专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]可调制光路的Micro-LED显示面板结构-CN202320088808.4有效
  • 韩正宇;宋安鑫 - 华映科技(集团)股份有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-07-07 - G09F9/33
  • 本实用新型公开了一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构,涉及Micro‑LED显示技术领域。本实用新型实施例的一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构包括Micro‑LED显示芯片区和空白像素区,所述Micro‑LED显示芯片区和空白像素区逐行间隔设置;所述Micro‑LED显示芯片区的每一Micro‑LED显示芯片,在不通电时为第一出射角度,通电时为第二出射角度,使得Micro‑LED显示芯片区和空白像素区可分别点亮。本实用新型提供的一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构,通过实现Micro‑LED芯片的出光角度可调,降低Micro‑LED转移芯片数量,降低制程成本及时间。
  • 调制microled显示面板结构
  • [发明专利]可调制光路的Micro-LED显示面板结构及制作方法-CN202310046298.9在审
  • 韩正宇;宋安鑫 - 华映科技(集团)股份有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-04-28 - G09F9/33
  • 本发明公开了一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构及制作方法,涉及Micro‑LED显示技术领域。本发明实施例通过在Micro‑LED显示芯片的下方设置一组或两组电致伸缩器件实现Micro‑LED芯片的出光角度可调,当不通电时,实现正上方子像素出光,当通电时,使得Micro‑LED显示芯片的出光角度倾斜,可实现一侧或两侧子像素出光,从而在不降低显示分辨率的状况下,减少驱动基板上需要转移的Micro‑LED显示芯片的数量。本发明提供的一种可调制光路的Micro‑LED显示面板结构及制作方法,通过实现Micro‑LED芯片的出光角度可调,降低Micro‑LED转移芯片数量,降低制程成本及时间。
  • 调制microled显示面板结构制作方法
  • [发明专利]一种无边框柔性显示面板结构及制作方法-CN202310075009.8在审
  • 韩正宇;宋安鑫 - 华映科技(集团)股份有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-04-11 - H10K59/12
  • 本发明提供一种无边框柔性显示面板结构及制作方法,柔性显示面板技术领域。本发明的无边框柔性显示面板结构包括显示区;驱动电路走线区,设置于所述显示区内部两相对的第一侧边区域,且驱动电路的端口设置于两第一侧边区域的外边缘;数据电路走线区,设置于所述显示区内部两相对的第二侧边区域的下方,且数据电路的端口设置于两第二侧边区域的外边缘。本发明通过将驱动电路和数据电路设置于两层有机绝缘层衬底间,使得其可以位于显示区的正下方,从而无需在面板显示区旁占据一部分非显示区,实现无边框的100%屏占比的柔性显示面板。
  • 一种边框柔性显示面板结构制作方法
  • [实用新型]一种无边框柔性显示面板结构-CN202320089070.3有效
  • 韩正宇;宋安鑫 - 华映科技(集团)股份有限公司
  • 2023-01-31 - 2023-04-11 - H10K59/131
  • 本实用新型提供一种无边框柔性显示面板结构,柔性显示面板技术领域。本实用新型的无边框柔性显示面板结构包括一显示区;驱动电路走线区,设置于所述显示区内部两相对的第一侧边区域,且驱动电路的端口设置于两第一侧边区域的外边缘;数据电路走线区,设置于所述显示区内部两相对的第二侧边区域的下方,且数据电路的端口设置于两第二侧边区域的外边缘。本实用新型通过将驱动电路和数据电路设置于两层有机绝缘层衬底间,使得其可以位于显示区的正下方,从而无需在面板显示区旁占据一部分非显示区,实现无边框的100%屏占比的柔性显示面板。
  • 一种边框柔性显示面板结构
  • [实用新型]一种IGZO阵列基板及其配线结构-CN202123053621.0有效
  • 宋安鑫;韩正宇;李元行;魏华 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-12-07 - 2022-04-12 - H01L27/12
