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[实用新型]一种道路施工测量用的锚杆拉拔仪-CN202320818807.0有效
发明人：王文强;齐国健;盖宏磊;张显;张鹏 -专利权人：甘肃路桥第三公路工程有限责任公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01N3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种道路施工测量用的锚杆拉拔仪，包括支撑框，所述支撑框的顶部固定连接有操作台，所述支撑框的底部设置有液压伸缩杆，所述支撑框的两侧固定连接有支撑架，所述支撑架的表面设置有加固装置，所述液压伸缩杆的输出端固定连接有牵引绳，所述牵引绳的端部固定连接有固定环，所述固定环套接有夹持装置，本实用新型涉及建筑质量检测设备技术领域。该一种道路施工测量用的锚杆拉拔仪，达到了利用夹持装置，快速对不同规格的锚杆进行夹持固定，然后液压伸缩杆工作，通过牵引绳带动夹持装置运动，即可对锚杆进行拉拔牵引，进而进行测试，支撑框的两侧设置支加固装置，便于对地面进行加固，提高整体稳定性，满足使用需求的目的。
一种道路施工测量拉拔

[发明专利]一种改善偏移的LED芯片切割方法-CN202111370826.3在审
发明人：郑军;王爱杰;李琳琳;齐国健;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种改善偏移的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤如下：(1)涂胶；(2)光刻：将涂胶后的LED芯片P面曝光，得到标识切割道和偏移刻度标识；(3)显影；(4)刻蚀；(5)去胶；(6)贴膜；(7)切割。本发明改善了常规化LED芯片切割工艺，添加了标识切割道和偏移刻度标识，通过让刀片沿着标识切割道行径进行切割，并在标识切割道路径上设置偏移刻度标识进行可视化数据调整，相当于多了一把直尺进行实时的偏移测量，有效地改善了常规化LED芯片切割工艺中凭经验调整偏移的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。
一种改善偏移 led 芯片切割方法

[发明专利]一种防止背崩的LED芯片切割方法-CN202110956765.2在审
发明人：郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止背崩的LED芯片切割方法。所述方法包括步骤：(1)贴膜；(2)切割；(3)微扩膜与缩膜；(4)压膜；(5)扣膜；(6)扩膜，完成切割。本发明改善了常规化芯片切割工艺，添加了预切割、微扩膜、缩膜、压膜和扣膜步骤，将应力分段传递，减少应力对芯片内里造成的影响，有效地改善了常规化芯片切割工艺将应力由表面直接一次性深入传递到芯片内里，容易造成芯片背崩的情况，克服了芯片切割过程中容易发生背崩的问题，极大地提高了芯片切割的合格率，降低了生产成本。
一种防止 led 芯片切割方法

[发明专利]一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法及工装-CN202010059978.0有效
发明人：郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-02-14 - 主分类号： B24B37/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种砷化镓LED芯片研磨后抛光的方法和工装，工装包括包括上板和下板，所述上板和下板通过固定栓连接；所述上板一侧设有手柄，下板的内侧面上设有用于固定陶瓷盘的固定槽。方法包括以下步骤：将芯片正面用蜡粘附在陶瓷盘上；将贴有芯片的陶瓷盘置于压片机下进行压片；将陶瓷盘吸附在研磨机机械臂的吸盘上进行芯片衬底的研磨；刷洗陶瓷盘；陶瓷盘放入工装内，浸入抛光试剂中腐蚀抛光；冲洗陶瓷盘；加热陶瓷盘，取下芯片。本方法能够有效地提高研磨后抛光的效率，避免芯片正面的损伤，且提高腐蚀抛光的效率、质量和安全性。
一种砷化镓 led 芯片研磨抛光方法工装

[发明专利]一种涵洞支撑加固装置-CN202210909698.3在审
发明人：祁金林;薛小勇;吴来东;齐国健;马发旺;张东平;李阳;杨海红;魏敬轩 -专利权人：甘肃路桥第三公路工程有限责任公司
申请日： 2022-07-29 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： E01F5/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种涵洞支撑加固装置，属于涵洞工程技术领域，它解决了现有装置在不使用时不便移动的问题。本涵洞支撑加固装置，包括工作箱和驱动组件，工作箱底部四个角均固定有脚座，工作箱底部开设有第一开口，工作箱内部固定有两个横板，两个横板上分别固定有第一伸缩杆和第二伸缩杆，第一伸缩杆上连接有支撑组件，第二伸缩杆的另一端固定有第一连接板，第一连接板通过轮架转动连接有转轮，转轮通过第一开口伸出工作箱，驱动组件位于工作箱内并与第一连接板抵触，且驱动组件能与支撑组件抵触。本发明具有让加固装置既能便于移动也能有效对涵洞支撑加固的优点。
一种涵洞支撑加固装置

[发明专利]一种芯片切割后处理方法-CN202210321794.6在审
发明人：徐盼盼;闫宝华;齐国健;李法健 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片切割后处理方法，包括如下步骤：(1)将电极面贴覆了白膜的芯片沿着电极面垂直方向及平行方向划片。(2)去除芯片电极面上的白膜，然后在芯片的非电极面贴上白膜，沿着所述非电极面垂直方向及平行方向划片，并保留非电极面上的白膜。(3)沿着芯片的电极面切割道中心对芯片进行垂直方向及平行方向劈裂。(4)清洗劈裂完成的芯片，然后对白膜进行微括处理，完成后对芯片进行倒膜，使芯片非电极面朝向蓝膜粘贴面；然后对芯片进行加热扩膜，即可。本发明的方法解决了切割后芯片崩边、崩角、残胶污染的问题，显著提升了切割良率。同时，该方法无需增加额外设备及材料，易于工业化实现。
一种芯片切割处理方法

