专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]遮光保护盒及遮光保护盒组件-CN202121822375.8有效
  • 张云雪;宋丹;何玉国;黄安琳;张钱依 - 宁波市知行光学科技有限公司
  • 2021-08-05 - 2022-01-21 - G03F1/66
  • 本申请公开了一种遮光保护盒及遮光保护盒组件,本申请中的遮光保护盒包括第一盖板及第二盖板;其中,第一盖板上设有第一盲孔,第一盲孔具有第一内底面及第一连接面,第一连接面与第一内底面连接;第二盖板与第一盖板连接,第二盖板上设有第二盲孔;第一连接面与第一内底面之间的角度大于90°且小于180°,第一内底面、第一连接面和第二盲孔的内表面形成容纳腔。本申请中的遮光保护盒可对匀胶铬版进行遮光保存,避免光刻胶在光照条件下失效;同时本申请中的遮光保护盒的内表面不与匀胶铬版中的光刻胶层相接触,避免胶层受到污染,有效保护涂胶表面。
  • 遮光保护组件
  • [发明专利]生成补偿器的方法-CN202111170050.0在审
  • 张云雪;宋丹;何玉国;张钱依;黄安琳 - 宁波市知行光学科技有限公司
  • 2021-10-08 - 2021-12-10 - G02B5/32
  • 本申请公开了一种生成补偿器的方法,涉及光学的技术领域,本申请的生成补偿器的方法,包括在基底上进行镀膜,形成辅助膜层;在辅助膜层上进行涂胶、曝光和显影,形成原始图案;采用预设气体刻蚀显影后的辅助膜层,并在刻蚀到达基底时,继续刻蚀预设时间段后,停止刻蚀,生成计算全息图;其中,基底的材料与辅助膜层的材料不同,预设气体在基底上的刻蚀速率与在辅助膜层上的刻蚀速率不同。故本申请通过在基底上增加辅助膜层,避免了在离子刻蚀过程中,由于刻蚀腔内不同区域离子浓度不同和其它刻蚀参数不同而导致的刻蚀速率不同,进一步避免了由于不同区域的刻蚀深度不均匀,而影响计算全息图的波前精度。
  • 生成补偿方法
  • [发明专利]制作成像板的方法及成像板-CN202110589021.1在审
  • 张云雪;宋丹;何玉国;黄安琳 - 宁波市知行光学科技有限公司
  • 2021-05-27 - 2021-08-31 - H01L21/033
  • 本申请公开了一种制作成像板的方法及成像板,涉及制造工艺技术领域,本申请的制作成像板的方法,包括在基板上进行旋涂光刻胶,形成光刻胶层;对光刻胶层进行曝光显影,形成光刻板的反向图案;在反向图案上镀膜,形成遮挡膜层;将镀有遮挡膜层的基板放入预设溶液中,对光刻胶进行溶解,得到与光刻板具备相同图案的成像板。故根据本申请的制作成像板的方法所制成的成像板,能够利用成像板上的遮挡膜层遮挡红外光,从而对红外相机进行标定。
  • 制作成像方法
  • [发明专利]制作漫反射板的方法及漫反射板-CN202110596964.7在审
  • 张云雪;宋丹;何玉国;黄安琳 - 宁波市知行光学科技有限公司
  • 2021-05-28 - 2021-08-31 - G02B5/02
  • 本申请公开了一种制作漫反射板的方法及漫反射板,涉及标定板的技术领域,本申请的制作漫反射板的方法,包括在基板上生成一层漫反射层;在漫反射层上镀膜,形成待刻蚀膜层;在待刻蚀膜层上进行涂胶、曝光和显影,形成初始图案;根据所述初始图案刻蚀所述待刻蚀膜层,形成图案层,得到漫反射板。故本申请相比于现有技术,加工周期短、加工成本低,成品精度高,且增强了标定板表面的漫反射现象,减小了镜面反射对标定结果的影响,从而提高了标定的精度。
  • 制作漫反射方法
  • [发明专利]生成补偿器的方法-CN202110568962.7在审
  • 张云雪;宋丹;何玉国;黄安琳 - 宁波市知行光学科技有限公司
  • 2021-05-24 - 2021-08-24 - G02B5/32
  • 本申请公开了一种生成补偿器的方法,涉及光学的技术领域,本申请的生成补偿器的方法,包括在基底上进行镀膜,形成辅助膜层;在辅助膜层上进行涂胶、曝光和显影,形成原始图案;采用预设气体刻蚀显影后的辅助膜层,并在刻蚀到达基底时,继续刻蚀预设时间段后,停止刻蚀,生成计算全息图;其中,基底的材料与辅助膜层的材料不同,预设气体在基底上的刻蚀速率与在辅助膜层上的刻蚀速率不同。故本申请通过在基底上增加辅助膜层,避免了在离子刻蚀过程中,由于刻蚀腔内不同区域离子浓度不同和其它刻蚀参数不同而导致的刻蚀速率不同,进一步避免了由于不同区域的刻蚀深度不均匀,而影响计算全息图的的波前精度。
  • 生成补偿方法

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