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[发明专利]光电耦合器性能测试方法、系统、电子设备及存储介质-CN202310315970.X在审
发明人：宋修扬;孙军旗;赵利;张军;袁海兵;孙玉群;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本申请揭示一种光电耦合器性能测试方法、测试系统、电子设备及计算机可读存储介质，该方案首先对光电耦合器的输入端施加逐渐增大的输入电压，基于光电耦合器的输出端的响应电压确定光电耦合器的工作电压，再对光电耦合器的输入端施加所确定的工作电压，从而进一步获得其他性能参数，例如导通响应时间、关断响应时间、响应电压稳定性等，实现了对光电耦合器的工作电压等性能参数的测试，以进一步评估光电耦合器是否合格；且，本申请在所确定的光电耦合器的工作电压下进行其他性能参数的测试，测试结果准确性更高。
光电耦合器性能测试方法系统电子设备存储介质

[发明专利]一种晶圆测试方法及装置-CN202310443485.0在审
发明人：王可增;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-20 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆测试方法及装置，涉及半导体制造工艺技术领域，能够快速筛选出不符合新规范要求的晶粒，从而提高cp测试的效率。该方法包括：获取晶圆的第一测试结果，第一测试结果包括晶圆中符合第一参数规范的m个第一晶粒的产品参数，m≥1，m为整数；根据第二参数规范对每个第一晶粒的产品参数进行检测，得到第二测试结果，第二测试结果指示m个第一晶粒中不符合第二参数规范的n个第二晶粒，0≤n≤m，n为整数。
一种测试方法装置

[发明专利]半导体器件及其制作方法和芯片-CN202110479821.8有效
发明人：李星毅;谷玲玲;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法和芯片，半导体器件的制作方法包括步骤：在硅衬底上依次形成氧化硅层和氮化硅层；蚀刻氧化硅层、氮化硅层和硅衬底形成多个浅沟槽；在所述浅沟槽内形成厚度为200‑300埃米的隔离氧化层；对所述浅沟槽进行退火温度为900‑960摄氏度的退火处理；在所述浅沟槽内填充隔离绝缘层，使所述隔离绝缘层的顶部高于所述氧化硅层，且所述隔离绝缘层将所述氧化硅层划分为多个第一有源区和第二有源区；蚀刻掉所述氮化硅层；对所述第一有源区和第二有源区分别进行离子注入，并在所述第一有源区和第二有源区中形成对应的P型MOS管和N型MOS管。这样能够防止机台中的重金属离子扩散到有源区和浅沟槽的交界处，从而避免了空洞的产生。
半导体器件及其制作方法芯片

[实用新型]晶舟以及扩散设备-CN202222550999.X有效
发明人：曲凯;史仁先;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶舟及扩散设备，涉及半导体技术领域，所述晶舟用于承载晶圆，所述晶舟包括多个支撑柱、第一支撑板和第二支撑板，多个所述支撑柱设置在所述第一支撑板和所述第二支撑板之间，且与所述第一支撑板和所述第二支撑板连接；每一所述支撑柱上自所述第一支撑板向所述第二支撑板的方向上间隔设置有多个承载部，各所述支撑柱上处于同一水平面的所述承载部承载所述晶圆；其中，所述承载部上设置有凸起，所述凸起的横截面积沿靠近所述承载部到背离所述承载部的方向逐渐减少；所述凸起的表面间隔设置有多条凸纹。本申请通过上述方式，改善晶舟上的承载部与晶圆在氧化沉积过程中发生粘黏的问题。
以及扩散设备

[实用新型]晶舟及扩散设备-CN202222550938.3有效
发明人：曲凯;史仁先;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请公开了一种晶舟及扩散设备，涉及半导体技术领域，晶舟包括多个支撑柱、第一支撑板和第二支撑板，多个支撑柱设置在第一支撑板和第二支撑板之间，且与第一支撑板和第二支撑板连接；每一支撑柱上设置有多个承载部，各支撑柱上处于同一水平面的承载部承载晶圆，晶圆包括产品晶圆和控片晶圆；承载部包括多个产品承载部和多个控片承载部，控片承载部垂直于支撑柱方向上的宽度小于产品承载部垂直于支撑柱方向上的宽度，和/或相邻两个控片承载部之间的间距小于相邻两个产品承载部之间的间距。本申请通过以上方式，改善由于晶舟上承载部的宽度与间距均相同，导致控片膜厚和实际产品的不一致，影响膜层检测精准度的问题。
扩散设备

