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[发明专利]基于表面电荷积累效应的具有室温负磁电阻特征的器件-CN202310859938.8在审
发明人：何雄;杨凡黎;王立峰;易立志;许云丽;鲁广铎;刘敏;潘礼庆 -专利权人：三峡大学
申请日： 2023-07-13 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面电荷积累效应的具有室温负磁电阻特征的器件，属于半导体器件技术领域，包括半导体基体和四个金属电极，其中两个金属电极位于所述半导体基体两端，用于提供持续的电场，另外两个金属电极为电压信号探测电极，位于所述半导体基体中间某一相同侧面；器件置于脉冲强磁场中，半导体基体内部载流子由于极强洛伦兹力作用而向所述电压信号探测电极一侧发生偏转聚集，在探测电极一侧形成强表面电荷积累效应，该效应对所述器件的磁电阻形成很强的负反馈机制，从而使得所述器件呈现出室温负磁电阻特征。本发明结构简单、性能测量方法成熟，可用于实现脉冲强磁场环境下磁逻辑器件领域的应用。
基于表面电荷积累效应具有室温磁电特征器件

[发明专利]一种Cr掺杂提高NiCoMnSn变磁性能的哈斯勒合金及其制备方法-CN201810122797.0有效
发明人：许云丽;潘礼庆;杨栋超;代智文;刘敏;黄秀峰;鲁广铎;邬丰羽 -专利权人：三峡大学
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： C22C30/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种Cr掺杂提高NiCoMnSn变磁性能的哈斯勒合金及其制备方法，该合金化学式为Ni50‑xCoxMn50‑y‑zCrzSny，其中5≤x≤7，9≤y≤12和0.5≤z≤1.5。其具体组分为Ni43Co7Mn38Cr1Sn11或者Ni43Co7Mn38.5Cr0.5Sn11或者Ni43Co7Mn37.5Cr1.5Sn11。该合金制备方法为真空电弧熔炼法。该合金马氏体相变温度在100K～330K，在3T磁场下，母相的磁化强度为106.5Am2/kg，母相与马氏体相的磁化强度之差为85Am2/kg。磁熵变为‑11.3J/Kg/K。通过Cr元素掺杂增强了Ni43Co7Mn39Sn11合金的磁化强度，并增大了母相与马氏体相的磁化强度之差，促进了磁诱导相变的发生。
一种 cr 掺杂提高 nicomnsn 磁性哈斯勒合金及其制备方法

[发明专利]一种加速度测量装置及方法-CN201710306500.1有效
发明人：杨先卫;潘礼庆;罗志会;谭超;刘敏;赵华;任琼英;邵明学;肖文栋;朴红光;王超;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2017-05-04 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G01P15/125 文献下载
摘要：本发明公开了一种加速度测量装置及方法。该装置包括：电极笼、位移测量系统、悬浮控制系统、检验质量块和计算装置；电极笼为长方体；检验质量块初始时位于电极笼内部的平衡位置；位移测量系统用于测量检验质量块的位移数据，悬浮控制系统的输入端连接位移测量系统的输出端，悬浮控制系统的输出端连接电极笼，用于根据位移测量系统测量的位移数据产生反馈控制电压，控制所述检验质量块的平动和转动，使所述检验质量块悬浮于所述电极笼的平衡位置；计算装置的输入端连接悬浮控制系统的另一输出端，根据反馈控制电压计算检验质量块的线加速度和角加速度。采用本发明，实现了测控分离，降低了测量系统与控制系统之间的相互干扰，提高检测精度。
一种加速度测量装置方法

[发明专利]一种单轴MEMS加速度计-CN201611032202.X有效
发明人：潘礼庆;杨先卫;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01P15/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种单轴MEMS加速度计。该加速度计包括磁场源，用于产生梯度磁场，磁场源的位置固定；隧道磁电阻芯片，为具有隧道磁电阻传感器的芯片，隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化；隧道磁电阻芯片的数量为两个，分别位于所述磁场源的两侧，隧道磁电阻芯片与磁场源位于同一直线上，隧道磁电阻芯片的磁敏感方向与磁场源的磁矩方向位于同一直线上，且隧道磁电阻芯片关于所述磁场源对称，隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线在同一方向上移动。本发明提供的加速度计与现有技术中的加速度测量仪器相比，提高了加速度的测量精度，扩大了加速度的测量范围。
隧道磁电阻磁场源芯片加速度计同一直线单轴测量加速度测量仪器梯度磁场同一方向磁敏感上移动传感器磁场磁矩感知对称

