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[发明专利]方块电阻测量点原位的晶圆厚度测量装置-CN202210289362.1在审
发明人：刘相华;卢琪;郭俊超 -专利权人： 麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： G01B21/08 文献下载
摘要：本公开涉及一种方块电阻测量点原位的晶圆厚度测量装置。该测量装置包括固定基座；载片台，可移动地连接于固定基座，以承载待测硅片；测量机构，具有测量探头；升降机构，连接于所述固定基座，所述测量机构可移动地连接于所述升降机构，以能够沿竖直方向移动，并使得所述测量机构靠近或者远离所述载片台；高度检测机构，用于检测所述测量探头触碰至基体时的当前高度信息，所述基体为所述载片台或放置于所述载片台上的硅片；控制器，分别通信连接于所述测量机构和所述高度检测机构。由此，解决现有技术中的测量设备难以兼顾测量效率和适用范围的问题。
方块电阻测量原位厚度装置

[实用新型]导电薄膜多探针测量装置-CN202020125069.8有效
发明人：刘相华;胡振贤 -专利权人： 麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种导电薄膜多探针测量装置，涉及薄膜检测技术领域，所解决的是控制探针力的技术问题。该装置包括测量基座、探头座；所述探头座上设有多根探针，每根探针上都设有弹性加力部件，所述测量基座上设有能上下活动的活动座，并且在测量基座上设有用于驱使活动座向上回位的弹性回位部件，所述探头座固定在活动座上；所述测量基座上设有推杆，及用于驱动推杆上下滑动的推杆驱动部件，推杆的下端抵住活动座，推杆上设有用于检测推杆所承受的竖向压力的压力传感器。本实用新型提供的装置，适用于测量导电薄膜方块电阻。
导电薄膜探针测量装置

[实用新型]导电薄膜方块电阻多探针测量头-CN201921439542.3有效
发明人：刘相华 -专利权人： 麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种导电薄膜方块电阻多探针测量头，涉及薄膜检测技术领域，所解决的是提升边缘测量能力的技术问题。该测量头包括探头座，其特征在于：所述探头座上设有5个探针，该5个探针分别为第一探针、第二探针、第三探针、第四探针、第五探针；所述第一探针、第二探针、第三探针、第四探针依序等间距直线排列；所述第一探针、第四探针、第五探针布设成等腰三角形的形状，并且第五探针位于在等腰三角形的顶角部，第一探针、第四探针分别位于等腰三角形的两底角部。本实用新型提供的测量头，用于导电薄膜的测量。
导电薄膜方块电阻探针测量

[发明专利]导电薄膜多探针测量装置及其测量方法-CN202010062468.9在审
发明人：刘相华;胡振贤 -专利权人： 麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
申请日： 2020-01-20 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种导电薄膜多探针测量装置及其测量方法，涉及薄膜检测技术领域，所解决的是控制探针力的技术问题。该装置包括测量基座、探头座；所述探头座上设有多根探针，每根探针上都设有弹性加力部件，所述测量基座上设有能上下活动的活动座，并且在测量基座上设有用于驱使活动座向上回位的弹性回位部件，所述探头座固定在活动座上；所述测量基座上设有推杆，及用于驱动推杆上下滑动的推杆驱动部件，推杆的下端抵住活动座，推杆上设有用于检测推杆所承受的竖向压力的压力传感器。本发明提供的装置及方法，适用于测量导电薄膜方块电阻。
导电薄膜探针测量装置及其测量方法

[发明专利]导电薄膜方块电阻多探针测量方法及测量头-CN201910821249.1在审
发明人：刘相华 -专利权人： 麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：一种导电薄膜方块电阻多探针测量方法及测量头，涉及薄膜检测技术领域，所解决的是提升边缘测量能力的技术问题。该方法在目标样品上设定5个测量点，其中的4个点按传统四探针法排列成一个直线段P₁₄，P5设置在直线段P₁₄的中垂线上，并位于直线段P₁₄的内侧；然后在P1、P4处导入测量电流I的情况下，测量P2、P5之间的电势差U_25A及P2、P3之间的电势差U₂₃；在P1、P3处导入测量电流的情况下，测量P2、P5之间的电势差U_25B；再将U|_25A/U|_25B作为r的值推导出r‑Cf函数曲线；再根据r‑Cf函数曲线求得校正因子Cf的值，并根据校正因子Cf的值计算目标样品的方块电阻。本发明提供的方法及测量头，用于导电薄膜的测量。
测量导电薄膜方块电阻测量头电势差直线段测量电流函数曲线校正因子多探针薄膜检测边缘测量计算目标目标样品四探针法测量点中垂线推导点按

[发明专利]晶圆导电薄膜加工系统-CN201910669630.0在审
发明人：刘相华 -专利权人： 麦峤里（上海）半导体科技有限责任公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种晶圆导电薄膜加工系统，涉及半导体加工技术领域，所解决的是提高膜厚测量精度的技术问题。该系统包括工艺腔、传送腔，所述工艺腔中设有膜厚处理装置，所述传送腔上设有两个装载盒，传送腔内设有晶圆预对准装置、机械手；所述晶圆预对准装置包括预对准底座，及安装在预对准底座上的旋转托盘，预对准底座上设有旋转电机；所述预对准底座上固定有横梁，横梁上设有能沿旋转托盘的径向滑动的涡电流传感器，并且涡电流传感器位于旋转托盘的上方，横梁上设有用于导引涡电流传感器滑动的导轨，及用于驱动涡电流传感器滑动的横移驱动部件。本发明提供的系统，适用于晶圆导电薄膜的加厚或减薄。
涡电流传感器预对准晶圆底座导电薄膜旋转托盘传送腔横梁预对准装置加工系统滑动工艺腔半导体加工技术横移驱动部件处理装置径向滑动膜厚测量旋转电机机械手加厚装载盒导轨导引减薄膜厚种晶驱动