“颜建锋”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果41个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种显示模块及显示屏-CN202222848418.0有效
发明人：吕玉龙;颜建锋;徐玉玲;庄文荣 -专利权人：东莞市中麒光电技术有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种显示模块及显示屏，其中显示模块包括基板、黑色导电连接层和LED芯片，基板的正面上设有正极焊盘和负极焊盘；黑色导电连接层分别设于正极焊盘和负极焊盘上，且覆盖正极焊盘和负极焊盘；LED芯片包括正极电极和负极电极，正极电极与负极电极通过黑色导电连接层分别固定在正极焊盘和负极焊盘上，且分别与正极焊盘和负极焊盘电连接。本实用新型通过黑色导电连接层覆盖正极焊盘和负极焊盘，使得正极焊盘和负极焊盘无法反射光线，避免影响显示模块的发光效果，有利于提高显示模块的对比度。
一种显示模块显示屏

[发明专利]大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法-CN202011343593.3在审
发明人：敖辉;孙明;庄文荣;颜建锋 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种大偏角蓝宝石衬底上氮化镓模板的制备方法，包括：步骤1)，提供一蓝宝石衬底，将蓝宝石衬底送进MOCVD反应腔，蓝宝石衬底的外延面取向为c面且向a面倾斜一偏角，偏角大于等于0.2°；步骤2)，在蓝宝石衬底上沉积低温缓冲层；步骤3)，在低温缓冲层上进行超晶格生长，超晶格为二维生长层与三维生长层交替生长堆叠而成；步骤4)，在超晶格上进行氮化镓模板层的生长。本发明可以在c面偏向a面0.2°以上的蓝宝石衬底上获得具有平整表面、晶体质量高的c面且偏向m面的氮化镓模板，使用该氮化镓模板可以获得c面且偏向m面的氮化镓单晶，进而获得性能良好的氮化镓基垂直结构功率器件。
偏角蓝宝石衬底氮化模板制备方法

[发明专利]硅基GaN-HEMT外延结构的制作方法-CN202110825054.1在审
发明人：韩甲俊;孙明;庄文荣;颜建锋;敖辉;陈兴虎;严鹏 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基GaN‑HEMT外延结构的制作方法，包括：采用金属有机物化学气相沉积工艺于硅衬底上形成GaN‑HEMT外延结构，包括成核层、缓冲层、碳掺杂的GaN高阻层、非掺杂的GaN沟道层、AlN空间层、AlGaN势垒层及GaN盖帽层；所述GaN‑HEMT外延结构的外延生长所采用的气源包括有机金属源和氮源，以H2和N2作为载气，其中，氮源的载气H2与N2的体积比为1.75～2.5之间，有机金属源的载气H2与N2的体积比为0.4～1之间。本发明可有效提高GaN‑HEMT外延生长过程中的不同区域生长速率均匀性、厚度均匀性、AlGaN势垒层的Al组分均匀性以及2DEG密度和二维电子气的迁移率。
硅基 gan hemt 外延结构制作方法

[发明专利]温度可控的用于高温激光剥离的装置-CN201910300683.5有效
发明人：刘鹏;卢敬权;王健辉;黄业;任俊杰;颜建锋 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种温度可控的用于高温激光剥离的装置，包括：腔体模块，包括若干腔体单元，腔体单元用于承载衬底或晶片及对衬底或晶片密封；加热模块，用于提供衬底或者晶片进行剥离时所需要的温度；冷却模块，用于降低所述腔体模块及所述加热模块在工作时的温度；窗口模块，用于提供激光进入腔体单元内的通道；运动模块，用于将腔体单元移至激光剥离的工作区域；气体保护及排放模块，用于提供衬底或晶片的工艺气氛；控制模块，用于控制上述各模块的工作。本发明的装置设置有多个腔体单元，通过采用加热模块对多个腔体单元内的衬底或晶片同时加热升温或降温，或以一定的时间差进行加热升温或降温，可以在相同时间内剥离更多的片数。
温度可控用于高温激光剥离装置

[发明专利]一种混合波长半导体激光器TO封装结构-CN202110484087.4在审
发明人：李成明;卢敬权;颜建锋;黄业;王帅;林逸 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01S5/0225 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种混合波长半导体激光器TO封装结构，所述管壳罩设于所述管座、并与所述管座相配合形成一容置腔，所述管舌设于所述容置腔内，并与所述管座连接，若干所述激光器、若干所述合束器和所述光传输装置分别设于所述容置腔内，且若干所述激光器分别与所述管舌、所述合束器及所述光传输装置连接，所述光传输装置沿所述合束器出射光光路方向设置，所述管壳设有用于所述光传输装置的输送光束穿过的输出窗口，本发明结构简单合理，通过设置若干合束器，将若干激光器的出射光进行多波长耦合，并经光学窗口输出若干束混合波长，其输出了混合波长光束，并有效提升了光束质量，可以满足激光显示光源的使用需求。
一种混合波长半导体激光器 to 封装结构

