专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种卷绕法制备铜/石墨烯复合导线的方法-CN202310695657.3在审
  • 左婷婷;高召顺;薛江丽;茹亚东;韩立;肖立业 - 中国科学院电工研究所
  • 2023-06-13 - 2023-08-04 - H01B13/00
  • 一种卷绕法制备铜/石墨烯复合导线的方法,首先将碳源均匀涂覆在预处理好的铜箔上或将固态膜状碳源与预处理好的铜箔层叠好,制成铜碳复合体,然后将铜碳复合体卷绕在铜丝上,装入具有与之匹配内径的铜管中,再对此铜管进行塑性加工,包括孔型轧制和拉拔,之后将塑性加工后的铜管组合体两端切掉,再放入CVD炉中,在铜管内部及铜箔表面生长石墨烯。最后,再对上述生长过石墨烯的铜管组合体进行拉拔,得到高性能的铜/石墨烯复合导线。本发明通过制备铜碳复合体、卷绕装管、塑性加工、CVD生长石墨烯的方法制备出的铜/石墨烯复合导线中石墨烯均匀分布、结构相对完整,质量好,复合导线具有高的电导率和强度。该导线在电力电子、电动汽车等领域具有良好的应用前景。
  • 一种卷绕法制石墨复合导线方法
  • [发明专利]一种复合线材及其制备方法-CN202211230622.4在审
  • 茹亚东;高召顺;左婷婷;薛江丽;伍岳;肖立业 - 中国科学院电工研究所
  • 2022-09-30 - 2023-05-02 - H01B1/02
  • 本发明公开一种复合线材,由内到外依次为铜芯,不锈钢层和银层。本发明还公开了上述复合线材的制备方法。本发明复合线材中,用Cu替代部分Ag,降低了Ag的体积分数和制备成本;选用不锈钢(SS)作为中间材料,其不与Cu、Ag互溶,而且相对于Ag、Cu更加廉价,具有较高的强度;同时不锈钢具有良好的抗高温氧化性能,还能够避免高温下Cu和Ag的反应,防止导电性能降低。本发明在复合线材的制备时,先经过第一次拉拔使不锈钢和Cu棒结合紧密,获得良好的Cu/SS界面结合,然后套入Ag管中进行第二次拉拔,获得良好的SS/Ag界面结合;操作简单,成本低,可以改变组分的体积分数,得到不同导电性和强度组合的复合线材。
  • 一种复合线材及其制备方法
  • [发明专利]一种铜单晶片及单晶石墨烯的制备方法-CN202210799889.9在审
  • 薛江丽;茹亚东;高召顺;左婷婷;韩立;肖立业 - 中国科学院电工研究所
  • 2022-07-08 - 2022-11-04 - C30B29/02
  • 本发明公开了一种铜单晶片及单晶石墨烯的制备方法。所述可商业化生产的铜单晶片的制备方法,包括:利用定向凝固技术将多晶高纯铜块,熔炼制备得到大尺寸、横截面为不同晶面的铜单晶棒;将所述的单晶铜棒沿横截面方向进行线切割,得到上千片的铜单晶片;将所述铜单晶片的两面都进行机械与电化学抛光处理,得到取向一致、表面光滑的铜单晶片,包括Cu(111)、Cu(110)和Cu(001)等晶体取向。将得到的Cu(111)单晶片作为催化基底,利用CVD生长技术可以制备出大面积、高质量的单晶石墨烯。本发明所述的铜单晶片的制备方法具有制备工艺简单成熟、造价低、产率高、可商业化生产等特点,以Cu(111)单晶片为催化基底可以制备得到面积大、质量好的石墨烯单晶。
  • 一种晶片晶石制备方法
  • [发明专利]一种电子束加热制备球状金属单晶的装置及方法-CN202210632680.3在审
  • 茹亚东;高召顺;左婷婷;薛江丽;肖立业;韩立 - 中国科学院电工研究所
  • 2022-06-06 - 2022-09-13 - C30B13/00
  • 本发明公开了一种电子束加热制备球状金属单晶的装置及方法,其中,一种电子束加热制备球状金属单晶的装置,包括真空腔;加热件,呈圆环形结构,设置在真空腔内用于发射电子束;驱动结构,设置在真空腔中用于驱动金属丝沿着加热件中圆环形结构的中轴线移动;高压源,用于为加热件施加负高压促使电子束向金属丝加速运动。本发明设置呈圆环形结构的加热件,并结合驱动结构向上移动单晶球的方法控制单晶凝固和冷却速度,该方式下只需先调节参数使固液界面维持在在液滴顶部,后续只需要通过观察液固界面使固液界面匀速移动即可实现更精确的控制单晶的凝固速度的目的,避免出现空位、位错、多晶晶界等缺陷,进而获得质量更加优异的单晶体。
  • 一种电子束加热制备球状金属装置方法
  • [发明专利]一种化学组成为Mg3.2-CN202010371633.9有效
  • 丁发柱;古宏伟;商红静;黄大兴;谢波玮;高召顺;李太广;邹琪 - 中国科学院电工研究所
  • 2020-05-06 - 2022-07-12 - C23C14/35
  • 本发明提供了一种化学组成为Mg3.2Bi1.5Sb0.5的热电薄膜及其制备方法,属于热电材料技术领域。本发明通过真空磁控溅射的方式制备热电薄膜,所得热电薄膜具有二维空间结构,热导率低;同时薄膜结构能够形成量子禁闭效应,从而提高材料的功率因子。本发明使用c轴取向的LaAlO3单晶作为真空磁控溅射的基底,其与Mg3.2Bi1.5Sb0.5有非常高的晶格匹配度,能够诱导热电薄膜沿c轴方向择优生长,最终所得热电薄膜载流子迁移率大大增加,其热电性能也大幅增加。本发明通过先球磨、再热压的方式制备Mg3.2Bi1.5Sb0.5合金靶,所得合金靶在磁控溅射过程中不易开裂,沉积的薄膜成分非常均匀。
  • 一种化学组成mgbasesub3.2

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