[发明专利]一种基于巨磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计-CN201611032186.4有效
发明人：杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于巨磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计，包括：晶圆外框，包括相互垂直的横框和竖框，竖框设于横框的竖直中心线上，将横框一侧所在平面划分成两个区域；磁源，固定设于竖框上；两个检验质量块，分别设于两个所述区域内，且每一所述检验质量块由一垂直设于所述横框上的支撑梁支撑；两个巨磁阻芯片，分别安装于两个检验质量块上，且两个巨磁阻芯片对称设置于磁源两侧，巨磁阻芯片的中心点到横框的距离与磁源的中心点到横框的距离相等，巨磁阻芯片的磁敏感方向与磁源的磁矩方向相同，且检验质量块在加速度作用下的位移方向与磁矩方向在同一直线上。该基于巨磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计具有精度高、测量范围大的优点。
一种基于磁电效应分式 mems 加速度计

[发明专利]一种基于各向异性磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计-CN201611032189.8有效
发明人：潘礼庆;杨先卫;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： G01P15/105 文献下载
摘要：本发明公开一种基于各向异性磁电阻效应的差分式单轴MEMS加速度计，所述差分式单轴MEMS加速度计包括：晶圆框体，所述晶圆框体包括中心竖框，所述中心竖框将所述晶圆框体的内部空间分为两个封闭的框室；磁源，所述磁源设置在所述晶圆框体的中心竖框中；支撑梁、检验质量块、AMR芯片，各所述框室内均容置有一个支撑梁、检验质量块、AMR芯片，且各所述AMR芯片的中心与磁源的中心在同一水平线上，所述磁源到各所述AMR芯片的距离相同，使得各所述AMR芯片的磁敏感方向与磁源的磁矩方向相同，且各所述检验质量块的位移方向与磁矩方向在同一条直线上，以保证各所述AMR芯片只感受到单一方向的磁场。本发明差分式单轴MEMS加速度计，可提高加速度的测量精度和测量范围。
一种基于各向异性磁电效应分式 mems 加速度计

[发明专利]一种基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计-CN201611031239.0有效
发明人：杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开一种基于各向异性磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，所述单轴MEMS加速度计包括：晶圆框体，所述晶圆框体的内部空间为封闭的框室；支撑梁，所述支撑梁设置于所述框室内，且所述支撑梁的一端连接在所述框室的横框内壁上；检验质量块，所述检验质量块设置在所述支撑梁的另一端；磁源，所述磁源设置在所述框室的竖框内壁上；AMR芯片，所述AMR芯片安装于所述检验质量块上，所述AMR芯片的中心与所述磁源的中心在同一水平线上，使得所述AMR芯片的磁敏感方向与所述磁源的磁矩方向相同，且所述检验质量块的位移方向与磁矩方向在同一条直线上，以保证AMR芯片只感受到单一方向的磁场。本发明单轴MEMS加速度计可提高加速度的测量精度和测量范围。
检验质量块支撑梁磁源单轴芯片框室各向异性磁电阻效应晶圆框磁矩内壁测量同一水平线同一条直线芯片安装一端连接磁敏感横框竖框磁场室内封闭保证

[发明专利]一种单轴MEMS加速度计-CN201611031240.3有效
发明人：杨先卫;潘礼庆;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G01P15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种单轴MEMS加速度计。该加速度计包括磁场源，用于产生梯度磁场，所述磁场源的位置固定；隧道磁电阻芯片，所述隧道磁电阻芯片为具有隧道磁电阻传感器的芯片，所述隧道磁电阻芯片用于感知磁场大小和方向的变化；所述隧道磁电阻芯片与所述磁场源位于同一直线上，所述隧道磁电阻芯片在加速度的作用下能够沿所述直线移动，所述隧道磁电阻芯片的磁敏感方向与所述磁场源的磁矩方向位于同一直线上。本发明提供的单轴MEMS加速度计具有精度高、测量范围大、体积小的优势。
隧道磁电阻芯片磁场源单轴同一直线加速度计梯度磁场直线移动传感器磁敏感磁矩磁场感知测量

