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[发明专利]缩短发光中心的闪烁响应的方法以及具有缩短的闪烁响应的闪烁体的材料-CN201680059080.5有效
发明人：金得里希·胡兹维卡;卡雷尔·布拉泽克;彼得·胡罗迪斯基;马丁·尼克尔;帕沃·波哈斯克 -专利权人：克莱托斯波尔公司;费兹卡尼厄斯达AVCR公司
申请日： 2016-10-05 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： G01T1/202 文献下载
摘要：要解决的问题：目前，缩短闪烁材料的闪烁响应的已知方法是抑制闪烁响应的次波幅较慢成分（2），但是在这种方法中，显著缩短闪烁响应的主波幅成分的可能性受到限制。解决方案：本发明涉及缩短闪烁体发光中心的闪烁响应的方法，该方法用Ce或Pr共掺杂，同时用来自镧系元素、3d跃迁金属、4d跃迁金属或5s2或6s2离子族的离子共掺杂。已经具有由被吸收的电磁辐射导致发光中心电子激发，用这种方法生成的闪烁体可通过非辐射能量转移从被激发的发光中心带离部分能量，从而导致闪烁响应的主波幅成分（1）的持续时间被显著缩短。
缩短发光中心闪烁响应方法以及具有材料

[发明专利]用于探测电离辐射的闪烁探测器-CN201680009348.4有效
发明人：爱丽丝·霍斯波德科娃;卡雷尔·布拉泽克;爱德华·胡利休斯;扬·托斯;马丁·尼克尔 -专利权人：克莱托斯波尔公司;费兹卡尼厄斯达AVCR公司
申请日： 2016-02-08 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：用于探测电离辐射的闪烁探测器，该电离辐射尤其是电子、X射线或粒子辐射，该闪烁探测器包括单晶基底（1）、至少一个缓冲层（2）、至少一个氮化物半导体层（3、4、5、6），该至少一个氮化物半导体层被施加至具有外延的基底（1）上，该氮化物半导体层用通式Al_yIn_xGa_1‑x‑yN描述，其中0≤x≤1、0≤y≤1和0≤x+y≤1有效，其中至少两个氮化物半导体层（3、4）被设置在层状异质结构中，该层状异质结构的结构包含至少一个势阱，该至少一个势阱用于电子和空穴的辐射重组。在该结构中，设有大体上相同极化的氮化物半导体层（3、4）的至少一个活性双层，该至少一个活性双层由Al_ybIn_xbGa_1‑xb‑ybN型的阻挡层（4）和表示势阱的Al_ywIn_xwGa_1‑xw‑ywN型的层（5）组成，其中xb≤xw和yb≤yw有效；或者存在厚度（t₃）小于2nm、Al_ydIn_xdGa_1‑xd‑ydN型的至少一个载体吸引层（7），其中yd≤yw和xd≥xw+0.3，该至少一个载体吸引层（7）嵌入氮化物半导体层（4、5）的至少一个活性双层中，以减小发光衰减时间。
用于探测电离辐射闪烁探测器

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