专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种钙钛矿发光二极管及其制备方法-CN202110159174.2有效
  • 王坚;李海华;王磊;李妙姿;张斌斌;麦超晃;陈丹 - 华南理工大学
  • 2021-02-05 - 2022-05-24 - H01L51/50
  • 本发明公开了一种钙钛矿发光二极管及其制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管中的空穴注入层由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成。本发明的钙钛矿发光二极管的制备方法包括以下步骤:1)在阳极层上形成由碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS组成的空穴注入层;2)在空穴注入层上形成钙钛矿发光层;3)在钙钛矿发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层。本发明采用碳酸铵掺杂的PEDOT:PSS作为空穴注入层,不仅可以增加空穴的注入,有利于器件的载流子平衡,而且碳酸铵可以弱化PEDOT:PSS的酸性,减少空穴注入层对阳极层的腐蚀以及对钙钛矿发光层的发光淬灭,进而可以提高发光器件的发光亮度和电流效率。
  • 一种钙钛矿发光二极管及其制备方法

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