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[实用新型]气氛炉炉门密封装置-CN202222438216.9有效
发明人：刘亚飞;黄榕旭;史大成 -专利权人：常州苏晶电子材料有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：本实用新型属于炉体技术领域，尤其是一种气氛炉炉门密封装置，现提出如下方案，包括炉体、设置在炉体上的炉门架和炉门及设置在炉门架上的驱动组件，所述炉门的上方和所述炉体之间设置有进行二次密封的角钢，所述角钢通过内部镶嵌的角钢密封件密封于所述炉体和所述炉门之间，所述炉门的上端安装有至少两组可用于所述角钢在炉体和炉门之间密封严密的压紧组件。本实用新型通过设置压紧组件、角钢及角钢密封件，启动电动推杆使其活塞杆推动转臂，转臂对角钢施压，从而使角钢上的角钢密封件紧密压紧于炉门和炉体之间，使其结构严紧，炉门密封严密，起到二次密封作用。
气氛炉门密封装置

[实用新型]粉末冶金用封口装置-CN202222438583.9有效
发明人：史大成;张学文;黄榕旭 -专利权人：常州苏晶电子材料有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B22F1/14 文献下载
摘要：本实用新型属于粉末冶金技术领域，尤其是一种粉末冶金用封口装置，现提出如下方案，包括外衬支撑钢套及安装在外衬支撑钢套端部的锁紧组件，所述外衬支撑钢套的内壁定位装配有延伸至所述锁紧组件中进行锁紧的胶套，所述锁紧组件包括凹配合压模、凸配合压模及锁紧螺栓，所述凹配合压模设置在所述外衬支撑钢套一端。本实用新型通过设置凹配合压模、凸配合压模和胶套，胶套一头依次按要求凹配合压模和凸配合压模通过锁紧螺栓把胶套挤压收紧密封，即可装配完毕。该装置设计巧妙，胶套无死角挤压变形全方位机械密封，这种机械密封设计简单并安全可靠，操作简单使用寿命长。
粉末冶金封口装置

[实用新型]粉末冶金用橡胶异型封口装置-CN202222518161.2有效
发明人：史大成;张学文;黄榕旭 -专利权人：常州苏晶电子材料有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B22F3/03 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种粉末冶金用橡胶异型封口装置，包括内衬支撑钢套、外衬支撑钢套及设置在内衬支撑钢套和外衬支撑钢套之间的胶套，所述胶套伸出内衬支撑钢套和外衬支撑钢套的两端设置有封口机构。本实用新型通过设置内衬支撑钢套和外衬支撑钢套，将内衬支撑钢套和外衬支撑钢套撑住胶套，将凹配合压模和凸配合压模夹住胶套的一端，扭动螺钉让凹配合压模和凸配合压模挤压胶套封堵住胶套的一端，从胶套的另一端往胶套内倒入冶金粉末，将冶金粉末振实，然后重复上述操作将胶套的另一端用凹配合压模和凸配合压模封堵住，完成机械式密封的封堵，达到了操作简单并安全可靠及寿命长的效果。
粉末冶金橡胶异型封口装置

[发明专利]一种钼晶圆片的磨抛方法-CN202010493068.3在审
发明人：鄢展圣;连玉清;蒋丽娟;孟亚丽;黄榕旭;吴荣祯 -专利权人：福建阿石创新材料股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明提供了一种钼晶圆片的磨抛方法，属于磨抛技术领域。本发明的磨抛方法包括以下步骤：将工装安装到双面研磨装置中，并将待磨抛钼晶圆片置于工装的装夹孔内，采用双面研磨装置对待磨抛钼晶圆片进行双面磨抛；所述工装的厚度小于钼晶圆片的目标厚度。本发明通过控制工装的厚度小于钼晶圆片的目标厚度，能够减少磨抛过程中研磨垫对装夹有钼晶圆片的工装的挤压，从而避免工装变形导致的钼晶圆片加工质量较差的问题。实施例的结果表明，采用本发明的方法磨抛后，得到的钼晶圆片具有高的平整度和低的粗糙度，且无变形情况出现。
一种钼晶圆片方法

[实用新型]靶材表面喷砂保护板装置-CN201721647968.9有效
发明人：张学文;胡清熊;黄榕旭 -专利权人：常州苏晶电子材料有限公司
申请日： 2017-11-30 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： B24C9/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及靶材表面喷砂保护技术领域，尤其是一种靶材表面喷砂保护板装置。这种靶材表面喷砂保护板装置，包括操作台，操作台上表面从下往上依次防止有靶材和刚性模板，所述操作台边缘处安装有多个将靶材和刚性模板夹持在操作台上的夹具。本实用新型装置简单，使用方便，易实现，成本低，通过本实用新型可以避免胶水残留，保证靶材表面质量，减小工作强度，提高了工作效率。
靶材表面喷砂保护板装置本实用新型刚性模板靶材操作台夹具操作台边缘工作效率胶水残留夹持减小保证

[发明专利]半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法-CN200410018260.8无效
发明人： 黄榕旭;辛丕闻;刘建海;孙波;姚冬霞 -专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2004-05-12 - 公布日： 2005-11-16 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺中淀积铝填充亚微米孔的方法，采用物理气相淀积金属铝的方法，其中，淀积的过程为分步淀积，首先在孔壁上以不高于第一温度进行第一阶段淀积，淀积浸润层；再以不低于第二温度进行第二阶段淀积，该阶段中，还包括金属铝的回流，第二阶段淀积可反复进行多次；该方法具体包括以下步骤：在亚微米孔的孔壁上，以不高于第一温度淀积浸润层，采用溅射的方式进行淀积；将温度升高，使其不低于第二温度，使金属铝加热回流；维持温度不低于第二温度，在孔内进行淀积，也采用溅射的方式；抽真空使其基础压强低于一设定值；其中，使金属铝加热回流和在孔内进行淀积的步骤可反复进行多次。该方法能较好地解决高深宽比的孔的填充。
半导体工艺中淀积铝填充微米方法