[实用新型]夹具装置-CN202222869769.X有效
发明人：孔跃春;韩佳伟;刘孝玲;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B25B11/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种夹具装置，夹具装置包括：安装座、第一夹持件、第二夹持件和活动件；第一夹持件、第二夹持件均铰接于安装座，第一夹持件和第二夹持件之间形成夹持空间，第一夹持件、第二夹持件远离安装座的端部用于夹持划片机刀片；活动件穿设于安装座，活动件具有沿穿设方向移动的第一位置和第二位置，活动件的一端均与第一夹持件、第二夹持件铰接；其中，活动件自第一位置切换至第二位置时，带动第一夹持件与第二夹持件移动，并使夹持空间减小或者增大。本方案的夹具装置能够使得划片机刀片因安装受损的比例大幅度降低，且操作便捷，结构简单。
夹具装置

[实用新型]快恢复二极管和电子设备-CN202222569404.5有效
发明人：陈富荣;张浩;李星毅;徐兴达;徐世佼;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种快恢复二极管和电子设备，涉及半导体技术领域，快恢复二极管和电子设备包括：衬底以及设置在所述衬底上的外延层，所述外延层包括在厚度方向上设置的第一外延层和第二外延层，所述第二外延层位于所述第二外延层远离所述衬底的一侧，所述第一外延层形成有截止环、分压环和有源层，所述分压环间隔环绕在所述有源层的外侧，所述截止环包括截止拐角段和与所述截止拐角段连接的直线段，所述截止拐角段在所述衬底上的正投影面积小于或等于所述直线段在所述衬底上的正投影面积，所述截止拐角段设有在所述厚度方向上贯穿自身的镂空孔。本方案的的截止环所受到的电场线不易集中，且成本低。
恢复二极管电子设备

[发明专利]一种深层土壤采集设备-CN202211135737.5在审
发明人： 鲁艳春 -专利权人： 鲁艳春
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01N1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种深层土壤采集设备，涉及土壤采集技术领域，包括采集筒，滑动设置在采集架上；多个第一通孔，沿周向螺旋设置在采集筒侧壁；多个挡板，转动设置在多个第一通孔内部；采集匣，滑动设置在采集筒内部；多个第二通孔，沿周向设置在采集匣侧壁，多个第一通孔在水平方向的位置与多个第二通孔相互对应；采集盒，转动套设在采集匣外部，侧壁设有第三通孔；联动组件，使得采集匣向上滑动并使得采集盒转动，土壤由挡板进入，依次通过第一通孔、第三通孔和第二通孔，最终进入采集匣中。本发明通过联动组件使得采集匣向上滑动并使得采集盒转动，土壤由挡板进入，依次通过第一通孔、第三通孔和第二通孔，最终进入采集匣中，完成对土壤的收集。
一种深层土壤采集设备

[发明专利]光敏芯片的测试方法以及系统-CN202211014741.6在审
发明人：张婵娟;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01R31/311 文献下载
摘要：本申请公开了一种光敏芯片的测试方法以及系统，涉及芯片测试领域。光敏芯片的测试方法包括：在待测光敏芯片置于移动装置的情况下，控制移动装置移动，待测光敏芯片的感光面朝向光源装置，待测光敏芯片的感光面包括多个感光点，每个位置对应一个感光点。获取移动装置位于不同的位置时，对应的感光点的目标参数，目标参数用于反映待测光敏芯片对光信号的敏感程度。根据每个感光点的目标参数，从多个感光点中确定待测光敏芯片上对光信号最敏感的感光点。本申请通过控制移动装置移动的方法，保证找到的定位点是待测光敏芯片上能检测到光信号最敏感的位置。
光敏芯片测试方法以及系统

[发明专利]光敏二极管的制备方法及半导体器件-CN202111671859.1在审
发明人：郭幸辰;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及一种光敏二极管的制备方法及半导体器件。该光敏二极管的制备方法包括：提供衬底，在衬底的正面和背面分别生长第一氧化层；通过湿法刻蚀的方式刻蚀掉衬底背面的第一氧化层和衬底正面周侧的第一氧化层；对衬底的正面和背面以及第一氧化层的正面和侧面作扩散处理，生成第一掺杂区；对衬底的正面和背面进行高温推结，在第一氧化层的正面、第一掺杂区的正面以及第一掺杂区的背面分别生长第二氧化层；通过干法刻蚀的方式刻蚀掉衬底正面的第一氧化层和第二氧化层；对衬底的正面进行扩散处理，生成第二掺杂区。本申请的扩散方式设备成本造价低，具有更好的刻蚀均匀性且节省工序。
光敏二极管制备方法半导体器件

