专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]携带物控制门-CN200810084813.8有效
  • 山口昭治;黄田保宪;高桥邦广;马里奥·福斯;井上浩良;松田司 - 富士施乐株式会社
  • 2008-03-27 - 2009-03-25 - G01R33/02
  • 本发明公开一种携带物控制门,该携带物控制门包括励磁线圈、检测线圈和信号处理单元。励磁线圈在通向对物体的带入或带出进行控制的区域的通道中形成交变磁场。检测线圈检测当表现出大巴克豪森效应的磁性材料在交变磁场中磁化反转时交变磁场的变化。信号处理单元根据检测线圈检测到的信号判断是否由于大巴克豪森效应而在交变磁场中产生磁化反转。信号处理单元包括放大器,所述放大器采用多个不同的放大系数放大检测线圈检测到的信号,并且输出以所述多个不同放大系数中的每个放大系数放大的信号。
  • 携带控制
  • [发明专利]控制门-CN200810147535.6无效
  • 高桥邦广;马里奥·福斯;松田司;山口昭治;黄田保宪;井上浩良 - 富士施乐株式会社
  • 2008-08-20 - 2009-03-25 - E05F15/20
  • 本发明公开了一种控制门,其包括励磁线圈和检测线圈。所述励磁线圈在进入或离开对象物的带出或带入受到控制的区域的通道中形成交变磁场。所述检测线圈检测当产生大巴克豪森效应的对象物中所包含的磁性物质在所述交变磁场中引起磁化反转时的磁场变化。所述励磁线圈设置在所述通道的上方并且具有沿着水平面盘绕的绕组线。所述检测线圈设置在所述通道的侧部并且具有沿着与所述通道的通行方向平行的竖直平面盘绕的绕组线。
  • 控制
  • [发明专利]控制门-CN200810133281.2无效
  • 井上浩良;山口昭治;黄田保宪;高桥邦广;马里奥·福斯;松田司 - 富士施乐株式会社
  • 2008-07-25 - 2009-01-28 - E05F15/20
  • 本发明公开了一种控制门,该控制门包括第一励磁线圈、第一检测线圈、第二励磁线圈、第二检测线圈、信号判别单元以及放大倍数设定单元。所述第一励磁线圈在通道中形成第一交变磁场。所述第一检测线圈检测所述第一交变磁场的变化。所述第二励磁线圈在所述通道中形成第二交变磁场。所述第二检测线圈检测所述第二交变磁场的变化。所述信号判别单元包括第一放大器,所述第一放大器放大所述第一检测线圈的第一检测信号,并且基于放大后的第一检测信号判别磁性材料是否通过。所述放大倍数设定单元基于所述第二检测线圈的第二检测信号设定所述第一放大器的第一放大倍数。
  • 控制
  • [发明专利]安全系统和安全方法-CN200710130571.7有效
  • 马里奥·福斯;山口昭治;黄田保宪;高桥邦广 - 富士施乐株式会社
  • 2007-07-18 - 2008-06-04 - G07C9/00
  • 本发明公开一种安全系统,包括:普通文件输出装置,其安装在普通文件对应区域中,并且输出非机密文件的普通文件;机密文件输出装置,其安装在所述普通文件对应区域的外部,位于机密文件对应区域中,并且将机密文件输出到具有检测目标单元且专门用于机密文件的介质上,所述普通文件对应区域和所述机密文件对应区域构成这样的空间,即:所述机密文件对应区域包括所述普通文件对应区域;以及检测单元,其至少分别设置在第一通道或所述第一通道的入口和出口处以及第二通道或所述第二通道的入口和出口处,并且检测所述检测目标单元。
  • 安全系统方法
  • [发明专利]记录介质检测系统-CN200610101742.9有效
  • 山口昭治;黄田保宪;高桥邦广;布施真理雄;松田司 - 富士施乐株式会社
  • 2006-07-07 - 2007-07-04 - G01R33/02
  • 本发明提供了一种记录介质检测系统,具有:磁场产生单元,用于在预定特定区域内产生交变磁场;靠近所述特定区域设置的检测单元,用于检测不小于预定磁通量密度差B2的磁通量密度变化;记录介质,包含多个由磁性材料制成并且形成为具有预定长度的线状的磁性线,在施加交变磁场的时候,这些磁性线会引发大巴克豪森效应;并且在将记录介质放在所述特定区域内的时候,由检测单元在安装位置检测到的磁通量密度差B1不小于磁通量密度差B2。
  • 记录介质检测系统

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