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- [实用新型]一种IGZO阵列基板及其配线结构-CN202123053621.0有效
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宋安鑫;韩正宇;李元行;魏华
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福建华佳彩有限公司
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2021-12-07
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2022-04-12
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H01L27/12
- 本实用新型公开了一种IGZO阵列基板及其配线结构,包括玻璃基板,所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层,所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极,所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面,所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层,所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极。本实用新型优化绝缘层开孔工艺,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,减小TFT‑LCD配线区寄生电容并优化框胶固化工艺,通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式,实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。
- 一种igzo阵列及其结构
- [实用新型]一种Micro-LED驱动背板结构-CN202122567834.9有效
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韩正宇;宋安鑫;李元行;魏华
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福建华佳彩有限公司
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2021-10-25
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2022-03-15
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H01L25/16
- 本实用新型公开了一种Micro‑LED驱动背板结构,涉及Micro‑LED显示技术领域,具体为Micro‑LED垂直结构显示芯片的转移与键合过程,包括玻璃基板、Micro‑LED芯片和内驱动基板,所述内驱动基板包括第一金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、第二金属层和钝化层;透明导电层的底端通过第二有机绝缘层上设置的第三开孔与Micro‑LED芯片连接,透明导电层右端穿过第二有机绝缘层、第一有机绝缘层和钝化层开设的第四开孔、第五开孔和第六开孔与钝化层内的第二金属层连接,通过透明导电层将Micro‑LED芯片上的电极与第一金属层上的地电极垂直连接,降低垂直芯片上电极的连接难度,第一有机绝缘层和第二有机绝缘层的成膜及开孔,降低透明导电层与第二金属层连接断线的风险,增强垂直芯片的出光率。
- 一种microled驱动背板结构
- [发明专利]一种IGZO阵列基板及其配线结构-CN202111485613.5在审
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宋安鑫;韩正宇;李元行;魏华
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福建华佳彩有限公司
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2021-12-07
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2022-02-08
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H01L27/12
- 本发明公开了一种IGZO阵列基板及其配线结构,包括玻璃基板,所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层,所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极,所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面,所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层,所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极。本发明优化绝缘层开孔工艺,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,减小TFT‑LCD配线区寄生电容并优化框胶固化工艺,通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式,实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。
- 一种igzo阵列及其结构
- [发明专利]一种Micro-LED驱动背板结构与制备方法-CN202111242819.5在审
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韩正宇;宋安鑫;李元行;魏华
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福建华佳彩有限公司
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2021-10-25
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2021-12-24
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H01L25/16
- 本发明公开了一种Micro‑LED驱动背板结构与制备方法,涉及Micro‑LED显示技术领域,具体为Micro‑LED垂直结构显示芯片的转移与键合过程,包括玻璃基板、Micro‑LED芯片和内驱动基板,所述内驱动基板包括第一金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、第二金属层和钝化层;透明导电层的底端通过第二有机绝缘层上设置的第三开孔与Micro‑LED芯片连接,透明导电层右端穿过第二有机绝缘层、第一有机绝缘层和钝化层开设的第四开孔、第五开孔和第六开孔与钝化层内的第二金属层连接,通过透明导电层将Micro‑LED芯片上的电极与第一金属层上的地电极垂直连接,降低垂直芯片上电极的连接难度,第一有机绝缘层和第二有机绝缘层的成膜及开孔,降低透明导电层与第二金属层连接断线的风险,增强垂直芯片的出光率。
- 一种microled驱动背板结构制备方法
- [发明专利]一种显示面板结构及其制作方法-CN202111248573.2在审
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韩正宇;宋安鑫;李元行;魏华
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福建华佳彩有限公司
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2021-10-26
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2021-12-24
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G02F1/1333
- 本发明公开了一种显示面板结构及其制作方法,包括玻璃基板、薄膜晶体管层、黑色矩阵层、无机绝缘层和Com电极层,像素电极通过在钝化层开孔与金属漏极连接;黑色矩阵层覆盖显示区域的栅极走线及数据走线,栅极走线上设有栅极绝缘层,栅极绝缘层上设有金属氧化物半导体层;触控讯号线的位置位于数据走线处的黑色矩阵层上方,并且其在栅极走线方向上存在延伸部分,像素间Com电极层跨过黑色矩阵层连接为整块电极。本发明可以通过降低薄膜晶体管光照影响,从而降低漏电,获得更高的对比度;较厚的黑色矩阵层间隔数据走线及触控讯号线,可以降低触控走线的RC Loading,提高触控灵敏度;同时可以减少一层柱间隔层,节约生产成本及生产时间。
- 一种显示面板结构及其制作方法
- [实用新型]一种TFT阵列基板结构-CN202022089818.9有效
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宋安鑫;李元行;韩正宇
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福建华佳彩有限公司
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2020-09-22
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2021-05-14
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H01L27/12
- 实用新型公开了一种TFT阵列基板结构,基板分为第一TFT区域和第二TFT区域;第一TFT区域制作第一有源层,第一有源层划分为沟道区域和导体化区域;沟道区域上制作第一栅极绝缘层;第一栅极绝缘层上制作第一金属层;制作隔离层,蚀刻位于第二TFT区域上的所隔离层;蚀刻隔离层,形成两个第一通孔;同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层,第一源极、第一漏极通过两个第一通孔与有源层上的导体化区域连接;所第二金属层置于第二TFT区域上。通过TFT阵列基板定义为两个区域,减少第二TFT退火制程H离子扩散,提升第二TFT器件稳定性,同时由于隔离层仅保留在第一TFT区域,第二TFT膜层厚度减薄,透过率增大,可提升显示效果。
- 一种tft阵列板结
- [实用新型]一种盲孔屏背板结构-CN202022150521.9有效
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李元行;苏智昱;韩正宇;宋安鑫
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福建华佳彩有限公司
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2020-09-27
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2021-04-23
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H01L23/60
- 本实用新型公开了一种盲孔屏背板结构,在基板上制作第一金属层;制作第一绝缘层,第一绝缘层分为盲孔区和非盲孔区,于盲孔区上制作盲孔金属层;制作第一通孔,制作三个第二金属层,制作第三绝缘层,制作平坦层,并蚀刻平坦层形成第二通孔,于平坦层上的非盲孔区制作第三金属层;制作第五绝缘层,蚀刻形成第三通孔、第四通孔、第五通孔、第六通孔和第七通孔;制作像素电极层;蚀刻部分像素电极层。上述技术方案通过制作像素电极层和第二金属层形成导电环,导电环绕设在盲孔区的周围,并通过外部走线的控制和调节,将分解的电子/离子吸引至盲孔边界侧壁的像素电极层上进行中和,减少游离电子/离子向显示区域移动,从而保障了显示品质。
- 一种盲孔屏背板结构
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