  • 本实用新型公开了一种IGZO阵列基板及其配线结构,包括玻璃基板,所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层,所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极,所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面,所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层,所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极。本实用新型优化绝缘层开孔工艺,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,减小TFT‑LCD配线区寄生电容并优化框胶固化工艺,通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式,实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。
  • 一种igzo阵列及其结构
  • [实用新型]一种Micro-LED驱动背板结构-CN202122567834.9有效
  • 韩正宇;宋安鑫;李元行;魏华 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-10-25 - 2022-03-15 - H01L25/16
  • 本实用新型公开了一种Micro‑LED驱动背板结构,涉及Micro‑LED显示技术领域,具体为Micro‑LED垂直结构显示芯片的转移与键合过程,包括玻璃基板、Micro‑LED芯片和内驱动基板,所述内驱动基板包括第一金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、第二金属层和钝化层;透明导电层的底端通过第二有机绝缘层上设置的第三开孔与Micro‑LED芯片连接,透明导电层右端穿过第二有机绝缘层、第一有机绝缘层和钝化层开设的第四开孔、第五开孔和第六开孔与钝化层内的第二金属层连接,通过透明导电层将Micro‑LED芯片上的电极与第一金属层上的地电极垂直连接,降低垂直芯片上电极的连接难度,第一有机绝缘层和第二有机绝缘层的成膜及开孔,降低透明导电层与第二金属层连接断线的风险,增强垂直芯片的出光率。
  • 一种microled驱动背板结构
  • [实用新型]一种减小平面尺寸的TFT器件结构-CN202122365392.X有效
  • 韩正宇;宋安鑫;李元行 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-09-28 - 2022-02-22 - H01L29/786
  • 本实用新型公开了一种减小平面尺寸的TFT器件结构,包括玻璃基板以及设置在玻璃基板顶部的金属源极数据走线,所述金属源极的顶部设置有有机绝缘层,且有机绝缘层的中心处开设有第一通孔,所述第一通孔的内壁上设置有半导体有源层,所述半导体有源层上沉积有栅极绝缘层,且栅极绝缘层上相对于有机绝缘层的顶部开设有第二通孔,所述栅极绝缘层的表面设置有金属栅极和金属漏极,且漏极设置在第二通孔处;本实用新型利用有机绝缘层曝光形成第一通孔,在第一通孔的侧壁将半导体有源层与栅极折叠,使其在平面的投影面积降低,减小TFT器件的平面尺寸,实现液晶显示技术的高开口率、高透过率及高像素密度。
  • 一种减小平面尺寸tft器件结构
  • [实用新型]一种柔性显示基板结构-CN202122377652.5有效
  • 韩正宇;宋安鑫;李元行;魏华 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-09-29 - 2022-02-22 - H01L27/32
  • 本实用新型公开了一种柔性显示基板结构,包括PI基底,所述PI基底的表面设置有缓冲层,所述缓冲层的上方铺设有栅极金属线,所述栅极金属线的表面设置有栅极绝缘层,所述栅极绝缘层表面开设有分割沟槽,所述栅极绝缘层和缓冲层通过曝光显影蚀刻加工为若干个像素区块组成;本实用新型通过设计的分割沟槽,实现将本实用新型沿栅极走线方向将绝缘层分割为若干与栅极平行的像素区块,使一整块刚性的绝缘层划分为若干小区块,从而保证本实用新型避免在弯折较大时刚性绝缘层易发生断裂导致显示失效。
  • 一种柔性显示板结
  • [发明专利]一种IGZO阵列基板及其配线结构-CN202111485613.5在审
  • 宋安鑫;韩正宇;李元行;魏华 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-12-07 - 2022-02-08 - H01L27/12