[发明专利]一种提高LED管芯表面洁净度的方法-CN201910556507.8有效
发明人：郑军;齐国健;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高LED管芯表面洁净度的方法,具体步骤包括：(1)切割：将LED芯片切割成独立的管芯；(2)初次高压清洗：对切割后的LED芯片进行初次高压清洗；(3)扩膜：对初次高压清洗后的LED芯片进行扩膜；(4)酸洗：将扩膜后的LED芯片浸入到酸洗试剂中进行清洗；(5)二次高压清洗：对酸洗后的LED芯片进行二次高压清洗；(6)检验：对二次高压清洗后的LED芯片进行检验。该方法工艺的稳定性好，同时可保证了芯片表面的洁净度，提高了产品流向客户后的焊线性能。
一种提高 led 管芯表面洁净方法

[发明专利]测试LED芯片参数的方法-CN201910660037.X有效
发明人：郑军;李琳琳;齐国健;闫宝华;王成新 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明实施例公开了测试LED芯片参数的方法，包括步骤：S1,对芯片进行半切操作，形成测试点；S2,对芯片进行参数测试，输出芯片参数测试结果及各参数的Mapping图；S3，全切，形成若干颗独立的管芯；S4,扩膜，使所述管芯之间产生间隙；S5，对应Mapping图，划定参数范围，并夹取划定范围内的管芯，放置到铜板上；S6,对管芯逐一进行扎测，输出单颗管芯参数测试结果；S7，将芯片参数测试结果与管芯参数测试结果进行对比，若两测试结果符合差异率标准，测试通过。通过对全切后的管芯进行扎测，将芯片测试参数与管芯扎测参数对比，提高了对芯片测试参数的准确性监控，保证了产品性能参数的准确性，提升产品可靠性。
测试 led 芯片参数方法

[发明专利]一种减小LED芯片切割损失的切割方法-CN201910561911.4有效
发明人：郑军;李琳琳;齐国健 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2019-06-26 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小LED芯片切割损失的切割方法，本发明首先对芯片P面进行半切，利用测试机进行测试，便于输出芯片的亮度，电压，波长等光电参数；再利用匀胶机对芯片P面涂覆光刻胶，形成掩护膜，再对芯片P面进行曝光显影，腐蚀暴露切割道；再对芯片N面涂覆光刻胶，用于保护N面金属的同时也便于进行后续的干法刻蚀；洗去P面的掩护膜并贴蓝膜，最后洗去N面的胶膜，倒膜，结束切割操作。本发明设计了一种减小LED芯片切割损失的切割方法，利用N面胶膜设计，并配合干法刻蚀，有效避免了芯片切割时发生崩边、飞片等情况，降低了芯片切割损耗，同时也还保证管芯芯粒的出光效率，提高产品良率，具有较高是实用性。
一种减小 led 芯片切割损失方法

[实用新型]一种用于冷却塔的喷淋结构-CN202021369586.6有效
发明人：高思芳;隋福田;王家勇;马元起;王金昆;李志杰;康宝来;刘洵;杨柏雨;孙超;姜维国;窦军华;杨晓峰;齐国健;杜长青;李开敏;杨鹏 -专利权人：河南信安工程技术有限公司
申请日： 2020-07-13 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： F28F25/06 文献下载
摘要：本实用新型属于喷淋领域，公开了一种用于冷却塔的喷淋结构，包括喷头本体，所述喷头本体的外壁上通过支撑装置固定设有扩散盘，喷头本体喷出的水与扩散盘进行三次的撞击，使得产生的水花向四周溅落，从而增大了喷洒水的覆盖面积，保证了循环水的冷却效果，提高了冷却效率。
一种用于冷却塔喷淋结构

[发明专利]一种用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法-CN201610863574.0有效
发明人：郑军;齐国健;汤福国;闫宝华;刘琦 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2016-09-29 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： B24B3/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法。该磨刀方法选取的硅片的生产晶向与待切割的LED芯片的生长晶向一致，利用金属的记忆性及延展性，增强刀刃磨削时与切割物的匹配度，提高磨削质量；另外，本发明所述用于切割GaAs基LED芯片的刀片的磨刀方法，选取的硅片在磨刀作业前进行烘烤操作，释放了硅片自身的应力，避免磨刀过程中的崩裂，提高对刀刃的磨削效果；另一方面提高了蓝膜的延展性，使膜彻底舒张开，减小蓝膜带来的形变应力影响。
磨刀切割刀片硅片磨削延展性晶向蓝膜刀刃形变应力崩裂记忆性匹配度切割物烘烤减小张开金属生长释放生产

[发明专利]一种GaAs基LED芯片的切割方法-CN201510629523.7在审
发明人：郑军;李法健;齐国健;刘琦;徐现刚 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2015-09-29 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种GaAs基LED芯片的切割方法，包括如下步骤：（1）P面半切，形成纵横交错的切割槽，将芯片P面电极等间距分隔开；（2）将芯片P电极向下朝向白膜，N电极向上，贴在白膜上；（3）沿P面半切的切割槽进行芯片N面划片，释放芯片N面应力；（4）将划过的芯片进行倒膜，芯片由白膜转移到蓝膜上；（5）在芯片N面用裂片机的劈刀沿划痕进行裂片，芯片被加工成独立的晶粒。本发利用改善后的贴片方法，采用锯片机与激光划片机优势互取的组合切割方法，最大限度释放了芯片P面应力和N面应力，并减小了贴膜时带来的形变应力影响，由此减少了芯片切割后容易出现的崩边、裂管芯现象，提高了芯片切割后的外观质量。
一种 gaas led 芯片切割方法

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