质层的厚度大于其他部分的栅极介质层的厚度,以使复位晶体管关闭时,靠近浮置扩散区的一端更容易关闭,从而减少电子回流到浮置扩散区,引起浮置扩散区电压降低,最终导致光电二极管读不干净,产生电子残留。
  • 图像传感器及其形成方法
  • [实用新型]发泡面板的平面链接结构-CN202222019662.6有效
  • 陈明;付文;钱景致;靳业奇;吴伟 - 大连冰山空调设备有限公司
  • 2022-08-02 - 2023-02-03 - F24F13/20
  • 本实用新型发泡面板的平面链接结构,涉及板材拼接技术领域,尤其涉及一种中央空调末端设备的发泡箱面板的链接结构组件。本实用新型包括:链接型材、阶梯型塑料通用件,两个阶梯型塑料通用件对称装于需要链接的两个发泡面板的端面;链接型材的型材凸件装于一个的阶梯型塑料通用件上,其前侧端面上设置有前凸的楔形嵌件;型材凹件装于一个的阶梯型塑料通用件上,其前侧端面设置成与型材凸件前端面楔形嵌件形状相匹配的楔形槽;型材凸件与型槽凹件通过楔形嵌件和楔形槽,配合将两块发泡板进行连接。本实用新型的技术方案解决了现有技术中的链接发泡箱体用的金属框架在内外钣金之间形成冷桥,使得发泡面板外表面凝露,影响使用;并且组装过程繁琐,强度受限等问题。
  • 发泡面板平面链接结构
  • [发明专利]图像传感器的形成方法及其图像传感器-CN202110813477.1在审
  • 徐涛;付文;郑展 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2021-07-19 - 2023-01-24 - H01L27/146
  • 本发明提供一种图像传感器的形成方法及其图像传感器,所述图像传感器的形成方法包括:提供半导体衬底,于半导体衬底预定位置形成深层掺杂区;于所述深层掺杂区之上形成浅层掺杂区,所述深层掺杂区与所述浅层掺杂区构成图像传感器的光生载流子收集区;于所述光生载流子收集区一侧,形成转移晶体管栅极以及浮置扩散区;其中,所述浅层掺杂区延伸至所述浮置扩散区,以使所述光生载流子收集区与所述浮置扩散区连通,从而提高所述转移晶体管对光生载流子的传导能力,同时提升图像传感器的满阱容量。本发明通过将光生载流子收集区与浮置扩散区连通,提高光生载流子的传输能力,并增大像素单元的满阱容量。
  • 图像传感器形成方法及其
  • [实用新型]一种钒精渣铁含量控制装置-CN202222068687.5有效
  • 谢俊;杨兵;张廷刚;邓晓飞;付文;韦林森 - 攀钢集团钒钛资源股份有限公司
  • 2022-08-05 - 2023-01-24 - B02C21/00
  • 本实用新型适用于钒渣处理设备技术领域,提供了一种钒精渣铁含量控制装置;包括:多级破碎磁选设备,设置为对粗钒渣进行逐级破碎和逐级磁选;吊装设备,设置为将粗钒渣加入至多级破碎磁选设备中;球磨机,设置为对多级破碎磁选设备完成多级破碎和多级磁选的钒渣进行球磨处理;及选粉机,设置为对球磨机完成球磨后的钒渣进行筛分,筛分出合格的精钒渣排入至钒精渣料仓中,筛分出不合格的精钒渣返回至球磨机中进行二次球磨处理。采用“多级破碎、多级磁选”工艺,分级控制,提升钒渣制取过程控制水平,稳定焙烧炉使用精钒渣铁含量及粒度。
  • 一种钒精渣铁含量控制装置
  • [实用新型]一种行星齿轮箱用拆除抓具-CN202222173319.7有效
  • 王新建;张廷刚;游本银;付文 - 攀钢集团钒钛资源股份有限公司
  • 2022-08-18 - 2023-01-24 - B25B27/00
  • 本实用新型公开了一种行星齿轮箱用拆除抓具,所述行星齿轮箱用拆除抓具用于拆除连接到行星齿轮箱的中心轴,其特征在于,包括:顶部支撑件;沿着垂直于所述顶部支撑件所在平面的方向从所述顶部支撑件延伸出的至少两个支撑梁;底部支撑件,所述底部支撑件设置在垂直于所述顶部支撑件所在平面的轴线的延长线上,且所述底部支撑件与所述顶部支撑件平行间隔设置;所述底部支撑件在远离所述顶部支撑件的端面与所述支撑梁形成中空空间,以用于容纳液压千斤顶。本实用新型公开的行星齿轮箱用拆除抓具可以承受碾轮机行星齿轮箱拆除所需的100吨以上拆除推力,而不发生破坏和变形。以及能通过多次使用以节约制作成本以及制作时间。
  • 一种行星齿轮箱拆除
  • [发明专利]一种线型静电纺丝装置及使用方法-CN202211303397.2在审
  • 陈晓青;梁家豪;谭湘;蔡业彬;付文;谢文玉;李长刚;李德豪 - 广东石油化工学院