  • 本发明公开了一种IGZO阵列基板及其配线结构,包括玻璃基板,所述玻璃基板的上表面固定连接栅极绝缘层,所述栅极绝缘层与玻璃基板的之间的位置设置金属栅极,所述金属栅极固定安装在玻璃基板的上表面,所述栅极绝缘层的上表面固定连接半导体有源层,所述半导体有源层上表面左右两侧的位置分别固定连接金属源漏极。本发明优化绝缘层开孔工艺,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,减小TFT‑LCD配线区寄生电容并优化框胶固化工艺,通过栅极绝缘层底部垫层搭配化学性蚀刻+物理性蚀刻开洞的方式,解决绝缘层界面处undercut及金属层过刻风险,通过配线区采用dule trace及double trace搭配的方式,实现减小寄生电容及优化框胶固化的目的。
  • 一种igzo阵列及其结构
  • [发明专利]一种Micro-LED驱动背板结构与制备方法-CN202111242819.5在审
  • 韩正宇;宋安鑫;李元行;魏华 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-10-25 - 2021-12-24 - H01L25/16
  • 本发明公开了一种Micro‑LED驱动背板结构与制备方法,涉及Micro‑LED显示技术领域,具体为Micro‑LED垂直结构显示芯片的转移与键合过程,包括玻璃基板、Micro‑LED芯片和内驱动基板,所述内驱动基板包括第一金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、第二金属层和钝化层;透明导电层的底端通过第二有机绝缘层上设置的第三开孔与Micro‑LED芯片连接,透明导电层右端穿过第二有机绝缘层、第一有机绝缘层和钝化层开设的第四开孔、第五开孔和第六开孔与钝化层内的第二金属层连接,通过透明导电层将Micro‑LED芯片上的电极与第一金属层上的地电极垂直连接,降低垂直芯片上电极的连接难度,第一有机绝缘层和第二有机绝缘层的成膜及开孔,降低透明导电层与第二金属层连接断线的风险,增强垂直芯片的出光率。
  • 一种microled驱动背板结构制备方法
  • [发明专利]一种显示面板结构及其制作方法-CN202111248573.2在审
  • 韩正宇;宋安鑫;李元行;魏华 - 福建华佳彩有限公司
  • 2021-10-26 - 2021-12-24 - G02F1/1333
  • 本发明公开了一种显示面板结构及其制作方法,包括玻璃基板、薄膜晶体管层、黑色矩阵层、无机绝缘层和Com电极层,像素电极通过在钝化层开孔与金属漏极连接;黑色矩阵层覆盖显示区域的栅极走线及数据走线,栅极走线上设有栅极绝缘层,栅极绝缘层上设有金属氧化物半导体层;触控讯号线的位置位于数据走线处的黑色矩阵层上方,并且其在栅极走线方向上存在延伸部分,像素间Com电极层跨过黑色矩阵层连接为整块电极。本发明可以通过降低薄膜晶体管光照影响,从而降低漏电,获得更高的对比度;较厚的黑色矩阵层间隔数据走线及触控讯号线,可以降低触控走线的RC Loading,提高触控灵敏度;同时可以减少一层柱间隔层,节约生产成本及生产时间。
  • 一种显示面板结构及其制作方法
  • [实用新型]一种TFT阵列基板结构-CN202022089818.9有效
  • 宋安鑫;李元行;韩正宇 - 福建华佳彩有限公司
  • 2020-09-22 - 2021-05-14 - H01L27/12
  • 实用新型公开了一种TFT阵列基板结构,基板分为第一TFT区域和第二TFT区域;第一TFT区域制作第一有源层,第一有源层划分为沟道区域和导体化区域;沟道区域上制作第一栅极绝缘层;第一栅极绝缘层上制作第一金属层;制作隔离层,蚀刻位于第二TFT区域上的所隔离层;蚀刻隔离层,形成两个第一通孔;同时制作第一源极、第一漏极和第二金属层,第一源极、第一漏极通过两个第一通孔与有源层上的导体化区域连接;所第二金属层置于第二TFT区域上。通过TFT阵列基板定义为两个区域,减少第二TFT退火制程H离子扩散,提升第二TFT器件稳定性,同时由于隔离层仅保留在第一TFT区域,第二TFT膜层厚度减薄,透过率增大,可提升显示效果。
  • 一种tft阵列板结
  • [实用新型]一种盲孔屏背板结构-CN202022150521.9有效
  • 李元行;苏智昱;韩正宇;宋安鑫 - 福建华佳彩有限公司
  • 2020-09-27 - 2021-04-23 - H01L23/60
  • 本实用新型公开了一种盲孔屏背板结构,在基板上制作第一金属层;制作第一绝缘层,第一绝缘层分为盲孔区和非盲孔区,于盲孔区上制作盲孔金属层;制作第一通孔,制作三个第二金属层,制作第三绝缘层,制作平坦层,并蚀刻平坦层形成第二通孔,于平坦层上的非盲孔区制作第三金属层;制作第五绝缘层,蚀刻形成第三通孔、第四通孔、第五通孔、第六通孔和第七通孔;制作像素电极层;蚀刻部分像素电极层。上述技术方案通过制作像素电极层和第二金属层形成导电环,导电环绕设在盲孔区的周围,并通过外部走线的控制和调节,将分解的电子/离子吸引至盲孔边界侧壁的像素电极层上进行中和,减少游离电子/离子向显示区域移动,从而保障了显示品质。
  • 一种盲孔屏背板结构

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