专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳能电池和太阳能电池模件-CN201180065728.7有效
  • 桥上洋;渡部武纪;高桥光人;月形信太郎;村上贵志;三田怜;远洞阳子;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2011-12-01 - 2017-02-08 - H01L31/0224
  • 本发明涉及太阳能电池,是在结晶硅基板的受光面侧形成添加了具有与上述硅基板相反的导电型的掺杂剂的发射极层,在上述硅基板的表面形成钝化膜,形成了将光生成的电荷从硅基板取出的取出电极和至少部分地与上述取出电极相接、收集用上述取出电极收集的电荷的集电极的太阳能电池,其特征在于,上述取出电极包含第1电极,该第1电极是含有赋予硅以导电性的掺杂剂的导电性糊的烧结体,以至少上述第1电极贯通上述钝化层的方式形成,上述集电极包含具有比上述第1电极高的导电性的第2电极,根据本发明,在使硅与电极的接触电阻损失和在电极电阻的电阻损失减小的同时,能够使发射极层的光学的和电的损失减小,能够使太阳能电池特性大幅地提高。
  • 太阳能电池模件
  • [发明专利]太阳能电池的制造方法、以及通过该制造方法制造了的太阳能电池-CN201380042132.4有效
  • 高桥光人;渡部武纪;大塚宽之 - 信越化学工业株式会社
  • 2013-07-30 - 2016-11-23 - H01L31/0216
  • 一种生产率良好地形成钝化效果优良的由氮化硅构成的反射防止膜的太阳能电池的制造方法,其特征在于,使用具备成膜室(101)、具有使氨气激发的激发部(111a、112a)和对激发了的氨气导入硅烷气体而活性化的活性化反应部(111b、112b)的等离子体室(111、112)、以及针对每个等离子体室(111、112)调整氨气和硅烷气体的流量比的流量控制器(113)的远程等离子体CVD装置(100),在成膜室(101)中输送半导体基板(102)的同时,通过来自第一等离子体室(111)的等离子体流,在半导体基板(102)上形成第一氮化硅膜,接着通过来自导入了流量比与第一等离子体室(111)不同的氨气和硅烷气体的第二等离子体室(112)的等离子体流,形成组成与第一氮化硅膜不同的第二氮化硅膜。
  • 太阳能电池制造方法以及通过

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