[发明专利]一种基于巨磁电阻效应的单轴MEMS加速度计-CN201611032241.X有效
发明人：潘礼庆;杨先卫;王超;罗志会;谭超;刘敏;朴红光;鲁广铎;许云丽;黄秀峰;郑胜;赵华;张超 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-11-22 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G01P15/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于巨磁电阻效应的单轴MEMS加速度计，包括：晶圆外框，包括相互垂直的横框和竖框；磁源，固定设于所述竖框上；检验质量块，由一垂直设于所述横框上的支撑梁支撑；巨磁阻芯片，安装于所述检验质量块上，所述巨磁阻芯片的中心点到所述横框的距离与所述磁源的中心点到所述横框的距离相等，巨磁阻芯片的磁敏感方向与磁源的磁矩方向相同，且检验质量块在加速度作用下的位移方向与磁矩方向在同一直线上。该基于巨磁电阻效应的单轴MEMS加速度计具有精度高、测量范围大的优点。
一种基于磁电效应 mems 加速度计

[发明专利]高精度光学位移磁悬浮加速度计-CN201610090220.7有效
发明人：杨先卫;罗志会;潘礼庆;刘亚;赵华;邵明学;丁红胜;郑胜;鲁广铎;刘敏;许云丽;黄秀峰;朴红光;许文年;李建林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： G01P15/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度光学位移磁悬浮加速度计，用于测量飞行器的线性加速度。包括真空磁屏蔽腔系统、光学相干位移检测系统、磁悬浮控制系统和小磁体检验质量块。所述加速度计采用光学相干位移检测技术来实现对小磁体检验质量块位置和姿态的实时精确测量，采用磁悬浮控制技术来实现对小磁体检验质量块位置和姿态的精确回归控制，从而将小磁体检验质量块始终控制在腔室中心；当空间飞行器受到外界非保守力作用时，由于飞行器的加速度将正比于位置控制线圈的电流大小，最终通过位置控制线圈电流的测量即可精确测量加速度的大小和方向。所述加速度计可以避开高精度机械加工的技术瓶颈，制作工艺简单，可以实现更高精度的加速度矢量测量。
高精度光学位移磁悬浮加速度计

[发明专利]一种磁性金属构件表面应力集中区及微裂纹的磁探测方法-CN201510615820.6有效
发明人：杨先卫;潘礼庆;许云丽;朴红光;罗志会;谭超;马雪佳;黄秀峰;鲁广铎;郑胜;丁红胜;赵华 -专利权人：三峡大学
申请日： 2015-09-24 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： G01N27/85 文献下载
摘要：一种磁性金属构件表面应力集中区及微裂纹的磁探测方法，在金属表面的方向施加一个一定强度的交变磁场，用磁传感器探测金属近表面各处的弱磁信号；通过锁相技术对探测到的弱磁信号进行处理，依据应力集中区表面弱磁信号的特点来提取与应力集中区相关的特征信号，获得对应于应力集中区或微裂纹处的磁信号大小；最后利用计算机绘图获得金属表层应力集中区分布图，并给出应力集中区大小、强度、形状的定量关系，从而对金属构件可能发生的断裂地点进行早期预警。本发明一种磁性金属构件表面应力集中区及微裂纹的磁探测方法，依据应力集中区表面弱磁信号的特点来绘制应力集中区的分布图，并给出应力集中区大小、强度、形状的定量关系，从而对金属构件可能发生的断裂地点进行早期预警。
一种磁性金属构件表面应力集中裂纹探测方法