  • 2022-10-24 - 2022-12-30 - D01D5/00
  • 本发明公开一种线型静电纺丝装置及使用方法,属于纳米纤维静电纺丝和纺织机械技术领域,包括:固定支架、供液棉芯、螺旋金属线、高压静电发生器、旋转拧紧接头、接收辊筒和接地线;供液棉芯安装在固定支架上部,螺旋金属线缠绕在供液棉芯表面,高压静电发生器安装在固定支架上,螺旋金属线的左端与高压静电发生器电连接,螺旋金属线的右端与旋转拧紧接头连接,接收辊筒转动连接在固定支架下部,接收辊筒通过接地线接地。本发明采用拧紧式的螺旋金属线作为纺丝的喷头,有效引导调控泰勒锥的成形与分布,实现在工业上进行批量化制备纳米纤维的静电纺丝技术,纤维直径均匀,易于调控射流分布密度,明显提高了纳米纤维的直径细度和直径分布均匀性。
  • 一种线型静电纺丝装置使用方法
  • [发明专利]图像传感器的形成方法-CN202110745002.3在审
  • 陈林;付文;许乐;郑展;冒伟伟 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2021-06-30 - 2022-12-30 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器的形成方法,所述方法包括:提供半导体衬底,其包括逻辑区和像素区;于所述半导体衬底表面形成第一介质层;于所述第一介质层表面形成第二介质层;至少于所述逻辑区形成第一沟槽;于所述半导体衬底上方形成第三介质层,填充第一沟槽;刻蚀所述像素区的第三介质层,形成第二沟槽,所述第二沟槽的底部停在所述第二介质层,所述第二沟槽用于所述像素区的离子注入。本发明有助于提高离子注入的沟道效应,在降低成本的情况下,增大工艺窗口,改善CIS的成像质量。
  • 图像传感器形成方法
  • [发明专利]一种图像传感器-CN202110708515.7在审
  • 郑展;陈林;付文 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2021-06-25 - 2022-12-27 - H01L27/146
  • 本发明公开了一种图像传感器,包括半导体衬底,其包括像素区和外围电路区;所述像素区与外围电路区之间存在至少部分隔离结构,用于隔离所述外围电路区的器件产生的光、热和/或电子扩散,以降低对所述像素区的影响;所述隔离结构包括至少一个硅通孔和/或硅沟槽结构。本发明通过硅通孔、硅沟槽结构的不同排布隔离外围电路区的器件产生的光、热和/或电子扩散,有效降低外围电路区的器件对像素区的影响。
  • 一种图像传感器
  • [发明专利]图像传感器及其形成方法-CN202211239584.9在审
  • 郑展;徐涛;付文 - 格科微电子(上海)有限公司
  • 2022-10-11 - 2022-12-23 - H01L27/146
  • 一种图像传感器及其形成方法,所述形成方法包括:在像素单元的基底上形成分裂栅极结构,所述分裂栅极结构包括:第一开关栅极、存储栅极和第二开关栅极。本发明技术方案,在像素单元的基底上形成分裂栅极结构,所述分裂栅极结构包括:第一开关栅极、存储栅极和第二开关栅极,以省去所述存储栅极两侧基底内的源漏区,减小所述第一开关栅极、所述存储栅极和所述第二开关栅极的占用面积,有利于所述像素单元面积的减小。
  • 图像传感器及其形成方法
  • [发明专利]沟槽填充方法及半导体器件-CN202110699512.1在审
  • 邹文;付文;胡杏;许乐 - 格科半导体(上海)有限公司
  • 2021-06-23 - 2022-12-23 - H01L21/768
  • 一种沟槽填充方法及半导体器件,所述方法包括:提供半导体衬底,所述半导体衬底具有第一沟槽和第二沟槽,所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度;采用化学气相沉积工艺形成第一钨层,所述第一钨层填满所述第一沟槽;采用物理气相沉积工艺形成第二钨层,所述第二钨层覆盖所述第一钨层,且填充所述第二沟槽的一部分。本发明可以有效避免影响后续工艺中金属铝沉积后表面的平整度,降低铝垫的缺陷风险以及外观缺陷,降低后续工艺中的副产物残留风险,提高半导体器件的品质。
  • 沟槽填充方法半导体器件

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