[实用新型]磁耦隔离器-CN202221977081.7有效
发明人：徐兴达;李星毅;陈富荣;张浩;徐世佼;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本申请公开了一种磁耦隔离器，涉及信号传输技术领域。该磁耦隔离器包括CMOS芯片、第一绝缘层、多个导电连接体和多个金属线圈。第一绝缘层位于CMOS芯片与多个金属线圈之间。多个导电连接体均贯穿第一绝缘层。多个金属线圈通过多个导电连接体与CMOS芯片的多个连接端一一连接，且CMOS芯片的多个连接端相互短接。在磁耦隔离器工作时，多个金属线圈可以同时作为变压器的初级线圈或次级线圈工作，从而可以提高信号的传输速率。
隔离器

[实用新型]片框及晶圆夹具工装-CN202221562373.4有效
发明人：张浩;余梦霖;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请涉及一种片框及晶圆夹具工装。该片框包括间隔设置的两个立柱，两个所述立柱的相对表面分别开设有凹槽，两个所述凹槽之间用于放置晶圆，两个所述凹槽槽底之间的距离沿所述晶圆的放置方向渐缩设置，所述凹槽沿第一方向两侧设置有第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和第二侧壁向背离所述晶圆的方向凹陷形成凹陷部，所述凹陷部与所述凹槽连通。第一侧壁和第二侧壁形成凹陷部，相对于直线结构来说，减少了片框对晶圆表面的遮挡，增大晶圆表面和溶液的接触面积，二者充分接触，并且由于片框与晶圆接触面积变小，从而残留溶液较少，使得反应后的晶圆边缘不存在色差，提高芯片清洗和腐蚀工艺的均匀性，提升芯片的性能。
夹具工装

[发明专利]多晶硅层的炉内均匀性控制方法-CN202210748350.0在审
发明人：曲凯;史仁先;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅层的炉内均匀性控制方法，包括的步骤有：将多个衬底置于多晶硅沉积炉内，且至少是分布炉内的在炉口和炉尾处；将多晶硅沉积炉内的条件调节至多晶硅沉积条件，将气态的多晶硅前驱体从炉口和炉尾两端同时进气的方式导入多晶硅沉积炉内进行反应并沉积，在包括P+沟道内和连接区的表面形成多晶硅层；至少对炉口和炉尾处形成的多晶硅层厚度进行测定并获得炉内均匀性值，当多晶硅层厚度的炉内均匀性值大于预定值T，对炉尾进行升温处理或或对炉口进行降温处理。本申请控制方法能够明显改善多晶硅场板在量产过程中性能稳定，从而提高其良品率、产率和降低其成本。
多晶均匀控制方法

[实用新型]片匣盒和烤箱-CN202221287765.4有效
发明人：韩佳伟;孔跃春;刘孝玲;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请公开了一种片匣盒和烤箱，所述片匣盒包括底板和至少三个固定板，至少三个所述固定板与所述底板垂直设置，至少三个所述固定板与所述底板围成一放置槽，其中两个所述固定板相对设置，两个相对设置的所述固定板的内侧面分别设有多条限位槽，且条所述限位槽对应设置，所述底板和至少三个所述固定板的表面设有特氟龙材料层；本申请通过采用以上设计，在用片匣盒对晶圆进行烘烤树脂填充后，便于清洁树脂残留物。
片匣盒烤箱

[发明专利]多晶硅场板及其制备方法和应用-CN202210747974.0在审
发明人：曲凯;史仁先;鲁艳春 -专利权人：北海惠科半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-29 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本申请公开了一种多晶硅场板及其制备方法和应用。多晶硅场板包括衬底，在衬底上设有连接区和P+环区；P+环区包括多个隔离岛，每一隔离岛呈框型并结合在衬底表面上，多个隔离岛间隔分布，并依次围合连接区；相邻两隔离岛之间形成框型P+沟道，在P+沟道内填充有复合多晶硅层；复合多晶硅层包括掺杂多晶硅层和与掺杂多晶硅层层叠结合的无掺杂多晶硅层，且掺杂多晶硅层结合在P+沟道的底部，在无掺杂多晶硅层的背离掺杂多晶硅层的表面还含有导电改性层。多晶硅场板电场效应所含的复合多晶硅层导电性能高，具有良好的导通性。含有本申请多晶硅场板的半导体功率器件的可靠性等性能得到了提高。
多晶硅场板及其制备方法应用

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