[发明专利]基于光学位移传感的空间小磁体悬浮控制装置-CN201610090219.4有效
发明人：罗志会;刘亚;潘礼庆;杨先卫;赵华;邵明学;郑胜;鲁广铎;刘敏;许云丽;黄秀峰;许文年;李建林 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-02-18 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： G05D1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光学位移传感的空间小磁体悬浮控制装置，涉及小磁体悬浮控制装置技术领域。包括磁屏蔽腔、小磁体、光学相干位移检测系统和磁悬浮控制系统。其中光学相干位移检测系统包括5组光学准直探头、光纤、5个等臂长迈克尔逊位移检测装置和数字相位解调PGC电路。磁悬浮控制系统包括4组位置控制线圈、2组姿态控制线圈和电流控制电路。通过光学相干位移检测系统精确测定小磁体在三个平动方向上的位移量，以及绕垂直于小磁体磁矩方向的两个转轴的旋转角，再通过磁悬浮控制系统让小磁体回归到原始位置，并保持小磁体磁矩方向不变，从而实现空间小磁体高精度的悬浮控制。
基于光学位移传感空间磁体悬浮控制装置

[发明专利]一种基于2D人造磁振子晶体的弱磁探测器件-CN201510090516.4有效
发明人：朴红光;黄琳;潘礼庆;贾高萌;陈澄;鲁广铎;黄秀峰;杨磊 -专利权人：三峡大学
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： G01R33/24 文献下载
摘要：一种基于2D人造磁振子晶体的弱磁探测器件，包括非磁性的衬底，所述衬底上设有铁磁薄膜层，所述铁磁薄膜层上设有同样用铁磁材料制备的、呈周期排列的图案化铁磁元件阵列，通过周期排列的元件在恒定辅助磁场和高频交变电磁场的共同作用下产生表面自旋波，在某一频率附近产生共振吸收现象形成共振峰，这种自旋波的共振效应则被用来当做传感器件的应用，基于这种结构的弱磁探测器件称作2D人造磁振子晶体。本发明是一种基于2D人造磁振子晶体的弱磁探测器件，其结构简单、且通过调节器件的参数可灵活调控获取微弱信号。
一种基于人造磁振子晶体探测器件

[发明专利]一种三维空间磁场测量系统-CN201610033435.5在审
发明人：潘礼庆;刘亚;罗志会;杨先卫;郑胜;许云丽;鲁广铎;刘敏;黄秀峰 -专利权人：三峡大学
申请日： 2016-01-19 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G01R33/02 文献下载
摘要：一种三维空间磁场测量系统，包括磁场测量硬件系统和基于LabVIEW空间反演递推软件系统两部分，所述磁场信号测量硬件系统包括：多层磁感传感器阵列探头和以FPGA为核心的信号处理板，所述基于LabVIEW空间反演递推软件系统包括USB通讯模块、磁感传感器模块监测模块、表格显示模块、数据保存模块、反演算法模块、递推算法模块、三维笛卡尔坐标系显示模块、数据回放模块。本发明实现了三维空间磁场测量、软硬件协同工作，将测量结果实时的表格和图形化显示，且有储存和回放功能，使得磁场测量更加精确、高效、简便。
一种三维空间磁场测量系统

[实用新型]一种矢量磁传感器阵列-CN201520399200.9有效
发明人：罗志会;徐校明;刘亚;许云丽;潘礼庆;杨先卫;鲁广铎 -专利权人：三峡大学
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2015-09-16 - 主分类号： G01B7/02 文献下载
摘要：一种矢量磁传感器阵列，包括多个磁敏矢量传感器、驱动芯片，控制电路及PCB电路板，磁敏矢量传感器与所述驱动芯片连接，磁敏矢量传感器与驱动芯片位于所述PCB电路板的顶层，控制电路被设计为对所述驱动芯片进行参数配置和数据的读取，并通过RS-232串口工作方式传输数据给上位机，控制电路位于所述PCB电路板的底层，与驱动电路通过过孔连接。该矢量磁传感器阵列通过定位模具辅助焊接，保证了X方向、Y方向、Z方向磁敏电感的位置精度和正交性，具有良好的位移测量精度。电路结构紧凑，体积小，功耗低，易于规模集成，制作方法简单，实用性强。
一种矢量传感器阵列

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