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[发明专利]一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统-CN201610872855.2有效
发明人：赵毅;曲益明;陈冰;卢继武;韩菁慧 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于晶体管的高速三维电学特性测试系统，该系统包括数据反馈与处理器、波形处理器、宽频带拾捡三通装置、第一微波探针和第二微波探针。本发明的创新在于通过给晶体管的漏极施加阶梯变化的电压波形，并在每个阶梯电平中给晶体管的栅极施加一个脉冲电压信号，来进行一次晶体管转移特性测试，从而在100nS内测出晶体管的三维电学特性(IDS‑VGS‑VDS)、转移特性(IDS‑VGS)和输出特性(IDS‑VDS)。本发明系统可适用于以硅、锗、Ⅲ‑Ⅴ族化合物为载流子沟道的高性能平面晶体管，以及鳍式立体栅极、环栅(GAA)结构场效应晶体管的电学特性研究。
一种应用于晶体管高速三维电学特性测试系统

[发明专利]一种提高半导体器件皮秒级超快速电学特性测试精度的方法-CN201611245764.2在审
发明人：赵毅;韩菁慧;陈冰;曲益明;张睿 -专利权人：浙江大学
申请日： 2016-12-29 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高半导体器件皮秒级超快速电学特性测试精度的方法，属于半导体器件电学特性测试领域，该方法包括对金属氧化物半导体场效应晶体管电学特性测试时的栅极激励信号(Vg)和示波器得到的响应信号(可对应换算为源漏电流Id)进行同步的步骤及测得的与源漏电流有关的响应信号去除噪声的步骤。本发明方法同步精度可达1‑2个皮秒；并且利用多点平均和平滑算法对所测得信号进行去除测试噪声处理，得到更准确的Id(MOSFET漏端电流)、Vg(MOSFET栅极电压)信号。本发明方法操作简单，精度高，效果显著，并且结合皮秒级超快速电学性能测试系统，为SHE(自热效应)、NBTI(负偏压温度不稳定性)、HCI(热载流子注入效应)等器件可靠性测试提供了强有力的支持。
一种提高半导体器件皮秒级超快速电学特性测试精度方法