专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种纳米级NTO晶体及其制备方法-CN202111616677.4有效
  • 李小东;刘慧敏;孙彦涛;刘文杰;韩元淇;王晶禹 - 中北大学
  • 2021-12-27 - 2023-08-18 - C07D249/14
  • 本发明提供的纳米级NTO晶体,所述纳米级NTO晶体的平均粒径为200~550nm。本发明提供的纳米级NTO晶体具有较小的粒径,对意外撞击作用敏感性低,具有较高的安全性。本发明提供的纳米级NTO晶体的制备方法,包括以下步骤:将NTO溶解于N,N‑二甲基甲酰胺,得到炸药溶液;所述炸药溶液的质量浓度为0.3~0.6g·mL‑1;将所述炸药溶液和二氯甲烷混合后进行超声处理,析出所述NTO晶体;所述炸药溶液和二氯甲烷的体积比为1:10~30,所述混合温度为‑3~15℃,所述超声处理的功率为12~90W,所述超声处理的时间为5~20min。本发明通过限定炸药溶液的质量浓度、炸药溶液和二氯甲烷的体积比、混合温度、超声功率和超声时间能够获得粒径较小的NTO晶体。
  • 一种纳米nto晶体及其制备方法

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