[发明专利]一种激光器封装结构-CN202110389055.6在审
发明人：李成明;卢敬权;颜建锋;黄业;王帅;林逸 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01S5/024 文献下载
摘要：本发明提供了一种激光器封装结构，包括管舌、安装于所述管舌的贴合层、安装于所述贴合层的激光二极管、及安装于所述管舌的散热组件，所述贴合层位于所述管舌和所述激光二极管之间，所述贴合层具有多个间隔设置的凸起部，所述激光二极管设有多个间隔设置的第一凹槽，所述凸起部与所述第一凹槽匹配设置；所述管舌设有散热腔，所述散热组件包括安装于所述散热腔的配合件和磁性件，所述配合件与所述散热腔的侧壁之间形成有移动通道，所述磁性件位于所述移动通道中；通过提高激光二极管和贴合层之间的接触面积来提高激光二极管的散热效果，有利于激光二极管在大功率条件下的工作。
一种激光器封装结构

[发明专利]一种复合式TO封装的半导体激光器-CN202110023785.4在审
发明人：李成明;卢敬权;吕根泉;颜建锋;刘鹏;黄业 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-08 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种复合式TO封装的半导体激光器，其包括内管壳及外管壳，所述外管壳用于遮覆内管壳，所述外管壳与内管壳之间围设形成容置空间，所述内管壳内用于放置激光器芯片。本发明通过在内管壳外罩设外管壳，使得外管壳与内管壳之间围设形成容置空间，配合在容置空间内设置连接片，将内管壳上的热量导送至外管壳上并由外管壳散发出来，增加散热面积，增强散热能力；另外，利用在内管壳的内光窗处设置第一透镜或在外管壳的外光窗处设置第二透镜，改变激光器芯片发出光的特点；另外，配合在内管壳与外管壳之间设置不同功能的元件，以满足用户对产品的不同需求；利用在容置空间内设置不同的功能结构，以实现产品的多功能封装效果。
一种复合 to 封装半导体激光器

[发明专利]一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法-CN201810052575.6在审
发明人： 颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基高光效LED外延垒晶片及其制备方法，包括在n型氮化镓与量子阱之间生长含C高缺陷密度层，含C高缺陷密度层生长方法包括：完成n型氮化镓生长后，调整外延垒晶反应室内温度在600℃——990℃之间，以含甲基或乙基的气体源为部分垒晶源参与生长含C高缺陷密度层，引入C掺杂，控制含C高缺陷密度层中C含量浓度10¹⁶——10²⁰cm^‑3，控制含C高缺陷密度层厚度在100nm——1000nm之间。本发明的LED外延垒晶片提高了现有技术同等规格LED外延片制备的芯片的光效。
密度层晶片制备生长氮化镓基高光效甲基或乙基量子阱气体源光效晶源掺杂室内芯片引入

[发明专利]一种长波长LED外延垒晶片、芯片及制备方法-CN201810052678.2在审
发明人： 颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种长波长LED外延垒晶片的制备方法，制备步骤包括：把外延垒晶衬底放入外延生长反应室内；在外延垒晶衬底上生长CaN外延垒晶层，CaN外延垒晶层厚度为h，控制厚度6µm≥h≥0.35µm，在外延垒晶衬底表面生长GaN缓冲层，在GaN缓冲层上生长n型CaN，在n型CaN上生长量子阱，量子阱上生长p型CaN。本发明制备的氮化镓基长波长 LED外延垒晶片制备成的LED电性性能与蓝绿CaN基 LED电性性能一致。
制备生长长波长晶片电性性能量子阱衬底衬底表面氮化镓基外延生长层厚度放入芯片室内

[实用新型]一种用于激光剥离的晶圆载盘-CN201821357650.1有效
发明人：任俊杰;庄文荣;颜建锋;卢敬权 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于激光剥离的晶圆载盘，包括载盘，载盘上表面设有下凹的弧面，该弧面的边缘到载盘的边缘之间具有过渡平面，弧面的边缘至载盘的边缘之间还设有圆环平面，该圆环平面为载盘上表面向下凹陷形成，该圆环平面与弧面的边缘平齐。本实用新型解决了晶圆由于自身翘曲导致其在升降温过程平面载盘无法形成有效支撑以及温度不均匀而产生的裂片问题，提高激光剥离产品良率，提高生产效率、节省成本。
载盘激光剥离圆环平面晶圆本实用新型上表面边缘平齐产品良率过渡平面生产效率向下凹陷不均匀弧面裂片翘曲下凹升降支撑

