专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种再生混凝土破碎筛选装置-CN202223175966.8有效
  • 高明哲;崔凯;杨银平;陈诚诚;杨立平;柳晔;崔凯华;张梓莹 - 西安建科品匠工程技术有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-06-13 - B02C21/00
  • 一种再生混凝土破碎筛选装置,本实用新型涉及混凝土筛选技术领域;一号导向板设置于箱体内部的中侧,一号导向板的外周壁与箱体的内周壁固定连接,一号导向板向下倾斜的一侧设有出料口;敲打机构设置于一号导向板的上侧,敲打机构设置在箱体的一侧壁上;挡板固定在箱体的上内壁上,挡板位于敲打机构的一侧,且挡板的下侧向远离于敲打机构的一侧倾斜设置;粉碎机构设置于一号导向板的下侧,粉碎机构固定在箱体的下内壁上;二号导向板活动套设在粉碎机构上,二号导向板相邻于出料管的一侧向下倾斜设置,二号导向板向下倾斜的一侧设有一号筛孔,可先进行敲打再进行粉碎,从而提高了粉碎的力度,从而在废弃混凝土粉碎后不会存在较大颗粒,粉碎效率高。
  • 一种再生混凝土破碎筛选装置
  • [发明专利]一种石灰桩地基纠偏结构及其施工方法-CN202211523692.9在审
  • 崔凯;高明哲;杨银平;杨立平;陈诚诚;柳晔;崔凯华;张梓莹 - 西安建科品匠工程技术有限公司
  • 2022-11-30 - 2023-03-21 - E02D37/00
  • 本发明公开了一种石灰桩地基纠偏结构及其施工方法,所述方法包括步骤1.放桩位:在既有建筑物地基处进行测量放孔;步骤2.钻孔:利用钢套管钻换填孔至设计深度;步骤3.换填:换填孔成孔后,使用生石灰进行回填,并在回填的过程中在桩孔圆心处埋入预埋注水件;步骤4.检桩:采用环刀取样法进行检桩,测定其干土密度;步骤5.加压纠偏:将预埋注水件通过管件连接件和导管与加压泵和加气泵连接,对地基进行横向及纵向;本方法通过对预埋注水件和管件连接件进行设计,能够有效优化石灰桩的施工过程,同时利用石灰桩对地基进行修复纠偏,有效节省了施工成本和注水效率,简化了施工过程,具有纠偏效果好、施工过程简单、对地基扰动小和纠偏成本低的特点。
  • 一种石灰地基纠偏结构及其施工方法
  • [实用新型]一种用于立式HVPE设备的镓舟氨气匀流结构-CN202122699921.X有效
  • 丁成;高明哲 - 上海玺唐半导体科技有限公司
  • 2021-11-05 - 2023-01-31 - B01J19/18
  • 这种用于立式HVPE设备的镓舟氨气匀流结构,包括镓舟筒体、载盘、以及设于镓舟筒体内腔上部金属镓存放腔体空间中心位置设置的氯化氢导入管、设置氯化氢导入管两侧的穿透金属镓存放腔体底板的载气导入管和氨气导入管、以及设置在氯化氢导入管下方并同样穿透金属镓存放腔体底板的氯化镓导气管,在氨气导入管和载气导入管的出口下部的镓舟筒体上部设有一个与筒体四周内壁固接的圆环型挡板,并同时在该圆环型挡板下部的氯化氢导入管管壁外上增设一片直径小于上部圆环型挡板的圆型挡板,构成使氨气先沿着圆环挡板与氯化氢导入管的圆环型间隙送入圆型挡板与圆环挡板之间的空间,随后又沿圆环挡板外圈边缘进入下部镓舟筒体内腔参与氮化镓制作。
  • 一种用于立式hvpe设备氨气结构
  • [发明专利]一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法-CN202110063226.6有效
  • 丁成;高明哲 - 上海玺唐半导体科技有限公司
  • 2021-01-18 - 2022-06-07 - C30B29/40
