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[发明专利]电子设备、锂离子二次电池、正极活性物质及其制造方法-CN202310819946.X在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供一种电子设备、锂离子二次电池、正极活性物质及其制造方法。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
电子设备锂离子二次电池正极活性物质及其制造方法

[发明专利]锂离子二次电池-CN202310815747.1在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
锂离子二次电池

[发明专利]正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池-CN202310815723.6在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01M4/525 文献下载
摘要：本发明提供一种正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
正极活性物质及其制造方法以及锂离子二次电池

[发明专利]锂离子二次电池的制造方法-CN202210842675.5有效
发明人：三上真弓;内田彩;米田祐美子;门马洋平;高桥正弘;落合辉明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明提供一种大容量且循环特性优良的锂离子二次电池的制造方法。该正极活性物质的充电状态和放电状态间的结晶结构变化小。例如在放电状态下具有层状岩盐型结晶结构，并且在以4.6V左右的高电压充电的状态下具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质的起因于充放电的结晶结构及体积的变化比现有的正极活性物质少。
锂离子二次电池制造方法

[发明专利]正极活性物质的制造方法以及锂离子二次电池-CN202310819933.2在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供一种正极活性物质的制造方法以及锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
正极活性物质制造方法以及锂离子二次电池

[发明专利]锂离子二次电池、电子设备及车辆-CN201911410550.X有效
发明人：川上贵洋;落合辉明;门马洋平;鹤田彩惠;高桥正弘;三上真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-10-06 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
锂离子二次电池电子设备车辆

[发明专利]正极活性物质、正极活性物质的制造方法以及二次电池-CN201880024809.4有效
发明人：三上真弓;内田彩;米田祐美子;门马洋平;高桥正弘;落合辉明 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2018-05-11 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：提供一种大容量且循环特性优良的正极活性物质。该正极活性物质的充电状态和放电状态间的结晶结构变化小。例如在放电状态下具有层状岩盐型结晶结构，并且在以4.6V左右的高电压充电的状态下具有拟尖晶石型结晶结构的正极活性物质的起因于充放电的结晶结构及体积的变化比现有的正极活性物质少。
正极活性物质制造方法以及二次电池

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201811108754.3有效
发明人：山崎舜平;广桥拓也;高桥正弘;岛津贵志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：可以使用更大的衬底，并且通过形成具有高结晶性程度的氧化物半导体层，可以制造具有所希望的高场效应迁移率的晶体管，由此可以实现大型显示装置或高性能半导体装置等的实用化。在衬底上形成第一多元氧化物半导体层，以及在第一多元氧化物半导体层上形成单元氧化物半导体层；然后，通过在500℃以上1000℃以下，优选为550℃以上750℃以下进行加热处理从表面向内部进行结晶生长，使得形成包含单晶区域的第一多元氧化物半导体层及包含单晶区域的单元氧化物半导体层；以及在包含单晶区域的单元氧化物半导体层上层叠包含单晶区域的第二多元氧化物半导体层。
制造半导体装置方法

[发明专利]锂离子二次电池-CN202310771325.9在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
锂离子二次电池

[发明专利]锂离子二次电池-CN202310769198.9在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
锂离子二次电池

[发明专利]锂离子二次电池的制造方法-CN202310763612.5在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01M10/058 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子二次电池的制造方法。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
锂离子二次电池制造方法

[发明专利]锂离子二次电池-CN202310761910.0在审
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本发明提供一种锂离子二次电池。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
锂离子二次电池

[发明专利]锂离子二次电池-CN201911291429.X有效
发明人：落合辉明;川上贵洋;三上真弓;门马洋平;高桥正弘;鹤田彩惠 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01M4/131 文献下载
摘要：提供一种可以提高二次电池的循环特性的正极活性物质。在如钴酸锂等具有层状岩盐型晶体结构的正极活性物质的表层部设置有两种区域，其中内侧的区域为包含如钛等过渡金属的非整比化合物，而外侧的区域为如氧化镁等主族元素的化合物。该两种区域的每一个具有岩盐型晶体结构。内侧的层状岩盐型晶体结构和表层部的两种区域是拓扑衍生的，由此可以有效地抑制因充放电而发生的正极活性物质的晶体结构的变化。此外，因为与电解液接触的外包覆层使用在化学方面稳定的主族元素的化合物，所以可以提供一种循环特性优越的二次电池。
锂离子二次电池

[发明专利]正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法-CN202310122746.9在审
发明人：川上贵洋;落合辉明;门马洋平;鹤田彩惠;高桥正弘;三上真弓 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2017-10-06 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：本公开的发明名称是“正极活性物质粒子以及正极活性物质粒子的制造方法”。提供一种当被用于锂离子二次电池时抑制因充放电循环导致的容量减少的正极活性物质。通过偏析在正极活性物质的表层部形成覆盖层。正极活性物质包括第一区域及第二区域。第一区域存在于正极活性物质的内部。第二区域存在于正极活性物质的表层部及内部的一部分。第一区域包含锂、过渡金属及氧。第二区域包含镁、氟及氧。
正极活性物质粒子以及制造方法

[发明专利]铁电器件、半导体装置-CN202180071444.2在审
发明人：山崎舜平;中山智则;高桥正弘;国武宽司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：提供一种包括具有良好的铁电性的金属氮化物膜(130)的铁电器件(100)。铁电器件包括第一导电体(110)、第一导电体上的金属氮化物膜、金属氮化物膜上的第二导电体(120)、第二导电体上的第一绝缘体(155)以及第一绝缘体上的第二绝缘体(152)。第一绝缘体具有接触于金属氮化物膜的侧面、第二导电体的侧面及顶面的每一个的区域，金属氮化物膜具有铁电性，金属氮化物膜包含第一元素、第二元素及氮，第一元素为选自第13族元素中的一个以上的元素，第二元素为选自除第一元素之外的第13族元素和第2族元素至第6族元素中的一个以上的元素，第一导电体和第二导电体都包含氮，第一绝缘体包含铝及氧，并且，第二绝缘体包含硅及氮。
器件半导体装置

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