[发明专利]一种十字轴万向节全自动智能检测机-CN201610149406.5有效
发明人：叶光友;许凤华;陈建伟;杨召金;叶专正;颜建锋;吴似农;金素琴 -专利权人：杭州正强万向节有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2019-02-15 - 主分类号： G01B21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种十字轴万向节全自动智能检测机，包括整料机构、传料机构、机械臂、轴长检测机构、轴径检测机构、合格品收取组、轴长回收组、轴径回收组、轴长报废组、轴径报废组，所述整料机构连接传料机构，所述传料机构末端、合格品收取组、轴长回收组、轴径回收组、轴长报废组、轴径报废组分别设于机械臂转周上。本发明方便对未报废的零件进行再加工提高材料的利用率；本发明采用的是立式结构占用面积小，适用于车间复杂的工况环境，可独立使用，也可同生产设备进行连线组立成所加工产品的全自动生产线。
一种十字万向节全自动智能检测

[实用新型]一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体-CN201820089998.0有效
发明人： 颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种长波长LED外延垒晶片及芯片及全彩发光体，包括：外延垒晶衬底、CaN基外延垒晶层，外延垒晶衬底上表面依次垂直生长有CaN基外延垒晶层，CaN 基外延垒晶层包括：缓冲层：在n型CaN与外延垒晶衬底之间生长CaN缓冲层；n型CaN：生长于CaN缓冲层之上，量子阱之下；量子阱：为多量子阱，量子阱≥7对，在n型CaN与p型CaN之间，在CaN量子阱中分布沉积有C；p型CaN:生长于CaN量子阱之上。本实用新型的长波长LED外延垒晶片制备成的LED电性性能与蓝绿CaN LED电性性能一致。
量子阱长波长缓冲层晶片本实用新型全彩发光体电性性能衬底生长芯片衬底上表面垂直生长多量子阱沉积制备

[实用新型]一种氮化镓系高光效LED外延垒晶片及芯片-CN201820089758.0有效
发明人： 颜建锋;敖辉;彭泽洋;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-01-19 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化镓系高光效LED外延垒晶片及芯片，包括：外延垒晶衬底、外延垒晶层，外延垒晶层依次包括：缓冲层、n型氮化镓、量子阱、p型氮化镓，在量子阱与n型氮化镓之间包括一层高缺陷密度层：缓冲层：在n型氮化镓与外延垒晶衬底之间生长氮化镓缓冲层；n型氮化镓：生长于氮化镓高缺陷密度层之上，量子阱之下；高缺陷密度层：在量子阱与n型氮化镓之间，为含C缺陷层；量子阱：为发光层，在高缺陷密度层与p型氮化镓之间；p型氮化镓:生长于氮化镓量子阱之上。本实用新型的LED外延垒晶片提高了现有技术同等规格LED外延片制备的芯片的光效。
量子阱密度层晶片本实用新型氮化镓系芯片氮化镓高光效缓冲层衬底生长氮化镓缓冲层发光层缺陷层光效制备

[发明专利]一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法-CN201810354036.8在审
发明人： 颜建锋;敖辉;庄文荣;孙明 -专利权人：东莞市中晶半导体科技有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：一种提高薄膜生长外延片均匀性的方法，包括以下步骤：选取衬底，该衬底的规格尺寸大于等于预生长外延片的规格尺寸；设置一个环结构件，该环结构件的内径尺寸大小等于衬底的规格尺寸，环结构件的厚度与衬底的厚度可以相等或者不相等；将衬底放置入环结构件中，环结构件将衬底的边缘全部包围连成一个连续的生长区域；将衬底及环结构放置在生长室中进行生长，使得衬底上生长出预设规格结构的薄膜外延片；生长完成后，将环结构件取出，烘烤、清洗干净留待下次使用。本发明利用环结构件降低由于衬底边界条件带来的不利影响，最终获得均匀性很好的外延片。
衬底环结构外延片均匀性生长薄膜生长薄膜外延片边界条件规格结构生长区域不相等生长室烘烤预设相等清洗取出包围

[实用新型]一种十字轴万向节全自动智能检测机-CN201620202371.2有效
发明人：叶光友;许凤华;陈建伟;杨召金;叶专正;颜建锋;吴似农;金素琴 -专利权人：杭州正强万向节有限公司
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： G01B21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种十字轴万向节全自动智能检测机，包括整料机构、传料机构、机械臂、轴长检测机构、轴径检测机构、合格品收取组、轴长回收组、轴径回收组、轴长报废组、轴径报废组，所述整料机构连接传料机构，所述传料机构末端、合格品收取组、轴长回收组、轴径回收组、轴长报废组、轴径报废组分别设于机械臂转周上。本实用新型方便对未报废的零件进行再加工提高材料的利用率；本实用新型采用的是立式结构占用面积小，适用于车间复杂的工况环境，可独立使用，也可同生产设备进行连线组立成所加工产品的全自动生产线。
一种十字万向节全自动智能检测

1
2
3
下一页»
尾页
共 41 条