  • 一种常压HVPE制作珊瑚状多晶氮化镓晶体的方法,其特征如下:1)在载盘上放上直径1mm左右的种子颗粒,间隔10mm左右;2)向反应区内通入氮气和氢气、升温到900‑1000℃并保持10分钟,清洁种子表面水分和氧分等杂质;3)通过加热炉分别将反应区和生长区温度分别控制在850‑900℃和950‑1000℃,并在温度达到稳定时通入氨气10‑30分钟、用以氮化种子表面;4)在生长区温度达到1000‑1020℃,以0.05mol‑0.4mol/小时的量通入氯化氢,持续30‑90分钟生成菜花状氮化镓;5)在生长区温度继续升温至1020‑1070℃度时,以约0.05mol‑0.2mol/小时的量持续通入氯化氢气体,生长时间2‑100小时后即可获得呈珊瑚状氮化镓成型体。
  • 一种常压hvpe制作珊瑚多晶氮化晶体方法
  • [发明专利]一种晶体生长装置以及晶体生长方法-CN201911010751.0有效
  • 乔焜;高明哲;林岳明 - 上海玺唐半导体科技有限公司
  • 2019-10-23 - 2021-12-10 - C30B7/14
  • 本发明涉及一种晶体生长装置以及晶体生长方法。晶体生长装置包括反应釜,所述反应釜包括:反应釜釜体,具有第一开口;衬管,用于通过所述第一开口放入所述反应釜釜体内,具有第二开口;所述衬管放入所述反应釜釜体内以后,所述第二开口朝向所述第一开口;所述衬管的内部区域包括原料区以及生长区,所述原料区用于放置原料,所述生长区用于放置籽晶;密封件,用于密封所述第一开口,且具有可以被密封的溶剂进孔,所述溶剂进孔用于向所述衬管内通入溶剂。利用本发明的晶体生长装置进行目标晶体的生长时,可以有效提高生产效率。
  • 一种晶体生长装置以及方法
  • [实用新型]一种GaN单晶生长装置的加热装置-CN202020789389.3有效
  • 高明哲 - 上海玺唐半导体科技有限公司
  • 2020-05-13 - 2021-02-05 - C30B29/40
  • 本实用新型提供一种GaN单晶生长装置的加热装置,包括一密闭高压釜以及位于高压釜外部的加热装置,高压釜固定安装于热等静压容器内部,高压釜外侧设有一气体导流罩,热等静压容器内部还设有一气体循环装置,以实现高压釜外部气体的对流循环。本实用新型能够通过设置加热装置,实现对使得高压釜上下两部分之间的阶跃温差,进而加速GaN单晶的快速生长;通过设置绝热层,避免了高压釜外部温度影响高压釜内部温度;通过设置加热装置和气体循环装置,实现了通过加热装置控制高压釜内部压强,气体循环装置控制高压釜外部压强,以实现高压釜外部的压力始终大于高压釜内的压力,使得高压釜处于外压工况,保证了高压釜的安全,提高了生产效率。
  • 一种gan生长装置加热
  • [发明专利]多晶氮化镓生长装置-CN201911268465.4有效
  • 林岳明;乔焜;高明哲 - 上海玺唐半导体科技有限公司
  • 2019-12-11 - 2021-01-29 - C30B25/02
  • 本申请涉及一种多晶氮化镓生长装置。该多晶氮化镓生长装置包括反应容器,反应容器在其轴向设置有相互连通的第一腔室主体和第二腔室主体,第一腔室主体连接有至少两条气体流入通道,第二腔室主体中设置有筒体;筒体具有与至少两条气体流入通道对应设置的开口,且筒体在其轴向间隔设置有多个带通孔的部件。上述多晶氮化镓生长装置能够有效提升多晶氮化镓的产量,同时不会增加多晶氮化镓生长装置的尺寸。
  • 多晶氮化生长装置
  • [实用新型]一种金相显微镜样品夹具-CN202020419442.0有效
  • 张晓君;乔焜;林岳明;高明哲 - 上海玺唐半导体科技有限公司
  • 2020-03-27 - 2020-12-25 - B25B11/00
  • 本实用新型公开了一种金相显微镜样品夹具,包括底面为平面的第一夹具和第二夹具,所述第一夹具设有凹部,所述凹部扣合连接第二夹具的凸部,所述凹部和凸部通过空心轴连接,所述空心轴内连接有带刻度的伸缩连接杆,所述伸缩连接杆轴承连接有平行设置的定面片,所述定面片上连接有第一支杆,所述第一夹具和第二夹具上分别各设有第二支杆、挡体和凹槽,所述凹槽内连接有弹片,所述弹片两端分别连接第一夹具和第二夹具上的挡体。本实用新型可以很方便的调整样品的待观察面,结构简单,测试操作简便,可靠。
  • 一种金相显微镜样品夹具

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