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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]沉积多孔膜的方法-CN200580028245.4无效
发明人： 麦妍施;罗金诚 -专利权人： 麦妍施;罗金诚
申请日： 2005-08-16 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明提出一种用于沉积多孔氧化硅与掺杂氧化硅膜之方法。该方法使用循环方式，其中每个循环包括先共沉积氧化硅与硅，然后选择性去除该硅以形成多孔结构。在较佳具体实施例中，该共沉积作用系以等离子体强化化学气相沉积法进行。该试剂进料流包括共沉积试剂与选择性硅去除试剂的混合物。使用RF功率调变控制该共沉积作用及该选择性硅去除步骤，后者步骤总是在关闭该RF功率或是将其降至低水准时进行。以此方法可制得具有高度均匀小孔及所需孔率轮廓之多孔膜。该方法有利于形成广泛范围之供半导体集成电路制造用的低k电介质。该方法亦有利于形成用于其它应用之其它多孔膜。
沉积多孔方法

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